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本发明公开了一种ＳｎＯ↓［２］为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法，所述透明导电薄膜为非晶硅碳、非晶硅氧，所述在ＳｎＯ↓［２］衬底上制备透明导电薄膜的沉积方法为等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积或者甚高频等离子体增强化...
该专利属于南开大学所有，仅供学习研究参考，未经过南开大学授权不得商用。

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