硅基薄膜晶体管及制备方法、有源矩阵装置及制备方法制造方法及图纸

本申请提供了一种硅基薄膜晶体管及制备方法，以及一种薄膜晶体管有源矩阵装置及制备方法，用以减小悬空式薄膜晶体管的膜层表面残余的应力，使得薄膜晶体管的膜层表面平整，从而提高该薄膜晶体管的性能，本申请提供的一种硅基薄膜晶体管包括：硅基底、薄膜微桥和至少一个薄膜晶体管；其中，所述硅基底具有至少一个微腔，每一所述微腔使得位于该微腔上的所述薄膜微桥悬空；所述薄膜微桥设置在所述硅基底上方，且悬空于每一所述微腔上的薄膜微桥包括：平面结构的中心区域和位于该中心区域周围的波纹状结构的周边区域；每一所述薄膜晶体管设置在每一所述薄膜微桥的中心区域上方。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及微电子
，特别是涉及一种硅基薄膜晶体管及制备方法、薄膜晶体管有源矩阵装置及制备方法。
技术介绍
薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)是场效应晶体管的一种，大略的制作方式是在基底上沉积各种不同的薄膜，如半导体有源层、介电层和金属电极层。目前，薄膜晶体管由于其材料价格低廉、材料来源广泛、以及自身优异的性能使其在传感器方面的发展和应用引起了人们广泛的关注。其中，硅基薄膜晶体管由于与集成电路(Integrated Circuit,IC)具有很好的兼容性，因此，便于组成微系统，能方便地实现小型化、低成本和高性能的传感探测，例如气体浓度传感、温度传感、红外探测传感等，但是如何巧妙地制作能满足传感需求的特殊结构的薄膜晶体管仍然有待探索。为了提高对要探测的环境因素响应的灵敏度，现有技术中研制了一种悬空式的硅基薄膜晶体管，但该悬空式的硅基薄膜晶体管存在悬空式薄膜晶体管的膜层表面残余的应力大的问题，使得薄膜晶体管的膜层可能发生褶皱变形，从而影响该薄膜晶体管的性能。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种硅基薄膜晶体管及制备方法，以及一种薄膜晶体管有源矩阵装置及制备方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅基薄膜晶体管，其特征在于，该硅基薄膜晶体管包括：硅基底、薄膜微桥和至少一个薄膜晶体管；其中，所述硅基底具有至少一个微腔，每一所述微腔使得位于该微腔上的所述薄膜微桥悬空；所述薄膜微桥设置在所述硅基底上方，且悬空于每一所述微腔上的薄膜微桥包括：平面结构的中心区域和位于该中心区域周围的波纹状结构的周边区域；每一所述薄膜晶体管设置在每一所述薄膜微桥的中心区域上方。

【技术特征摘要】
1.一种硅基薄膜晶体管，其特征在于，该硅基薄膜晶体管包括：硅基底、薄膜微桥和至少一个薄膜晶体管；其中，所述硅基底具有至少一个微腔，每一所述微腔使得位于该微腔上的所述薄膜微桥悬空；所述薄膜微桥设置在所述硅基底上方，且悬空于每一所述微腔上的薄膜微桥包括：平面结构的中心区域和位于该中心区域周围的波纹状结构的周边区域；每一所述薄膜晶体管设置在每一所述薄膜微桥的中心区域上方。2.根据权利要求1所述的硅基薄膜晶体管，其特征在于，所述波纹状结构为圆环形波纹状结构。3.根据权利要求1或2所述的硅基薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括依次层叠在所述薄膜微桥的中心区域上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极和钝化层，其中，所述源极与所述漏极同层设置。4.根据权利要求1或2所述的硅基薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜微桥包括二氧化硅膜层。5.一种薄膜晶体管有源矩阵装置，其特征在于，包括权利要求1～4任一权项所述的硅基薄膜晶体管。6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，该装置还包括：永磁体基板和至少一个平面螺线圈；其中，所述硅基薄膜晶体管通过所述硅基底与所述永磁体基板相对盒，每一所述平面螺线圈设置在每一所述微腔上的薄膜微桥的中心区域下方。7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述平面螺线圈的材料为纳米银。8.根据权利要求6或7所述的装置，其特征在于，所述永磁体基板包括：第一基底、种子层和至少一块永磁体；其中，所述种子层设置在所述第一基底上方；所述永磁体设置在所述种子层上方，并朝向所述平面螺线圈，每一所述永磁体的位置与每一所述平面螺线圈的位置相对应。9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述种子层的材料为铜或铬。10.一种硅基薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该方法包括：在硅基底正面上形成薄膜微桥；在所述薄膜微桥上形成至少一个薄膜晶体管；...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫奎，李贺飞，王铖铖，李纪龙，董必良，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11