【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种经过液体对基板进行曝光的曝光方法及曝光装置、以及元件 制造方法。本申请以2005年4月28日申请的特愿2005—131866号为根据且主张其优先 权，将其内容引用于本文中。
技术介绍
在作为半导体元件、液晶显示元件等微元件(电子元件等)的制造步骤之一 的光刻步骤中，使用将形成在光罩上的图案投影且曝光在感光性基板上的曝光装 置。该曝光装置具有用于保持光罩的光罩台、及用于保持基板的基板台，逐步移 动光罩台及基板台，并且利用投影光学系统将光罩的图案投影且曝光在基板上。 制造微元件时，为了使元件高密度化，需要使形成在基板上的图案变得微细。为 了满足此种需求，业界期望曝光装置的析像度变得更高，从而，作为用来实现该 高析像度化的方法之一，研究出了如下专利文献1所述的浸渍曝光装置，即，在 基板上形成液体的浸渍区域，经过浸渍区域的液体而对基板进行曝光。专利文献1:国际公开第99/49504号单行本但是，在浸渍曝光装置中，液体与基板相接触，由此，液体可能会影响基板， 且由于此种影响，可能在基板上无法形成预期的图案。而且，如欧州专利公开第 1519231号公报所述...
【技术保护点】
一种曝光方法，其特征在于，包括下述步骤：在基板上形成浸渍区域；经过所述浸渍区域的液体，向所述基板照射曝光用光，对所述基板进行曝光；以及使所述浸渍区域的所述液体与所述基板上的第１区域相接触的接触时间的累计值不超过预定的 容许值。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-4-28 131866/20051.一种曝光方法，其特征在于，包括下述步骤在基板上形成浸渍区域；经过所述浸渍区域的液体，向所述基板照射曝光用光，对所述基板进行曝光；以及使所述浸渍区域的所述液体与所述基板上的第1区域相接触的接触时间的累计值不超过预定的容许值。2. 如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述浸渍区域形成在所述基 板的部分区域上；对所述基板进行曝光的步骤中，包括使所述基板与所述曝光用光相对移动的 步骤。3. 如权利要求1或2所述的曝光方法，其特征在于，依次对设定在所述基板 上的多个照射区域进行曝光，所述第1区域至少包含一个所述照射[x域。4. 如权利要求1至3中任一项所述的曝光方法，其特征在于，使所述累计值 不超过所述容许值的步骤中，包括调整所述基板与所述浸渍区域的相对位置关系 的步骤。5. 如权利要求4所述的曝光方法，其特征在于，调整所述相对位置关系的步 骤中，包括计测所述相对位置关系的步骤。6. 如权利要求1至5中任一项所述的曝光方法，其特征在于，使所述累计值 不超过所述容许值的步骤中，包括调整所述基板的移动条件的步骤。7. 如权利要求6所述的曝光方法，其特征在于，所述移动条件包括移动速度、 移动加减速度、及移动方向中的至少一项。8. 如权利要求6或7所述的曝光方法，其特征在于，所述移动条件包括所述 基板相对于所述浸渍区域基本上是静止的静止时间。9. 如权利要求6至8中任一项所述的曝光方法，其特征在于，使所述累计值 不超过所述容许值的步骤中，包括将所述浸渍区域移动至所述基板上的除所述第 1区域以外的第2区域内的步骤。10. 如权利要求9所述的曝光方法，其特征在于，所述第2区域包含所述基板 上的除所述第1区域以外的区域。11. 如权利要求9或IO所述的曝光方法，其特征在于，所述第2区域包含除 所述基板以外的物体的表面。12. 如权利要求11所述的曝光方法，其特征在于，所述第2区域包括第1可 动部件的表面，该第1可动部件保持所述基板且能够移动。13. 如权利要求11或12所述的曝光方法，其特征在于，所述第2区域包括第 2可动部件的表面，该第2可动部件搭载着与曝光处理相关的计测器且能够移动。14. 如权利要求1至13中任一项所述的曝光方法，其特征在于，使所述累计 值不超过所述容许值的步骤中，包括停止对所述浸渍区域提供所述液体的步骤。15. 如权利要求1至14中任一项所述的曝光方法，其特征在于，使所述累计 值不超过所述容许值的步骤中，包括除去所述浸渍区域内的所述液体的步骤。16. 如权利要求1至15中任一项所述的曝光方法，其特征在于，所述累计值 包括对所述基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：白石健一，藤原朋春，
申请(专利权)人：株式会社尼康，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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