【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种光刻胶层的去除方法，其特征在于，包括：提供至少一个晶圆，在所述至少一个晶圆上形成有光刻胶层，所述光刻胶层作为离子注入时的掩膜，离子注入时，所述光刻胶中注入有高剂量离子；对所述至少一个晶圆进行浸泡刻蚀，去除部分光刻胶层；对所述至少一个晶圆中的一个晶圆进行单晶圆旋转刻蚀，去除剩余的光刻胶层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何永根，袁竹根，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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