ＳｎＯ２为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种ＳｎＯ↓［２］为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法，所述透明导电薄膜为非晶硅碳、非晶硅氧，所述在ＳｎＯ↓［２］衬底上制备透明导电薄膜的沉积方法为等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积或者甚高频等离子体增强化学气相沉积。本发明专利技术采用与制备微晶硅太阳电池相同的化学气相沉积技术，在制备微晶硅太阳电池制备同时，原位沉积具有高光透过、种子层和保护层功能的微晶硅太阳电池用透明导电薄膜，不需要更换沉积系统，工艺简单且有利于降低成本。

【技术实现步骤摘要】
Sn02为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法
本专利技术涉及薄膜太阳电池领域，尤其是一种应用在Sri02为衬底的微晶硅薄膜 太阳电池用透明导电薄膜的制备方法。
技术介绍
随着人类社会的高速发展，对能源的需求也日益加剧。化石燃料和工业革命 的结合创造了人类历史上辉煌的现在文明，但同时也造成了当代人类发展所面临 的能源危机与环境污染。太阳能用之不竭、取之不尽，因而光伏发电倍受人们瞩 目。实践证明，大规模应用太阳电池的一个关键，就是大幅度的降低成本，发展 薄膜太阳电池是降低成本的一个有效途径。对于硅基薄膜太阳电池来说，薄膜非晶硅(a-Si:H)材料适合作太阳电池的最大 特点是光吸收系数大，具有较高的光敏性，其吸收峰与太阳光谱峰相近，有利于 对太阳光的利用，是极富吸引力的光伏材料。非晶硅(a-Si:H)薄膜太阳电池因其 生长温度低、便于大面积生产、耗材少等优点受到人们的重视并得到迅速发展。 尽管非晶硅是一种很好的太阳电池材料，但是由于其光学带隙为1.7eV左右，使 得材料本身对太阳辐射光谱的长波区域不敏感，限制了非晶硅太阳电池转换效率 的进一步提高，而且非晶硅电池本身所固有的S-W效应，使其稳定性不够理想， 因而限制了其产业化进程。氢化微晶硅薄膜(pc-Si:H)是由微晶粒、晶粒边界、空洞和非晶硅共存的复 相材料组成，相对于非晶硅材料有很高的有序性，微晶硅电池稳定性大大提高， 且微晶硅光学带隙在1.1eV左右，相对于非晶硅，电池响应光谱得到扩展，从0.9iam 扩展到l.lMm，提高太阳电池效率的潜力很大，在新能源领域中成为当前的研究执占o 、、o但同非晶硅太阳电池相比，微晶硅太阳电池所需要的p层材料是微晶硅p，此材料的制备往往需要氢稀释。由于成本因素，Sn02作为衬底材料被广泛应用， 但对于目前商业化的Sn02衬底来说，大量的氢会使Sn02中的Sn被还原，导致材 料的透过率和电学特性劣化，从而影响微晶硅太阳电池的效率。因此，为了实现 Sn02衬底能够应用于微晶硅太阳电池中，需要在沉积微晶硅太阳电池之前在Sn02衬底上预先沉积保护层，此保护层既能起到保护Sn02不被氢还原的作用，同时具 有很好的光透性。目前通过在Sn02表面沉积ZnO或Ti02等透明导电薄膜起到上 述保护层功能，但沉积ZnO或Ti02需要采用溅射或者金属有机物化学气相沉积等 技术，而制备微晶硅电池常用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或热丝化学 气相沉积等技术，制备过程中沉积系统的不同不利于降低成本。
技术实现思路
本专利技术目的旨在为克服现有技术的不足，而提供一种能够提高微晶硅薄膜太 阳电池的电池效率且工艺简单、成本低的Sn02为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透 明导电薄膜的制备方法。本专利技术为实现上述目的，设计了一种Sn02为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透 明导电薄膜的制备方法，所述微晶硅薄膜太阳电池包括Sn02衬底及依次沉积在 Sn02衬底上的透明导电薄膜、P型微晶硅、I型本征微晶硅和N型非晶硅，所述 透明导电薄膜为非晶硅碳、非晶硅氧，所述在Sn02衬底上制备透明导电薄膜的沉 积方法为等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积或者甚高频等离子体增 强化学气相沉积，该制备透明导电薄膜的沉积方法和制备P型微晶硅、I型本征微 晶硅、N型非晶硅的沉积方法相同。本专利技术有益效果是本专利技术采用如等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气 相沉积、甚高频等离子体增强化学气相沉积等与制备微晶硅太阳电池相同的化学 气相沉积技术，在制备微晶硅太阳电池制备同时，原位沉积具有高光透过、种子 层和保护层功能的微晶硅太阳电池用透明导电薄膜，即在Sn02衬底上依次沉积透 明导电薄膜、P型微晶硅、I型本征微晶硅及N型非晶硅具有技术兼容性，可以使 用相同的沉积方法，所以针对不同层材料，沉积过程只需要变换反应气体或宏观 沉积参数，不需要更换沉积系统，工艺简单且有利于降低成本。附图说明图1为本专利技术Sn02为衬底的微晶硅薄膜太阳电池的示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术所述的技术方案进行详细的说明。请参考图l所示，本专利技术Sn02为衬底的微晶硅薄膜太阳电池，包括衬底、透 明导电薄膜、P型微晶硅、I型本征微晶硅、N型非晶硅和背电极，其中该透明导电薄膜具有高光透过、保护Sn02衬底和对随后沉积的P层起到种子层的功能。在 本专利技术实施例中，该透明导电薄膜可为非晶硅碳、非晶硅氧，所使用的衬底是透 明导电Sn02衬底，背电极由金属Ag、 Al、 ZnO等组成。本专利技术在Sn02衬底上制备透明导电薄膜，采用与制备微晶硅太阳电池相同的 沉积技术，例如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、热丝化学气相沉积、甚 高频等离子体增强化学气相沉积等。所使用的气源为以氢稀释的硅烷类气体，甲 烷和二氧化碳为主，以不同的含硼的有机类气体或用惰性气体携带的含硼的液态 化合物作为掺杂剂。下面分别以制备非晶硅碳、非晶硅氧功能材料为例来说明本专利技术Sn02为衬底 的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法。实施例1采用PECVD方法沉积非晶硅碳功能材料作为本专利技术的透明导电薄膜，具体 制备工艺为1、 将Sn02衬底放入PECVD沉积系统中，本底真空高于10'5托；2、 控制反应沉积参数，在Sn02衬底沉积非晶硅碳薄膜；本专利技术中，采用反应气为硅垸、氢气、硼烷、三甲基硼、甲烷、二氧化碳等气体的组合，制备的反应沉积参数如下 反应气体压强O.l托以上； 辉光功率密度10-100毫瓦/平方厘米；衬底表面温度100-300°C;氢稀释硅垸浓度SC= ([SiH4]/([SiH4]+[H2])) °/(^80%; 辉光激励频率13.56MHz-100MHz;含硼气体与硅垸之比(硼掺杂剂浓度)BS《3%。实施例1中制备非晶硅碳较为优选的另一个实施条件如下将衬底置于反应腔室中，反应气中硅烷(氢稀释，浓度为10%) =40SCCM，硼烷(氢稀释，浓度 为5%) =0.8SCCM，甲烷(100。/。4.5SCCM。应腔室中的反应气压保持在65.4Pa， 衬底表面温度保持在225X:，设定辉光功率密度为45毫瓦/平方厘米，辉光激励频率为13.56MHz。沉积1分20秒，所制得的非晶硅氧薄膜20nm，其暗电导率约为 10-6s/cm。实施例1中制备非晶硅碳较为优选的另一个实施条件如下将衬底置于反应腔室中，反应气中硅烷(氢稀释，浓度为10%) =40SCCM，硼垸(氢稀释，浓度 为5%) =0.4SCCM，甲烷(100。/。)-4.5SCCM。应腔室中的反应气压保持在80Pa， 衬底表面温度保持在185°C，设定辉光功率密度为50毫瓦/平方厘米，辉光激励频 率为13.56MHz。沉积1分40秒，所制得的非晶硅氧薄膜25nm，其暗电导率约为 l(T7s/cm。实施例2采用PECVD方法沉积非晶硅氧功能材料作为本专利技术的透明导电薄膜，在此 实施例2中，制备非晶硅氧薄膜和制备非晶硅碳的工艺步骤相同，只是反应沉积 参数不同，故下面仅介绍制备非晶硅氧薄膜的反应沉积参数反应气硅烷、氢气、硼垸、三甲基硼、氧气、二氧化碳等气体的组合； 反应气体压强0.1托以上； 辉光功率密度10 -500毫瓦/平方厘米； 衬底表面温度100-30(TC;氢稀释硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳｎＯ↓［２］为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法，所述微晶硅薄膜太阳电池包括ＳｎＯ↓［２］衬底及依次沉积在ＳｎＯ↓［２］衬底上的透明导电薄膜、Ｐ型微晶硅、Ｉ型本征微晶硅和Ｎ型非晶硅，其特征在于：所述在ＳｎＯ↓［２］衬底上制备透明导电薄膜的沉积方法和制备Ｐ型微晶硅、Ｉ型本征微晶硅、Ｎ型非晶硅的沉积方法相同，该沉积方法采用等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积或者甚高频等离子体增强化学气相沉积。

【技术特征摘要】
1、一种SnO2为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法，所述微晶硅薄膜太阳电池包括SnO2衬底及依次沉积在SnO2衬底上的透明导电薄膜、P型微晶硅、I型本征微晶硅和N型非晶硅，其特征在于所述在SnO2衬底上制备透明导电薄膜的沉积方法和制备P型微晶硅、I型本征微晶硅、N型非晶硅的沉积方法相同，该沉积方法采用等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积或者甚高频等离子体增强化学气相沉积。2、 根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述透明导电薄膜为非晶 硅碳或者...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓丹，赵颖，熊绍珍，耿新华，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]