等离子显示屏剥离液及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种等离子显示屏剥离液及其制备方法与应用。该剥离液包括季铵氢氧化物、酰胺化合物、二元醇类溶剂、防腐剂和去离子水。该剥离液能够迅速、完全的剥离光致抗蚀剂，而且对布线材料等的腐蚀作用较少。即使在剥离光致抗蚀剂的处理后用水进行漂洗，也不会导致不溶物的沉淀，并且对环境和人体具有高度安全性。该剥离液对湿蚀刻工序中发生变质的光致抗蚀剂可以有效地剥离除去光致抗蚀剂图案，对于像构成等离子面板的金属膜、氧化膜的无机材料物质具有极低腐蚀性，具有重要的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子显示屏剥离液及其制备方法与应用。
技术介绍
在等离子基板的生 产的光刻技术中通常包括在玻璃基片上依次进行设置金属或金属氧化物层的金属配线形成工序；设置光致抗蚀剂层的工序；在光致抗蚀剂上转写掩模图形的曝光工序；按照图形对模进行蚀刻的蚀刻工序；以及除去光致抗蚀剂的剥离工序。在通常的制造工艺中光刻工序会多达十多次。一般的剥离液可以列举出无机酸、有机酸、无机碱或者有机溶剂，可是，作为剥离剂的有效成分，当使用无机酸或者无机碱时，或使下部金属膜腐蚀，或伴随有害于人体的缺点等操作上的困难性。因此通常使用有机溶剂。目前PDP面板制造中使用的光致抗蚀剂用剥离液主要是含有有机极性溶剂、胺类及水的体系的剥离液。然而这些现有的剥离液存在以下问题1、生产工艺复杂。在进行剥离处理过程中，在剥离掉光致抗蚀剂后需要用有机溶剂和水分别漂洗，增加清洗工序时间，产生大量废液废水；2、剥离性能弱，对布线腐蚀影响大；3、清洗后残留金属离子的数量超出标准要求，容易引起表面金属离子污染。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种等离子显示屏剥离液及其制备方法与应用。本专利技术提供的剥离液，包括式I所示季铵氢氧化物、式II所示酰胺化合物、有机溶齐U、防腐剂和水， _I +R2-N--/^ OH^ I式IO V ο H式II所述式I中，Rp R2和R3均选自C1-C5的烷基和C1-C5的羟烷基中的任意一种； 所述式11中，R1和R2均选自H、CH3和C2H5中的任意一种。所述剥离液也可只由上述组分组成。所述式I所示季铵氢氧化物选自氢氧化三甲基烯丙基铵、氢氧化(I-羟基乙基)二甲基烯丙基铵、氢氧化(1，2-二羟基乙基)一甲基烯丙基铵、氢氧化三乙基烯丙基铵、氢氧化一甲基二乙基烯丙基铵、氢氧化二甲基一乙基烯丙基铵、氢氧化(I-羟基乙基)二乙基烯丙基铵、氢氧化(1，2- 二羟基乙基)一乙基烯丙基铵、氢氧化(I-羟基丙基)二乙基烯丙基铵、氢氧化三丙基烯丙基铵、氢氧化一甲基二丙基烯丙基铵、氢氧化二甲基一丙基烯丙基铵、氢氧化(I-羟基乙基)二丙基烯丙基铵、氢氧化(1，2- 二羟基乙基)一丙基烯丙基铵、氢氧化一甲基一乙基一丙基烯丙基铵、氢氧化(I-羟基丙基)二丙基烯丙基铵、氢氧化(1，2-二羟基丙基)一丙基烯丙基铵和氢氧化三丁基烯丙基铵中的至少一种；所述式II所示酰胺化合物选自6-氟-3-氧代-3，4- 二氢吡嗪_2_甲酰胺、6-氟-N-甲基-3-氧代-3，4- 二氢吡嗪-2-甲酰胺、6-氟-N-乙基-3-氧代-3，4- 二氢吡嗪-2-甲酰胺、6-氟-N，N-甲基-3-氧代-3，4- 二氢吡嗪-2-甲酰胺和6-氟-N，N-乙甲基-3-氧代_3，4- 二氢吡嗪-2-甲酰胺中的至少一种；所述有机溶剂为二元醇类水溶性有机溶剂，具体选自乙二醇、一缩二乙二醇和丙二醇中的至少一种； 所述防腐剂选自果糖、葡萄糖、木糖醇、山梨糖醇、I-硫甘油、2-巯基乙醇、邻苯二酚、没食子酸、苹果酸和苯并三唑中的至少一种；所述水为去离子水，具体为电子级去离子水，在25°C的电阻率至少为18兆欧，总金属离子浓度不大于5000ug/L,具体为500ug/L,更具体为50ug/L。所述剥离液中，各组分所占质量百分比分别为所述式I所示季铵氢氧化物1_15%，具体为2-10%，更具体为3%、5%或8% ;该组分占剥离液总重的百分比若低于前述范围，则剥离液的剥离效果不好，光刻胶还会出现不溶解的现象，带来大量残留，若高于前述范围，会是剥离液PH偏高，对金属布线有侵蚀的副作用；所述式II所示酰胺化合物1-10%,具体为2-5%，具体为3% ;本专利技术所选择的酰胺类化合物较为特殊，其能够有效的调节PH于合适范围，在剥离光刻胶的同时，能避免剥离液对金属布线的侵蚀，提高产品的精细度。该组分占剥离液总重的百分比若不在上述范围，会降低剥离的良率；所述有机溶剂5_25%，具体为5-10%，更具体为8%或15% ;该组分占剥离液总重的百分比若低于前述范围，则剥离后的溶剂效果不好，带来大量残留，若高于前述范围，会提高剥离液的成本，而且不利于环保；所述防腐剂0. 01-2%，具体为O. 5%，更具体为O. 1%或1%。防腐剂在剥离液中所占的百分比若低于前述范围，则不能有效的防止基材金属或布线被侵蚀，若高于上述范围，则会影响到剥离速度；所述去离子水为余量。本专利技术还提供了一种制备前述剥离液的方法，包括如下步骤将前述各组分混匀，得到所述剥离液。上述本专利技术提供的剥离液在剥离光致抗蚀剂中的应用，也属于本专利技术的保护范围。该剥离光致抗蚀剂的步骤具体可在等离子显示屏生产过程中。所述剥离步骤中，剥离方法为浸溃法或喷淋法，温度为20-80°C，具体为40_60°C，时间为I分钟-20分钟，具体为3分钟-15分钟。该剥离方法具体可为在基板上形成光致抗蚀剂图案，把该光致抗蚀剂图案作为掩模，将基板蚀刻后，用上述本专利技术提供的剥离液将光致抗蚀剂图案从基板上剥离下来；或者，在基板上形成光致抗蚀剂图案，把该光致抗蚀剂图案作为掩模，将基板蚀亥IJ，接着对光致抗蚀剂图案进行等离子体灰化处理后，用上述本专利技术提供的剥离液将等离子体灰化后的残渣物从基板上剥离下来。本专利技术提供的剥离液，能够迅速，完全的剥离光致抗蚀剂，而且对布线材料等的腐蚀作用较少。即使在剥离光致抗蚀剂的处理后用水进行漂洗，也不会导致不溶物的沉淀，并且对环境和人体具有高度安全性。该剥离液对蚀刻工序中发生变质的光致抗蚀剂可以有效地剥离除去光致抗蚀剂图案，对于像构成等离子面板的金属膜、氧化膜的无机材料物质具有极低腐蚀性，具有重要的应用价值。附图说明 图I为剥离效果图。具体实施例方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步阐述，但本专利技术并不限于以下实施例。所述方法如无特别说明均为常规方法。所述材料如无特别说明均能从公开商业途径而得。本专利技术中，式I所示季铵氢氧化物是按照如下方法制备而得将式III结构通式所示的季铵盐的有机溶液与无机碱进行反应，得到所述季胺碱；权利要求1.一种剥离液，包括式I所示季铵氢氧化物、式II所示酰胺化合物、有机溶剂、防腐剂和水， 、丄0 R2 式II 所述式I中，も、R2和R3均选自C1-C5的烷基和C1-C5的羟烷基中的任意ー种； 所述式II中，R1和R2均选自H、CH3和C2H5中的任意ー种。2.根据权利要求I所述的剥离液，其特征在于所述剥离液由式I所示季铵氢氧化物、式II所示酰胺化合物、有机溶剂、防腐剂和水组成。3.根据权利要求I或2所述的剥离液，其特征在于所述式I所示季铵氢氧化物选自氢氧化三甲基烯丙基铵、氢氧化(I-羟基こ基)ニ甲基烯丙基铵、氢氧化(1，2-ニ羟基こ基)一甲基烯丙基铵、氢氧化三こ基烯丙基铵、氢氧化一甲基ニこ基烯丙基铵、氢氧化ニ甲基一こ基烯丙基铵、氢氧化(I-羟基こ基)ニこ基烯丙基铵、氢氧化(1，2-ニ羟基こ基)一こ基烯丙基铵、氢氧化(I-羟基丙基)ニこ基烯丙基铵、氢氧化三丙基烯丙基铵、氢氧化一甲基ニ丙基烯丙基铵、氢氧化ニ甲基一丙基烯丙基铵、氢氧化(I-羟基こ基)ニ丙基烯丙基铵、氢氧化(1,2- ニ羟基こ基)一丙基烯丙基铵、氢氧化一甲基一こ基一丙基烯丙基铵、氢氧化(I-羟基丙基)ニ丙基烯丙基铵、氢氧化(1，2_羟基丙基)一丙基烯丙基铵和氢氧化三丁基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种剥离液，包括式I所示季铵氢氧化物、式II所示酰胺化合物、有机溶剂、防腐剂和水，式I式II所述式I中，R1、R2和R3均选自C1？C5的烷基和C1？C5的羟烷基中的任意一种；所述式II中，R1和R2均选自H、CH3和C2H5中的任意一种。FDA00002236732800011.jpg,FDA00002236732800012.jpg

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冯卫文，
申请(专利权)人：绵阳艾萨斯电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：