凸块结构制造技术

本发明专利技术公开一种凸块结构，包括至少一接垫、至少一第一高分子凸块、至少一第二高分子凸块以及导电层。接垫配置于基板上。第一高分子凸块配置于基板上。第二高分子凸块配置于基板上，且连接于第一高分子凸块。导电层覆盖第一高分子凸块，并与接垫电性连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种弹性凸块(compliant-bump)，且特别涉及一种通过增加凸 块的底部面积以增加其结构强度的弹性凸块。
技术介绍
在显示器产业的快速发展下，平板显示器(flat-panel display)技术快速地 朝向更高品质特性演进。 一方面显示器的影像分辨率不断地提高， 一方面产 品的模块尺寸也不断地朝更轻薄短小的方向迈进。配合的封装技术也由管芯 -电路板接合技术(Chip On Board, COB )转变为软片自动贴合技术(Tape Automated Bonding, TAB),再演进为现今的微间距(fine pitch )的管芯-玻璃 接合技术(Chip On Glass, COG)。目前常见的管芯-玻璃接合技术通常以各向异性导电膜(An-isotropic Conductive Film, ACF )作为芯片与玻璃基板之间电性连接的媒介。而各向异 性导电膜主要是利用其所含的导电颗粒与芯片的金凸块及玻璃基板的金属 垫片接触而达到电路导通的功能。然而，当两邻接接脚间距(pitch)缩小到20 微米以下时，两相邻接脚之间易产生漏电或短路的现象。因此，便有人提出 利用非导电膜作为芯片与玻璃基板间接合的媒介，以解决因ACF中导电颗 粒所造成的漏电或短路的问题。当两邻接接脚间距缩小的同时，必须缩小弹性凸块的面积；然而，当弹 性凸块的面积缩小时，会降低凸块与基板之间的接着力，导致弹性凸块发生 断裂或剥离的情形，进而降低其产品的成品率。美国专利第5,877,556号中披露一种凸块结构，其是在基板上形成长条 状的高分子凸块，之后，再在高分子凸块上形成多个条状的导电层，各导电 层电性连接至相对应的接垫。然而，由于整个长条状的高分子凸块其顶部面 积太大，在进行倒装焊接合时需施加较大的压力才能使凸块导通。且胶材固 化后的反弹力也比较大，易使芯片与玻璃基板之间的凸块裂开。此外，在进 行倒装焊接合时，胶材会净线限于四条高分子凸块内，形成很大的内压力，故需要施加相当大的压合力量(bonding force)才能使接点接触导通，且亦有不 易排胶的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种凸块结构，此凸块结构是在高分子凸块的外围额外设置 辅助高分子凸块，以增加弹性凸块底部的面积，进而提升弹性凸块与基板间 的接着力。如此，当弹性凸块的面积缩小时，即可避免弹性凸块发生断裂或 剥离的情形，以提升其成品率。本专利技术提供一种凸块结构，适用于具有保护层的芯片。其主要是在基板 上形成高分子保护层(protection layer)时，同时在每个接垫上形成相对应的高 分子凸块。如此，高分子保护层不仅具有保护元件的功能，且亦可加强高分 子凸块的结构强度，使其不易断裂或由基板上剥离。本专利技术提出一种凸块结构，包括至少一接垫、至少一第一高分子凸块、 至少一第二高分子凸块以及导电层。接垫配置于基板上。第一高分子凸块配 置于基板上。第二高分子凸块配置于基板上，且连接于第一高分子凸块。导 电层覆盖第一高分子凸块，并与接垫电性连接。在本专利技术的一实施例中，第一高分子凸块位于接垫之外、部分位于接垫 上或完全位于接垫上。在本专利技术的一实施例中，第二高分子凸块连接于第一高分子凸块的任一 侧或两侧以上或其外围。在本专利技术的一实施例中，第二高分子凸块连接相邻两个或两个以上的第 一高分子凸块。在本专利技术的一实施例中，第二高分子凸块的高度是小于或等于第一高分 子凸块的高度。在本专利技术的一实施例中，第二高分子凸块与第一高分子凸块间的衔接处 具有沟槽或多个孔洞。在本专利技术的 一 实施例中，导电层是全部覆盖第 一 高分子凸块或局部覆盖 第一高分子凸块。在本专利技术的 一 实施例中，导电层是全部覆盖第二高分子凸块或局部覆盖 或不覆盖第二高分子凸块。在本专利技术的一实施例中，此凸块结构还包括保护层，配置于基板上，以暴露出上述接垫。本专利技术另提出一种凸块结构，包括至少一接垫、至少一第一高分子凸块、 高分子保护层以及导电层。接垫配置于基板的表面上。此第一高分子凸块配 置于基板的表面上。高分子保护层覆盖于基板的表面上，且连接于第一高分 子凸块，其中第一高分子凸块与高分子保护层是由同一膜层所组成。导电层 覆盖第一高分子凸块，并与接垫电性连接。在本专利技术的一实施例中，第一高分子凸块位于该接垫之外、部分位于该 接垫上或完全位于该接垫上。在本专利技术的一实施例中，导电层覆盖第一高分子凸块且延伸至部分高分 子保护层上。在本专利技术的一实施例中，第一高分子凸块配置于高分子保护层之上，导 电层覆盖部分的高分子保护层及第一高分子凸块，且与接垫电性连接。在本专利技术的 一实施例中，高分子保护层与第 一 高分子凸块间的衔接处具 有沟槽或多个孔洞。在本专利技术的一实施例中，此凸块结构还包括第二高分子凸块，配置于高 分子保护层上，且连接于第一高分子凸块。在本专利技术的一实施例中，第二高分子凸块连接于第一高分子凸块的任一 侧或两侧以上或其外围。在本专利技术的一实施例中，第二高分子凸块连接相邻两个或两个以上的第 一高分子凸块。在本专利技术的一实施例中，第二高分子凸块的高度是小于或等于第一高分 子凸块的高度。在本专利技术的一实施例中，第二高分子凸块与第一高分子凸块间的衔接处 具有沟槽或多个孔洞。在本专利技术的一实施例中，此凸块结构还包括保护层，配置于基板上，以 暴露出上述接垫。在本专利技术的凸块结构中，其主要是利用连接于第一高分子凸块的外围的 第二高分子凸块作为辅助凸块，以增加弹性凸块底部的面积，进而增加弹性凸块与基板之间的接着力。如此，当弹性凸块的面积缩小时，即可避免弹性 凸块发生断裂或剥离的情形，以提升其成品率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。 附图说明图1绘示为根据本专利技术的第一实施例的一种凸块结构的俯视示意图。图2A 2F分别为沿图i中的i-i、 n-n、 m-ni、 iv-iv、 v-v、 vi-vi剖面线所绘的剖面示意图。图2G绘示为在图2A中所示的第一高分子凸块与第二高分子凸块之间 形成凹槽的剖面示意图。图2H绘示为在图2A中所示的第一高分子凸块与第二高分子凸块之间 形成导角的剖面示意图。图3绘示为根据本专利技术的第二实施例的一种凸块结构的俯视示意图。图4A 4F分别为沿图3中的i-i、 ii-ii、 iii-iii、 iv-iv、 v-v、 vi-vi剖 面线所绘的剖面示意图。图5绘示为根据本专利技术的第三实施例的一种凸块结构的俯视示意图。图6A 6D分别为沿图5中的i-i、 n-n、 m-in、 iv-iv剖面线所绘的剖面示意图。图7绘示为根据本专利技术的第四实施例的一种凸块结构的俯视示意图。图8A 8D分别为沿图7中的i-i、 n-n、 m-ni、 iv-iv剖面线所绘的剖面示意图。图9绘示为根据本专利技术的第五实施例的一种凸块结构的俯视示意图。图10A iOD分别为沿图9中的i國i、 n-n、 ni國ni、 iv-iv剖面线所绘的剖面示意图。图11绘示为根据本专利技术的第六实施例的一种凸块结构的俯视示意图。图12A 12D分别为沿图11中的I-I、 n-n、 m-ni、 IV-IV剖面线所绘的剖面示意图。 附图标记说明100:基板 102:保护层 110:接垫120、 220、 320、 420、 520、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种凸块结构，包括：　至少一接垫，配置于基板上；　至少一第一高分子凸块，配置于该基板上；　至少一第二高分子凸块，配置于该基板上，且连接于该第一高分子凸块；以及　导电层，覆盖该第一高分子凸块，并与该接垫电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种凸块结构，包括至少一接垫，配置于基板上；至少一第一高分子凸块，配置于该基板上；至少一第二高分子凸块，配置于该基板上，且连接于该第一高分子凸块；以及导电层，覆盖该第一高分子凸块，并与该接垫电性连接。2. 如权利要求1所述的凸块结构，其中该第一高分子凸块位于该接垫之 外、部分位于该接垫上或完全位于该接垫上。3. 如权利要求1所述的凸块结构，其中该第二高分子凸块连接于该第一 高分子凸块的任一侧或两侧以上或其外围。4. 如权利要求1所述的凸块结构，其中该第二高分子凸块连接相邻两个 或两个以上的第一高分子凸块。5. 如权利要求1所述的凸块结构，其中该第二高分子凸块的高度是小于 或等于该第一高分子凸块的高度。6. 如权利要求1所述的凸块结构，其中该第二高分子凸块与该第一高分 子凸块间的移f接处具有沟槽或多个孔洞。7. 如权利要求1所述的凸块结构，其中该导电层是全部或局部覆盖该第 一高分子凸块。8. 如权利要求1所述的凸块结构，其中该导电层是全部或局部覆盖该第 二高分子凸块。9. 如权利要求1所述的凸块结构，还包括保护层，配置于该基板上，并 暴露出该4妄垫。10. —种凸块结构，包括 至少一接垫，配置于基板的表面上； 至少一第一高分子凸块，配置于该基板的该表面上； 高分子保护层，覆盖于该基板的该表面上，且连接于该第一高分子凸块，其中该第一高分子凸块与该高分子保...

【专利技术属性】
技术研发人员：张世明，曾毅，高国书，
申请(专利权)人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会，中华映管股份有限公司，友达光电股份有限公司，瀚宇彩晶股份有限公司，奇美电子股份有限公司，财团法人工业技术研究院，统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]