一种TSV孔底部介质层刻蚀方法技术

本发明专利技术提供了一种TSV孔底部介质层刻蚀方法，对于小孔径的TSV孔，可以降低了TSV孔底部介质层刻蚀难度，避免了刻蚀过程中对TSV侧壁绝缘层材料造成损伤。其包括以下步骤：（1）对拥有IC器件晶圆进行背面减薄；（2）在拥有IC器件晶圆的背面对应金属焊盘的位置制作TSV孔；（3）在TSV孔内制作聚合物绝缘层；（4）去除TSV孔底部的聚合物绝缘层，使TSV孔底部氧化物绝缘层暴露出来；（5）采用湿法工艺刻蚀TSV孔底部暴露出来的氧化物绝缘层，使金属焊盘裸露；（6）采用金属连接线制作RDL，使RDL与TSV底部的金属焊盘连接，并进一步制作表面金属焊盘和微凸点，使表面金属焊盘和微凸点与RDL连接。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种TSV孔底部介质层刻蚀方法，其包括以下步骤：（1）、对拥有IC器件的晶圆进行背面减薄；（2）、在拥有IC器件晶圆的背面对应金属焊盘的位置制作TSV孔；（3）、在TSV孔内制作聚合物绝缘层；（4）、去除TSV孔底部的聚合物绝缘层，使TSV孔底部氧化物绝缘层暴露出来；（5）、刻蚀TSV孔底部暴露出来的氧化物绝缘层，使金属焊盘裸露；（6）采用金属连接线制作RDL，使RDL与TSV底部的金属焊盘连接，并进一步制作表面金属焊盘和微凸点，使表面金属焊盘和微凸点与RDL连接,其特征在于：第（5）步采用湿法工艺刻蚀TSV孔底部暴露出来的氧化物绝缘层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：戴风伟，于大全，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：