【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面具有待刻蚀层；在所述待刻蚀层表面形成掩膜层，所述掩膜层材料为无定型碳，所述掩膜层暴露出部分待刻蚀层表面；以所述掩膜层为掩膜，对所述待刻蚀层进行等离子体刻蚀，在所述待刻蚀层内形成开口，所述开口的深宽比大于10:1，所述等离子体刻蚀的偏置射频功率源输出的射频信号为脉冲信号，所述脉冲信号的占空比随刻蚀深度的增加而减小，当偏置射频功率源打开时，刻蚀部分待刻蚀层并形成刻蚀口，且所述刻蚀口内具有刻蚀副产物，当偏置射频功率源关闭时，所述刻蚀副产物扩散出所述刻蚀口。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴紫阳，文秉述，郑又锡，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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