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一种光刻胶层的去除方法及刻蚀装置，其中所述光刻胶层的去除方法，包括：提供至少一个晶圆，在所述至少一个晶圆上形成有光刻胶层，所述光刻胶层作为离子注入时的掩膜，离子注入时，所述光刻胶中注入有高剂量离子；对所述至少一个晶圆进行浸泡刻蚀，去除部分光...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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