【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光刻胶用剥离液组合物及其制备和应用。
技术介绍
近年来，随着集成电路高密度化，微细蚀刻技术成为主流，在蚀刻后除去不要的光刻胶层时，要求在图案的侧壁和底部不会产生残渣，因为这些残渣和淀积物如不完全除去会影响半导体器件的性质，使得良品率降低，因此有必要将这些残渣物剥离。目前常用的一种光刻胶剥离液组合物，其主要由脂肪族醇聚氧乙烯醚，环己酮和单乙醇胺组成，配方对铝布线的防腐蚀性能较好，但是对Cu布线的防腐蚀性能不好。
技术实现思路
为了克服现有技术中存在的上述缺陷，本专利技术涉及一种光刻胶用剥离液组合物，专利技术还涉及所述光刻胶用剥离液组合物的制备方法和应用。本专利技术涉及一种光刻胶用剥离液组合物，所述组合物的主要组分及其质量份数为a组分O. 3-5份，b组分2-15份，c组分O. 05-5份，d组分2_15份；所述a组分为含氟的羧酸或其盐，所述b组分为烷醇胺类或季胺氢氧化物中的至少一种碱性化合物，所述c组分为含硫防腐蚀剂，所述d组分为极性有机溶剂。如果组分a的含量过少，光刻胶的剥离性和对铜布线的防腐蚀性都有变差的倾向；如果组分b含量过少，对光刻胶的剥离...
【技术保护点】
一种光刻胶用剥离液组合物，其特征在于，所述组合物的主要组分及其质量份数如下：a组分0.3？5份，b组分2？15份，c组分0.05？5份，d组分2？15份；所述a组分为含氟的羧酸或其盐，所述b组分为烷醇胺类或季胺氢氧化物中的至少一种碱性化合物，所述c组分为含硫防腐蚀剂，所述d组分为极性有机溶剂。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘陆，吕志军，栗首，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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