半导体封装件及其制法制造技术

一种半导体封装件的制法，包括：　提供一载板且于该载板上形成有多个金属块；　于该载板上形成包覆该金属块的金属层；　将至少一半导体芯片电性连接至该金属层；　于该金属载板上形成包覆该半导体芯片的封装胶体；　移除该载板及金属块，藉以相对在该封装胶体表面形成有多个的凹槽，从而外露出该凹槽内的金属层；以及　于该凹槽中植设导电元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体封装件及其制法，特别涉及一种毋需承载 件的半导体封装件及其制法。
技术介绍
传统以导线架作为芯片承载件的半导体封件的型态及种类繁多，就四边扁平无导脚(Quad Flat Non-leaded, QFN)半导体封装件而言， 其特征在于未设置有外导脚，即未形成有如现有四边形平面(Quad Flat package, QFP)半导体封装件中用以与外界电性连接的外导脚，如此， 将得以縮小半导体封装件的尺寸。然而伴随半导体产品轻薄短小的发展趋势，传统导线架的QFN封 装件往往因其封装胶体厚度的限制，而无法进一步縮小封装件的整体 高度，因此，业界便发展出一种无承载件(carrier)的半导体封装件， 通过减低公知的导线架厚度，以令其整体厚度得以较传统导线架式封 装件更为轻薄。请参阅图1，为美国专利第5， 830， 800号所公开的无承载件的半导 体封装件，该半导体封装件主要先于一铜板(未图示)上形成多个电镀 焊垫(Pad)12，接着，再于该铜板上设置芯片13并通过焊线14电性连 接芯片13及电镀焊垫12，复进行封装模压制程以形成封装胶体15， 然后再蚀刻移除该铜板以使电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件的制法，包括：　提供一载板且于该载板上形成有多个金属块；　于该载板上形成包覆该金属块的金属层；　将至少一半导体芯片电性连接至该金属层；　于该金属载板上形成包覆该半导体芯片的封装胶体；　移除该载板及金属块，藉以相对在该封装胶体表面形成有多个的凹槽，从而外露出该凹槽内的金属层；以及　于该凹槽中植设导电元件。

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件的制法，包括提供一载板且于该载板上形成有多个金属块；于该载板上形成包覆该金属块的金属层；将至少一半导体芯片电性连接至该金属层；于该金属载板上形成包覆该半导体芯片的封装胶体；移除该载板及金属块，藉以相对在该封装胶体表面形成有多个的凹槽，从而外露出该凹槽内的金属层；以及于该凹槽中植设导电元件。2. 根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其中，该金属块 及金属层的制法包括提供一金属材料的金属载板，藉以于该金属载板上覆盖第一阻层， 并令该第一阻层形成有多个第一开口 ；进行电镀制程，以于该第一开口中形成金属块； 移除该第一阻层；于该金属载板上覆盖第二阻层，并令该第二阻层形成有第二开口 以外露出该金属块，其中该第二开口尺寸大于该第一开口尺寸；进行电镀制程，于该第二开口中形成金属层，并使该金属层包覆 该金属块；以及移除该第二阻层。3. 根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其中，该金属层 定义出后续供与半导体芯片电性连接的导脚位置及供接置半导体芯片 的芯片座位置。4. 根据权利要求3所述的半导体封装件的制法，其中，该对应接 置于导脚位置上的金属层的导电元件是供传输半导体芯片信号，而对 应接置于该芯片座位置上的金属层的导电元件是供半导体芯片接地或 导热功能。5. 根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其中，该半导体 芯片于制程中是置于该金属层或载板上。6. 根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其中，该金属层为金(Au) /钯(Pd) /镍(Ni) /钯(Pd)、金(Au) /镍(Ni) /金(Au)、及金(Au) / 铜(Cu)/金(Au)的其中一者。7. 根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其中，该金属块 呈多重柱状，并形成有包覆该呈多重柱状的金属块外表面的金属层。8. 根据权利要求7所述的半导体封装件的制法，其中，该金属块 及金属层的制法包括提供一金属材料的金属载板，藉以于该金属载板上覆盖第一阻层， 并令该第一阻层形成有多个第一开口 ，该第一开口是由多个小尺寸的 开孔所构成；进行电镀制程，以于构成该第一开口的多个开孔中形成导电柱， ...

【专利技术属性】
技术研发人员：李春源，洪孝仁，林宥纬，张锦煌，赖正渊，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71