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本发明公开了一种具有固溶体层的电阻式随机存取存储器（ＲＲＡＭ）以及该ＲＲＡＭ的制造方法。ＲＲＡＭ包括：下电极；固溶体层，在下电极上；阻抗层，在固溶体层上；上电极，在阻抗层上。该ＲＲＡＭ的制造方法包括：形成下电极；在下电极上形成固溶体层；在固...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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