【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳电池领域，尤其是一种改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备 方法。
技术介绍
为了解决现有非晶硅薄膜光伏电池存在的转换效率低和由S-w效应引起的效率衰退等问题，近年来人们开展了微晶硅薄膜光伏电池的研究工作，这是因为微 晶硅薄膜材料相对于非晶硅材料有很高的有序性，是解决硅基薄膜光伏电池稳定 性的有效途径。薄膜微晶硅电池既具有晶体硅电池高效、高稳定的优势，又具有 薄膜电池工艺简单、节省材料的优点，而且微晶硅电池可拓展光谱响应范围，其 提高效率的潜力很大，成为国内外发展的重点，被国际公认为硅薄膜太阳电池的 下一代技术。微晶硅材料能够应用到电池有源层中，除了要有高的沉积速率外，另一个关 键因素是微晶硅材料的质量问题，然而由于微晶硅材料柱状结晶自身带来的固有 结构特性，使得材料易于引入过多的氧和大量的缺陷态，导致所制备的微晶硅材料呈现趋向n型的特征，即导致微晶硅材料不是本征材料，导电类型为电子导电。 目前解决其n型特征的方法主要有使用气体纯化器，来纯化气体降低材料中氧 的含量；长时间的抽真空，提高本底真空度以及提高抽速，以降低氧的进入量、 改善I层薄膜质量；人...
【技术保护点】
一种改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：Ａ、将衬底放在真空腔室内；Ｂ、在衬底上沉积Ｐ层微晶硅薄膜；Ｃ、采用和沉积Ｐ层微晶硅薄膜相同的沉积方法沉积Ｉ层本征微晶硅薄膜，根据Ｐ层微晶硅薄膜沉积后的腔室环境，对随后生长的Ｉ层本征微晶硅薄膜进行硼补偿，控制该Ｉ层本征微晶硅薄膜内硼的浓度在１０↑［１６］ｃｍ↑［－３］～１０↑［１７］ｃｍ↑［－３］量级范围内。
【技术特征摘要】
1、一种改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤A、将衬底放在真空腔室内；B、在衬底上沉积P层微晶硅薄膜；C、采用和沉积P层微晶硅薄膜相同的沉积方法沉积I层本征微晶硅薄膜，根据P层微晶硅薄膜沉积后的腔室环境，对随后生长的I层本征微晶硅薄膜进行硼补偿，控制该I层本征微晶硅薄膜内硼的浓度在1016cm-3～1017cm-3量级范围内。2、 根据权利要求1所述的改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法，其特征 在于所述沉积方法采用等离子增强化学气相沉积或者热丝技术。3、 根据权利要求1或2所述的改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法，其 特征在于所述沉积方法中所用反应气中包括硅烷、氢气、硼烷、三甲基硼，甲...
【专利技术属性】
技术研发人员：张晓丹，赵颖，熊绍珍，耿新华，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]
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