半导体装置、电子系统、存储卡以及使引线绝缘的方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体装置、电子系统、存储卡以及使引线绝缘的方法。包括在集成电路装置中的引线可具有形成在其上的分隔绝缘结构。引线上的分隔绝缘结构可围绕引线相应的剖面部分，所述分隔绝缘结构可用作“隔开件”以防止直接相邻的引线（或其他相邻组件）短路在一起，从而允许减少与引线（或其他组件）之间的节距减小的装置有关的缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及半导体领域，更具体地说，涉及半导体布线及相关方法。
技术介绍
随着电路变得更高度地集成，缩短了用于在芯片和基底(在其上安装有芯 片)之间传导信号的引线之间的间距(即，节距(pitch))。可^v装置封装件外部提 供信号或将信号提供到装置封装件外部，所述装置封装件容纳有和基底一起 的集成电路芯片。作为封装工艺的一部分，可用成型工艺(molding process)处理基底(具有 安装在其上的芯片和连接二者的引线)，所述成型工艺用于将集成电路和基底 包封在装置封装件中。由于引线之间的节距可以是小的，所以成形工艺会导 致一些引线彼此接触(或与基底接触)，这会产生电短路。这种现象有时被称为 引线偏移(wire sweeping)。一种解决引线偏移的方法是在制造集成电路装置的过程中用电介质材料 涂覆引线。在例如JP 2004-282021和第6822340号美国专利中描述了引线的 涂覆。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例可提供包括在引线上的分隔绝缘结构的半导体装置 及其形成方法。根据这些实施例，包括在集成电路装置中的引线可具有形成 在其上的分隔绝缘结构。引线上的分隔绝缘结构可围绕引线相应的剖面部分， 所述分隔绝缘结构可用作隔开件(stand off)以防止直接相邻的引线(或其他 相邻组件)短路在一起，从而允许减少与引线(或其他组件)之间节距减小的装置有关的缺陷。在根据本专利技术的一些实施例中，分隔绝血彖结构可具有基本呈 球形的外部形状。在根据本专利技术的其他实施例中，分隔绝缘结构可具有基本 呈椭圆形的外部形状。在根据本专利技术的另外的实施例中，分隔绝缘结构之间 的间距可基本相等，此外，引线的位于分隔绝缘结构之间的暴露部分也可基 本相等。附图说明图1是示意性地表示在根据本专利技术的一些实施例中的包括安装在基底上 并通过引线彼此电连接的芯片的集成电路装置的剖视图，所述引线具有在其 上形成的分隔绝缘结构。图2是示意性地表示在根据本专利技术的一些实施例中的包括在集成电路基 底上堆叠两个不同大小的芯片的集成电路装置的剖视图，所述芯片通过引线 电连接到基底，所述引线具有在其上形成的分隔绝缘结构。图3是示意性地表示在根据本专利技术的一些实施例中的包括在集成电路基底上堆叠的相同尺寸的芯片的集成电路装置的剖视图，所述芯片通过引线电 连接到基底，所述引线具有在其上形成的分隔绝缘结构。图4是示意性地示出在根据本专利技术的一些实施例中的包括在集成电路基 底上堆叠的两个相同尺寸的芯片的集成电路装置的剖视图，所述芯片通过引 线电结合到基底，所述引线具有在其上形成的分隔绝缘结构。图5是示意性地表示在根据本专利技术的一些实施例中的包括在集成电路基 底上堆叠的两个相同尺寸的芯片的集成电路装置的剖视图，所述芯片通过引 线电连接到基底，所述引线具有在其上的分隔绝缘结构。图6是在根据本专利技术的一些实施例中的将芯片电连接到集成电路基底并 具有在其上形成的分隔绝缘结构的引线的照片。图7是图6中所示的引线的近视图，更具体地示出了在根据本专利技术一些 实施例中的分隔绝缘结构。图8示意性地表示了在根据本专利技术的一些实施例中具有基本上呈球形剖 面的分隔绝缘结构。图9示意性地表示了在根据本专利技术的一些实施例中的具有基本上呈椭圓 形剖面的分隔绝缘结构。.图IOA和图IOB是在根据本专利技术的一些实施例中的分隔绝缘结构的具有基本上呈环形的球形和椭圆形剖面的剖视图。图11示意性地表示了在根据本专利技术的一些实施例中的多组引线，其中， 与组之间的间距相比，特定组中的每条引线被狭窄地彼此分开，并具有形成 在该组中的引线上的分隔绝缘结构。图12示意性地表示了在根据本专利技术的一些实施例中的彼此基本等间距 地分开的引线，所述引线具有围绕每条引线的剖面部分的单个分隔绝缘结构。图13示意性地表示了在根据本专利技术的一些实施例中的引线，所述引线具 有在其上形成的分隔绝缘结构，使得形成在直接相邻的引线上的分隔绝缘结 构形成之字形图案。图14示意性地表示了在根据本专利技术的一些实施例中的包括其中具有引线的存储装置的存储卡，所述引线具有在其上形成的分隔绝缘结构。图15示意性地表示了在根据本专利技术的一些实施例中的包括具有形成在 其中的引线的存储装置的电子系统，所述引线具有在其上形成的分隔绝缘结构。图16至图18是示意性地示出在根据本专利技术的一些实施例中在其中所包 括的引线上形成分隔绝缘结构的方法的剖视图。图19是示出在根据本专利技术的一些实施例中的与能用来提供分隔绝缘结 构的绝缘材料有关的示例性值的表格。图20是在根据本专利技术的一些实施例中的具有在其上形成的分隔绝缘结 构的引线的照片。图21是在根据本专利技术的一些实施例中的图20的具有在其上形成的分隔 绝缘结构的引线的更详细的视图。图22是在根据本专利技术的一些实施例中的在集成电路装置中具有在其上 形成的分隔绝缘结构的引线的剖面的照片。图23是示出在根据本专利技术的一些实施例中的分隔绝缘结构的外部形状 的照片。图24是示出在根据本专利技术的一些实施例中的分隔绝缘结构的外部形状 的照片。具体实施例方式下面将参照附图更充分地描述本专利技术，在附图中以示例的方式示出了本专利技术的实施例。然而，本专利技术可以以许多不同的形式来实施，而且不应理解 为局限于在此阐述的示例实施例。相反，提供这些示例实施例使得本公开将 是彻底和完全的，且将把本专利技术的范围充分地传达给本领域的技术人员。此应该理解的是，当元件被称为连接到、结合到或响应于(和/或其变 化形式)另一元件时，该元件可以直接连接到、直接结合到或直接响应于另一 元件，或者可以存在中间元件。相反，当元件被称为直4妾连接到、直接结 合到或直接响应于(和/或其变化形式)另一元件时，不存在中间元件。相同 的标号始终表示相同的元件。如在这里使用的，术语和/或包括一个或多 个相关所列项的任意组合和所有组合，并且可以被缩写为/。应该理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二、第三等来描述不同 的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部 分不应该受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、 层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离 本专利技术的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被 命名为第二元件、组件、区域、层或部分。这里使用的术语仅为了描述特定实施例的目的，而不意图限制本专利技术。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单^:形式也意图包括复数形式。还应理解的是，当在本说明书中使用术语包含和/或包括(和/ 或其变化形式)时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件， 但不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件 和/或它们的组。相反，当在本说明书中使用术语由…组成(和/或其变化形 式)时，说明确定数量的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，并排除附 加的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件。除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语) 具有与本专利技术所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还应 理解的是，除非这里明确定义，否则术语(例如在通用的字典中定义的术语) 应该被解释为具有与相关领域的环境中它们的意思一致的意思，而不将理想 地或者过于正式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：基底，在半导体装置中；芯片，在基底上；引线，电结合到芯片；多个分隔绝缘结构，在引线上并围绕引线相应的剖面部分。

【技术特征摘要】
KR 2007-6-4 10-2007-0054639;US 2008-4-17 12/105,111、一种半导体装置，包括基底，在半导体装置中；芯片，在基底上；引线，电结合到芯片；多个分隔绝缘结构，在引线上并围绕引线相应的剖面部分。2、 如权利要求l所述的装置，其中，引线的位于所述多个分隔绝缘结构 中的直接相邻的分隔绝缘结构之间的部分在分隔绝缘结构之外。3、 如权利要求l所述的装置，其中，分隔绝缘结构的剖面部分包括环形形状。4、 如权利要求1所述的装置，其中，分隔绝缘结构包括这样的形状，即， 在所述形状中心的直径比邻近所述形状边缘的直径大。5、 如权利要求1所述的装置，其中，分隔绝缘结构包括球形的外部形状。6、 如权利要求l所述的装置，其中，分隔绝缘结构包括椭圆形的外部形状。7、 如权利要求l所述的装置，其中，多个分隔绝缘结构沿引线以相等的 间隔隔开，所述间隔在分隔绝缘结构之间限定引线的相等的暴露部分。8、 如权利要求l所述的装置，其中，多个分隔绝缘结构的剖面中心处的 厚度相等。9、 如权利要求l所述的装置，其中，所述引线包括第一引线，所述装置 还包括第二引线，与第一引线直接相邻，其中，多个分隔绝缘结构中的每个在 第 一和第二引线相邻的剖面部分上，并围绕所述相邻的剖面部分。10、 如权利要求9所述的装置，其中，第一和第二引线包括一组引线， 包括在所述组内的引线之间的间距比所述组和直接相邻的引线组之间的间距11、 如权利要求1所述的装置，其中，所述引线包括一条引线，所述一 条引线包括在多条引线中，所述装置还包括在多条引线中的每条引线上的相应的多个分隔绝缘结构，其中，直接相 邻的引线的被围绕的剖面部分彼此偏移。12、 如权利要求l所述的装置，其中，所述芯片包括第一芯片，所述装置还包括第二芯片，在装置中并位于第一芯片上；第二引线，直接在第一引线上方电结合到第二芯片，其中，第一引线和 第二引线均包括分别围绕第一和第二引线的剖面部分的相应的多个分隔绝缘 结构。13、 如权利要求12所述的装置，其中，利用凸点正向工艺或凸点反向工 艺使第 一 引线结合在第 一芯片和基底之间，并使第二引线结合在第二芯片和 基底之间。14、 一种电子系统，包括处理器，被构造成调整电子系统的操作；系统接口，电结合到处理器，系统接口被构造成在处理器和外部系统之 间提供通信；存储器，电结合到处理器，包括至...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘哲准，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]