具有固溶体层的电阻式随机存取存储器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种具有固溶体层的电阻式随机存取存储器（ＲＲＡＭ）以及该ＲＲＡＭ的制造方法。ＲＲＡＭ包括：下电极；固溶体层，在下电极上；阻抗层，在固溶体层上；上电极，在阻抗层上。该ＲＲＡＭ的制造方法包括：形成下电极；在下电极上形成固溶体层；在固溶体层上形成阻抗层；在阻抗层上形成上电极，其中，固溶体层由过渡金属固溶体形成。

【技术实现步骤摘要】

示例实施例涉及一种具有固溶体层(solid solution layer)的电阻式随机存 耳又存卡者器(resistive random access memory, RRAM)及其制造方法。其它示 例实施例涉及一种RRAM，该RRAM具有在电极与阻抗层(resistive layer) 之间的过渡金属固溶体层，以稳定RRAM的电压变化和阻抗(resistance )变化。
技术介绍
通常，半导体存储器阵列结构包括存储器单元，所述存储器单元相互连 接。代表半导体存储器的动态随机存取存储器(DRAM)的每个传统的存储 器单元包括开关和电容器。DRAM表现出高的集成度和快的运算速度。如果 从DRAM去除电源，那么所有存储的数据被从DRAM中擦除。闪存(flashmemory)代表能够在去除电源后保护存储的数据不被擦除的 非易失性存储器。闪存具有与易失性存储器不同的非易失性特性。与DRAM 相比，闪存的集成度较低且运算速度较慢。已研究的非易失性存储器的示例包括磁性RAM (MRAM)、铁电RAM (FRAM)、相变RAM (PRAM)等。MRAM和FRAM已成为近来研究的焦点。MRAM根本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻式随机存取存储器，包括：　　　　下电极；　　　　固溶体层，在下电极上；　　　　阻抗层，在固溶体层上；　　　　上电极，在阻抗层上。

【技术特征摘要】
KR 2006-11-16 10-2006-01133851、一种电阻式随机存取存储器，包括下电极；固溶体层，在下电极上；阻抗层，在固溶体层上；上电极，在阻抗层上。2、 如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中，固溶体层由过渡 金属固溶体形成。3、 如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中，阻抗层由过渡金 属氧化物形成。4、 如权利要求3所述的电阻式随机存取存储器，其中，过渡金属氧化物 包4舌/人由NiO、 TiO、 HfO、 ZrO、 ZnO、 WO、 CoO、 CuO、 NbO、 TiNiO、 LiNiO、 AIO、 InZnO、 VO、 SrZrO、 SrTiO、 CrO、 FeO、 TaO及它们的组合 组成的组中选4奪的至少 一种。5、 如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中，固溶体层包括从 由A1、 Hf、 Zr、 Zn、 W、 Co、 Au、 Pt、 Ru、 Ir、 Ti及它们的组合组成的组中 选择的至少一种。6、 如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中，通过将阻抗层的 过渡金属固化到下电极上的过渡金属中来形成固溶体层。7、 如权利要求6所述的电阻式随机存取存储器，其中，下电极上的过渡 金属是从由A1、 Hf、 Zr、 Zn、 W、 Co、 Au、 Pt、 Ru、 Ir、 Ti及它们的组合组 成的组中选冲奪的至少一种。8、 如权利要求6所述的电阻式随机存取存储器，其中，阻抗层的过渡金 属为N...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明宰，朴泳洙，郑兰株，徐顺爱，金东徹，安承彦，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]