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一种去除光刻胶层的方法，包括：提供包含硅原子的基底；所述基底表面形成有光刻胶层，所述光刻胶层内至少包括掺杂离子和硅原子；采用湿法刻蚀工艺去除所述光刻胶层，所述湿法刻蚀工艺采用的化学试剂至少包括去除掺杂离子的第一试剂、去除硅原子和/或硅的氧化...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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