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本发明公开了一种刻蚀后去胶的溶液和方法，属于半导体发光器件制造技术领域。所述溶液由碱、醇和蒸馏水组成；其中所述碱的质量分数为10%至25%，所述醇的质量分数为5%至20%，所述蒸馏水的质量分数为60%至70%。所述方法包括：将刻蚀后的晶片放...
该专利属于华灿光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电股份有限公司授权不得商用。

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