【技术实现步骤摘要】
Sn02为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法
本专利技术涉及薄膜太阳电池领域，尤其是一种应用在Sri02为衬底的微晶硅薄膜 太阳电池用透明导电薄膜的制备方法。
技术介绍
随着人类社会的高速发展，对能源的需求也日益加剧。化石燃料和工业革命 的结合创造了人类历史上辉煌的现在文明，但同时也造成了当代人类发展所面临 的能源危机与环境污染。太阳能用之不竭、取之不尽，因而光伏发电倍受人们瞩 目。实践证明，大规模应用太阳电池的一个关键，就是大幅度的降低成本，发展 薄膜太阳电池是降低成本的一个有效途径。对于硅基薄膜太阳电池来说，薄膜非晶硅(a-Si:H)材料适合作太阳电池的最大 特点是光吸收系数大，具有较高的光敏性，其吸收峰与太阳光谱峰相近，有利于 对太阳光的利用，是极富吸引力的光伏材料。非晶硅(a-Si:H)薄膜太阳电池因其 生长温度低、便于大面积生产、耗材少等优点受到人们的重视并得到迅速发展。 尽管非晶硅是一种很好的太阳电池材料，但是由于其光学带隙为1.7eV左右，使 得材料本身对太阳辐射光谱的长波区域不敏感，限制了非晶硅太阳电池转换效率 的进一步提高，而且非晶...
【技术保护点】
一种ＳｎＯ↓［２］为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法，所述微晶硅薄膜太阳电池包括ＳｎＯ↓［２］衬底及依次沉积在ＳｎＯ↓［２］衬底上的透明导电薄膜、Ｐ型微晶硅、Ｉ型本征微晶硅和Ｎ型非晶硅，其特征在于：所述在ＳｎＯ↓［２］衬底上制备透明导电薄膜的沉积方法和制备Ｐ型微晶硅、Ｉ型本征微晶硅、Ｎ型非晶硅的沉积方法相同，该沉积方法采用等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积或者甚高频等离子体增强化学气相沉积。
【技术特征摘要】
1、一种SnO2为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法，所述微晶硅薄膜太阳电池包括SnO2衬底及依次沉积在SnO2衬底上的透明导电薄膜、P型微晶硅、I型本征微晶硅和N型非晶硅，其特征在于所述在SnO2衬底上制备透明导电薄膜的沉积方法和制备P型微晶硅、I型本征微晶硅、N型非晶硅的沉积方法相同，该沉积方法采用等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积或者甚高频等离子体增强化学气相沉积。2、 根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述透明导电薄膜为非晶 硅碳或者...
【专利技术属性】
技术研发人员：张晓丹，赵颖，熊绍珍，耿新华，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。