一种刻蚀后去胶的溶液和方法技术

本发明专利技术公开了一种刻蚀后去胶的溶液和方法，属于半导体发光器件制造技术领域。所述溶液由碱、醇和蒸馏水组成；其中所述碱的质量分数为10%至25%，所述醇的质量分数为5%至20%，所述蒸馏水的质量分数为60%至70%。所述方法包括：将刻蚀后的晶片放入混合后的溶液中，浸泡后取出冲水并甩干。本发明专利技术通过组成成分为碱、醇和蒸馏水的溶液，将刻蚀后的晶片放入其中浸泡，然后取出冲水并甩干；能够有效去除刻蚀后的光刻胶。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光器件制造
，特别涉及。
技术介绍
刻蚀是半导体发光器制造工艺中的一个相当重要的步骤。所谓刻蚀，实际上就是将涂光刻胶前沉积的薄膜中没有被光刻胶覆盖的部分给去除掉。然而，光刻胶在刻蚀后的去除成为比较大的难题，原因在于光刻胶在经过刻蚀后变得比较坚硬，使得普通的去胶液难以保证将其完全除净，若采用干法去胶则会对晶片表面的氧化铟锡薄膜产生损伤，因此最好采用全湿法来去除光刻胶。现有技术中，常见的全湿法去胶采用有机溶液去胶，如丙酮或者N-甲基吡咯烷酮坐寸ο在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术存在以下问题仅仅使用纯的有机溶液无法保证去胶的效果，总会有残留的光刻胶无法去除，从而影响半导体发光器件的质量。使用有机溶剂还会带来操作危险和环境污染。
技术实现思路
为了解决现有技术有机溶液无法完全将刻蚀后的光刻胶去除和环境污染的问题，本专利技术实施例提供了。所述技术方案如下—方面，本专利技术实施例提供了一种刻蚀后去胶的溶液，所述溶液由碱、醇和蒸馏水组成；其中所述碱的质量分数为10%至25%，所述醇的质量分数为5%至20%，所述蒸馏水的质量分数为60%至70%。其中，所述碱本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种刻蚀后去胶的溶液，其特征在于，所述溶液由碱、醇和蒸馏水组成；其中所述碱的质量分数为10%至25%，所述醇的质量分数为5%至20%，所述蒸馏水的质量分数为60%至70%。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋超，刘榕，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：