温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种可提高同一晶圆上栅极凹槽均匀性的刻蚀方法。现有技术刻蚀形成栅极凹槽时第二刻蚀阶段中采用过低的四氟化碳流量和过高的射频功率致使同一晶圆中心和边缘的栅极凹槽深度极其不均匀。本发明的可提高同一晶圆上栅极凹槽均匀性的刻蚀方法包括第一阶...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。