【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及刻蚀技术，特别涉及一种可提高同 一晶圆上栅极凹槽均匀性的 刻蚀方法。
技术介绍
为节约成本及方便工艺加工，通常在一个晶圆上同时加工尽可能多的半导体器件，在制造功率M0S管时，需通过等离子刻蚀刻蚀出栅极凹槽，刻蚀步骤 包括第一阶段刻蚀和第二阶段刻蚀，其中，第一阶段刻蚀的工艺参数为四氟 化碳流量为150标况毫升每分，氧气流量为60标况毫升每分，射频功率为700 瓦，刻蚀压力为40帕斯卡，刻蚀时间为80秒，第二阶段刻蚀的工艺参数为 四氟化碳流量为IOO标况毫升每分，氧气流量为IOO标况毫升每分，射频功率 为700瓦，刻蚀压力为30帕斯卡，刻蚀时间为80秒。直径为200毫米的晶圆在完成上述第一和第二阶^a刻蚀后，测得晶圓中心的栅极凹槽深度为280埃，边缘的栅极凹槽为680埃，其远远超出了栅极凹槽 深度均匀性控制在5%内的工艺要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供 一 种可提高同 一 晶圆上栅极凹槽均匀性的刻蚀方 法，通过所述刻蚀方法可大大提高同 一 晶圆上的栅极凹槽的均匀性。本专利技术的目的是这样实现的 一种可提高同一晶圆上栅极凹槽均匀性的刻 烛方法，...
【技术保护点】
一种可提高同一晶圆上栅极凹槽均匀性的刻蚀方法，该方法包括第一阶段刻蚀以及第二阶段刻蚀，其特征在于，在第二阶段刻蚀中，四氟化碳流量范围为２５０至３５０标况毫升每分，射频功率范围为３００至５００瓦。
【技术特征摘要】
1、一种可提高同一晶圆上栅极凹槽均匀性的刻蚀方法，该方法包括第一阶段刻蚀以及第二阶段刻蚀，其特征在于，在第二阶段刻蚀中，四氟化碳流量范围为250至350标况毫升每分，射频功率范围为300至500瓦。2、 如权利要求1所述的可提高同一晶圆上栅极凹槽均匀性的刻蚀方法，其 特征在于，在第一阶段刻蚀中，四氟化碳流量为150标况毫升每分，氧气流量 为60标况毫升每分，射频功率为700瓦。...
【专利技术属性】
技术研发人员：石小兵，黄晶，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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