光阻剥离剂组成物制造技术

一种光阻剥离剂组成物，包含按重量计0.5-5％的烷基氢氧化铵、按重量计60-90％的非质子性极性溶剂、按重量计0.1-3％的芳香族多羟基醇、按重量计0.1-5％的线性多羟基醇、以及按重量计5-30％的水；该光阻剥离剂组成物具有优异的剥离正型及负型光阻剂的能力，且不会腐蚀在该光阻剂下面的金属布线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在半导体器件、LED器件或IXD器件的制造过程中用以去除光阻剂的光阻剥离剂(photoresist stripper)组成物。
技术介绍
—般，微电路半导体器件、LED器件或IXD器件系经由一系列光刻方法生产。光刻方法包含步骤在基材上形成金属层或绝缘层等；将光阻剂铺展于金属层上；通过图案化掩模使光阻剂选择性曝光而形成所需的光阻剂图案；以及显影处理。在该方法中，通过将所述光阻剂图案用作掩模、经由干式蚀刻或湿式蚀刻形成金属层或绝缘层的图案，然后通过剥离方法去除光阻剂图案。 依据曝光时溶解于显影剂的能力的变化，光阻剂分成二种类型，S卩，正型光阻剂及负型光阻剂。正型光阻剂是一种其曝光部分变成可溶于显影剂的光阻剂，且负型光阻剂是一种其曝光部分变成不可溶于显影剂的光阻剂。在通常的湿式方法中，通过使用常见剥离剂可轻易去除正型光阻剂。但是，当正型光阻剂在干式蚀刻或离子植入过程期间硬化或变性时，则难以去除正型光阻剂。由于图案控制的轻易性及产生各向异性图案转移的能力，干式蚀刻法优选用于形成微图案。但是，干式蚀刻法使用等离子气体(Plasma gas)与诸如传导层的材料层间的气-固反应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴永真，韩斗锡，李相大，申孝燮，
申请(专利权)人：易安爱富科技有限公司，
类型：
国别省市：