去除光刻胶层的方法技术

一种去除光刻胶层的方法，包括：提供包含硅原子的基底；所述基底表面形成有光刻胶层，所述光刻胶层内至少包括掺杂离子和硅原子；采用湿法刻蚀工艺去除所述光刻胶层，所述湿法刻蚀工艺采用的化学试剂至少包括去除掺杂离子的第一试剂、去除硅原子和/或硅的氧化物的第二试剂。本发明专利技术实施例的去除光刻胶层的方法简单有效，光刻胶层去除的彻底。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种去除光刻胶层的方法。
技术介绍
半导体器件的形成过程中，通常利用光刻工艺将掩模板上的掩膜图形转移到半导体器件表面的光刻胶层中，再将掩膜图形通过刻蚀工艺转移到半导体器件中，或者以所述光刻胶层为掩膜对半导体器件进行离子注入，最后再将光刻胶层去除。现有技术中，去除光刻胶层的方法包括请参考图1，提供基底100，所述基底100表面形成有光刻胶层101 ;以所述光刻胶层101为掩膜向所述基底100内注入离子105，所述光刻胶层101中包括离子105 ；·请参考图2，待注入完所述离子105后，采用灰化工艺去除部分所述光刻胶层101 ；采用硫酸(H2SO4)和双氧水(H2O2)的混合溶液去除剩余的光刻胶层101。然而，现有技术的光刻胶层去除的不够彻底，影响了形成半导体器件的后续工艺。在“US6627588B1”的美国专利中，也公开了一种采用脂肪醇(aliphatic alcohol)去除光刻胶层的方法，此种方法的工艺条件复杂，对设备的要求高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种能够彻底去除光刻胶层的方法。为解决上述问题，本专利技术提供了一种去除光刻胶层的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除光刻胶层的方法，包括：提供包含硅原子的基底；所述基底表面形成有光刻胶层，所述光刻胶层内至少包括掺杂离子和硅原子；其特征在于，还包括：采用湿法刻蚀工艺去除所述光刻胶层，所述湿法刻蚀工艺采用的化学试剂至少包括去除掺杂离子的第一试剂、去除硅原子和/或硅的氧化物的第二试剂。

【技术特征摘要】
1.一种去除光刻胶层的方法，包括 提供包含硅原子的基底；所述基底表面形成有光刻胶层，所述光刻胶层内至少包括掺杂离子和硅原子； 其特征在于，还包括 采用湿法刻蚀工艺去除所述光刻胶层，所述湿法刻蚀工艺采用的化学试剂至少包括去除掺杂离子的第一试剂、去除硅原子和/或硅的氧化物的第二试剂。2.如权利要求I所述的去除光刻胶层的方法，其特征在于，所述掺杂离子包括Ge、P、As、P、N、F离子中的一种或多种组合；所述第一试剂为臭氧水；所述第二试剂为氢氟酸。3.如权利要求2所述的去除光刻胶层的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的步骤包括采用臭氧水去除部分包含掺杂离子的光刻胶层；再采用氢氟酸去除光刻胶层中的硅原子和/或硅的氧化物；最后采用臭氧水去除剩余的包含掺杂离子的光刻胶层。4.如权利要求3所述的去除光刻胶层的方法，其特征在于，所述采用氢氟酸去除光刻胶层中的硅原子和/或硅的氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘焕新，何永根，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：