【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，更具体地说，涉及使用电阻相变的电阻切换式随机存取内存(resistance switching random access memory, ReRAM很术。
技术介绍
一般而言，半导体存储器件包括连接成电路的多个存储单元。 一种示例性的半导体存储器件是动态随机存取存储器(dyn am i c random access memory, DRAM)。典型的DRAM单位存储单元是由 一个开关和一个电容器所构成，提供例如高集成度和快速操作等优 占。然而，由于DRAM存储单元在电荷变化方面产生0和1 两个状态，当切断电源时便丧失所有存储的数据(即，易失性存储器 件)，因此难以保持数据。为了便于保持数据，对于新型存储器技术的研究尝试使用新的 变量(而非电荷)在DRAM中产生对应于0和1的二元状态。目前研究的非易失性存储器件包括磁性随机存取存储器 (magnetic random access memory, MRAM)、铁电随机存取存储器 (ferroelectric random access memory, FRAM)、相变随机存取存储器 (phase...
【技术保护点】
一种非易失性存储器件，包括：第一电极；电阻层，其沿着所述第一电极的边缘而形成；绝缘层，其填充在所述电阻层的内部；以及第二电极，其形成于所述电阻层和所述绝缘层之上，其中，所述电阻层具有由至少两种不同的材 料所构成的复合结构。
【技术特征摘要】
KR 2006-10-4 10-2006-00974921.一种非易失性存储器件，包括第一电极；电阻层，其沿着所述第一电极的边缘而形成；绝缘层，其填充在所述电阻层的内部；以及第二电极，其形成于所述电阻层和所述绝缘层之上，其中，所述电阻层具有由至少两种不同的材料所构成的复合结构。2. 根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中， 所述第一电极和所述第二电极包括铂族元素或其冶金等同物。3. 根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中， 所述铂族元素包括铂(Pt)和铱(Ir)。4. 根据权利要求l所述的非易失性存储器件，其中， 所述绝缘层包括具有相切换的第一临界驱动电压的材料，所述第一临界驱动电压不同于所述电阻层的相切换的第二临界驱动电压。5. 根据权利要求4所述的非易失性存储器件，其中， 所述第一临界驱动电压高于所述第二临界驱动电压。6. 根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中， 所述绝缘层包括含铝(A1)氧化物。7. 根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中， 所述含铝氧化物包括A1203。8. 根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述电阻层包括第一电阻层，其形成于第一电极的一部分之上； 第二电阻层，其形成于所述第一电阻层的一部分之上；以及第三电阻层，其形成于所述第二电阻层的一部分之上。9. 根据权利要求8所述的非易失性存储器件，其中， 所述第一电阻层和所述第三电阻层包括含铌(Nb)氧化物。10. 根据权利要求9所述的非易失性存储器件，其中， 所述含铌氧化物包括Nb02和Nb205。11. 根据权利要求8所述的非易失性存储器件，其中， 所述第二电阻层包括含镍(Ni)氧化物或含钛(Ti)氧化物。12. 根据权利要求ll所述的非易失性存储器件，其中， 所述含镍氧化物包括^203和Ni02。13. 根据权利要求ll所述的非易失性存储器件，其中， 所述含钛氧化物包括Ti02。14. 根据权利要求l所述的非易失性存储器件，其中， 所述电阻层包括含有至少两种不同材料的层的层叠物。15. —种制造非易失性存储器件的方法，包括 在半导体基板的一部分之上形成包括第一电极的第一层间绝缘膜；在所述第一层间绝缘膜的一部分之上形成包括接触孔的第二层 间绝缘膜，所述接触孔露出所述第一电极；在所述接触孔的侧壁上形成由多个电阻部分所...
【专利技术属性】
技术研发人员：金台勋，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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