形成半导体器件的精细图案的方法技术

一种形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括：　　　　在包括基层的半导体基板之上形成光阻图案；　　　　在所述光阻图案的侧壁上形成交联层；　　　　除去所述光阻图案，以形成包括所述交联层的精细图案；以及　　　　利用所述精细图案作为蚀刻掩模将所述基层图案化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总的来说涉及形成具有超过光刻极限的间距的半导体器 件精细图案的方法。
技术介绍
由于诸如计算机等信息媒体的普及，半导体器件技术已经取得 快速地发展。半导体器件必须高速操作并且具有高的存储容量。因此， 半导体器件的制造技术必须制造出具有改进的集成度、可靠度及数据 读取特征的高容量存储器件。为了提高器件的集成度，已经开发出用于形成更精细图案的光刻技术。光刻技术包括使用诸如ArF (193nm)和VUV (157nm)的化学增幅型深紫外线(DUV)光源的曝光技术、以及将适合曝光光源的光阻材料显影的技术。半导体器件的处理速度取决于图案的线宽。举例而言，当减小图案线宽时，便会增加处理速度，从而改进器件性能。因此，根据半 导体器件的大小控制图案线宽的临界尺寸是很重要的。 下面描述一种形成半导体器件精细图案的传统方法。 在半导体基板之上形成基层，然后借助于光刻工序在该基层之 上形成光阻图案。通过将光阻剂涂覆于该基层上并在所得到的结构上 进行曝光与显影工序而获得该光阻图案。利用光阻图案作为蚀刻掩模 而蚀刻基层，然后除去光阻图案以形成基层图案。然而，由于受到光刻设备的分辨率限制，难以减小图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括：在包括基层的半导体基板之上形成光阻图案；在所述光阻图案的侧壁上形成交联层；除去所述光阻图案，以形成包括所述交联层的精细图案；以及利用所述精细图案作为蚀刻掩模将所述基层图案化。

【技术特征摘要】
1. 一种形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括 在包括基层的半导体基板之上形成光阻图案； 在所述光阻图案的侧壁上形成交联层；除去所述光阻图案，以形成包括所述交联层的精细图案；以及 利用所述精细图案作为蚀刻掩模将所述基层图案化。2. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述基层选自一个群组，所述群组包括字线、位线、金属线、 及其组合。3. 根据权利要求1所述的方法，其中， 形成所述交联层的步骤包括提供包括含硅聚合物和有机溶剂的聚合物组成物； 将所述聚合物组成物涂覆于所述光阻图案与所述基层之上，以形成含硅聚合物层；在所述含硅聚合物层上执行曝光工序和烘烤工序，以在所述光阻图案与所述含硅聚合物层之间的界面处形成所述交联层；除去在所述交联层的形成过程中所未涉及的其余含硅聚合 物层；以及全面蚀刻所述交联层，直到所述光阻图案的顶部露出为止。4. 根据权利要求3所述的方法，其中， 所述有机溶剂包括C7-Q。垸溶剂和Cs-do醇类。5. 根据权利要求4所述的方法，其中，所述烷溶剂选自一个群组，所述群组包括庚垸、辛烷、壬烷、 癸烷、及其混合物。6. 根据权利要求4所述的方法，其中，所述醇类选自一个群组，所述群组包括戊醇、庚醇、辛醇、 壬醇、癸醇、及其混合物。7. 根据权利要求3所述的方法，其中，所述含硅聚合物包括以所述含硅聚合物的总重量为基准含量范围为10至40wt。/。的硅。8. 根据权利要求3所述的方法，其中， 所述含硅聚合物包括可交联官能团。9. 根据权利要求8所述的方法，其中， 所述可交联官能团是环氧基。10. 根据权利要求3所述的方法，其中，所述含硅聚合物为聚硅氧烷化合物、聚硅倍半氧烷化合物、或 其混合物。11. 根据权利要求3所述的方法，其中， 所述烘烤工序在能够使所述交联层厚度均匀的温度下进行。12. 根据权利要求11所述的方法，其中， 所述烘烤工序在范围从130至20(TC的温度下进行。13. 根据权利要求3所述的方法，其中， 全面蚀刻所述交联层的步骤利用含氟的蚀刻气体来进行。14. 根据权利要求13所述的方法，其中，所述蚀刻气体选自一个群组，所述群组包括CF4...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑载昌，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR