接点结构以及接合结构制造技术

本发明专利技术公开了一种接点结构以及接合结构。该接点结构包括接垫、高分子凸块以及图案化导电层。上述接垫以及高分子凸块是位于基板上。上述图案化导电层是位于高分子凸块上且与接垫电性连接，其中图案化导电层覆盖高分子凸块的一部分且暴露出高分子凸块的另一部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种接点结构以及接合结构，且特别涉及一种降低应力集中 的接点结构以及使用此接点结构的接合结构。
技术介绍
随着科技进步，各种电子装置朝向小型化及多功能化的方向发展。因此 为了使电子装置中的芯片能传输或接收更多的信号，电性连接于芯片与线路 板之间的接点也朝向高密度化的方向发展。在已知技术中，电性连接芯片与玻璃基板的方法多为先在芯片的接点与玻璃基板的导电结构之间配置各向异性导电膜(Anisotropic Conductive Film, ACF)，且芯片的接点与玻璃基板的导电结构皆面向各向异性导电膜。然后， 压合芯片的接点、各向异性导电膜与玻璃基板的导电结构，以通过各向异性 导电膜中的导电颗粒电性连接芯片的每一接点与玻璃基板上与前述接点对 应的导电结构。然而，当芯片的接点密度以及玻璃基板的导电结构的密度增加时，芯片 的接点之间的间距以及玻璃基板的导电结构之间的间距皆缩小。因此，芯片 的接点通过各向异性导电膜中的导电颗粒将有可能会与邻近的接点或导电 结构电性连接，进而造成短路或漏电。因此，已有人提出一种表面覆盖有金属层的柱状高分子凸块以做为芯片 的接点结构。而使芯片的接点与玻璃基板的导电结构电性连接的方法是先在 芯片与玻璃基板的导电结构之间配置非导电胶层。然后，将芯片压合于玻璃 基板上，以使柱状高分子凸块贯穿非导电胶而与玻璃基板的导电结构接触并 电性连接。然而，柱状高分子凸块于压合时易有应力集中的问题，因此易导 致金属层破裂而影响其电性可靠度。为了解决上述问题，US 7,170,187所提出的方法是在高分子凸块内加入 金属粒子，并且在高分子凸块的表面或是内部加上金属结构，以使凸块本身 具有导电以及弹性性质。但是此种方法所使用的金属粒子需另外开发，且在4高分子凸块的表面或内部加上金属结构会使得工艺更为繁瑣且复杂。另外，US 7,246,432所提出的方法是使用特殊的高分子材料作为凸块材 料。当对高分子凸块进行烘烤时会使其收缩而形成圆弧形结构，之后依序于 圆形结构的凸块上覆盖另 一层高分子材料层以及一层金属层。而此种方法所 存在的缺点是在利用烘烤程序使高分子凸块收缩而形成圆弧形结构的时候， 其工艺控制的难度相当高。如此，将使得整个凸块的制造程序难度高且较为 复杂。
技术实现思路
本专利技术提供一种接点结构，其可以解决传统高分子凸块接合程序中所产 生的应力集中而易导致金属层破裂的问题。本专利技术提供一种接合结构，其使用特殊的接点结构设计，因而可以减少 接合程序中易导致金属层破裂的问题。本专利技术提出一种接点结构，其包括接垫、高分子凸块以及图案化导电层。 上述接垫是位于基板上。上述高分子凸块是位于基板上。上述图案化导电层 是位于高分子凸块上且与接垫电性连接，其中图案化导电层覆盖高分子凸块 的 一部分且暴露出高分子凸块的另 一部分。在本专利技术的一实施例中，上述高分子凸块具有一上表面以及多个侧表 面，且两个相邻的侧表面之间具有一转角边，其中导电层至少暴露出转角边。在本专利技术的一实施例中，上述图案化导电层包括至少一条状图案，其由 高分子凸块的其中一侧表面经上表面而延伸至另一侧表面。在本专利技术的一实施例中，上述图案化导电层包括至少一第一条状图案与 至少一第二条状图案，第一与第二条状图案分别由高分子凸块的其中两个侧 表面经上表面而延伸至另一侧表面，且第一与第二条状图案在上表面处相 交。在本专利技术的一实施例中，上述图案化导电层包括多个块状图案，每一块 状图案覆盖其中 一侧表面并延伸至上表面，且暴露出转角边。在本专利技术的一实施例中，上述高分子凸块位于接垫上，或是位于基板上 且未覆盖接垫。在本专利技术的一实施例中，上述接点结构还包括一保护层，位于基板上且 暴露出接垫。5在本专利技术的一实施例中，上述高分子凸块为多边形柱状结构或是多边形 锥状结构。在本专利技术的 一 实施例中，上述高分子凸块的材料包括一种或多种高分子 材料。在本专利技术的一实施例中，上述高分子凸块为单层结构或是多层结构。 在本专利技术的 一 实施例中，上述导电层的材料包括一种或多种导电材料。 在本专利技术的一实施例中，上述导电层为单层结构或是多层结构。 本专利技术另提出一种接合结构，包括第一基板、第二基板以及接合层。第 一基板上包括设置有至少一接点结构，其中所述接点结构包括接垫、高分子 凸块以及图案化导电层，其中图案化导电层位于高分子凸块上且与接垫电性 连接，且图案化导电层覆盖高分子凸块的 一部分且暴露出高分子凸块的另一 部分。另外，第二基板上包括设置有至少一导电结构。而接合层是位于第一 基板与第二基板之间，其中第 一基板上的高分子凸块与图案化导电层贯穿接 合层而与第二基板上的导电结构电性连接。在本专利技术的 一 实施例中，上述接点结构的高分子凸块具有一上表面以及 多个侧表面，且两个相邻的侧表面之间具有转角边，其中导电层至少暴露出 转角边。在本专利技术的 一 实施例中，上述接点结构的图案化导电层包括至少 一条状 图案，其由高分子凸块的其中 一侧表面经上表面而延伸至另 一侧表面。在本专利技术的 一 实施例中，上述接点结构的图案化导电层包括至少 一第一 条状图案与至少一第二条状图案，第一与第二条状图案分别由高分子凸块的 其中两个侧表面经上表面而延伸至另 一侧表面，且第 一与第二条状图案在上 表面处相交。在本专利技术的 一实施例中，上述接点结构的图案化导电层包括多个块状图 案，每一块状图案覆盖其中一侧表面并延伸至上表面，且暴露出转角边。在本专利技术的 一 实施例中，上述接合层包括非导电粘着膏或非导电粘着膜。在本专利技术的一实施例中，上述接合层中还包括散布有填充颗粒。 在本专利技术的一实施例中，上述填充颗粒为绝缘性或导电性。 本专利技术在高分子凸块上覆盖图案化导电层，由于导电层并非全面覆盖高 分子凸块，因而可以降低接合程序中应力集中的问题，进而降低高分子凸块上的导电层在接合时产生破裂。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并 配合附图，作详细i兌明如下。附图说明图1A是依照本专利技术实施例的 一种接点结构剖面图。图1B是图1A所示的高分子凸块以及图案化导电层的立体示意图。图2依照本专利技术另一实施例的高分子凸块以及图案化导电层的立体示意图。图3依照本专利技术另一实施例的高分子凸块以及图案化导电层的立体示意图。图4是依照本专利技术另 一 实施例的 一种接点结构剖面图。 图5是依照本专利技术实施例的一种接合结构剖面图。 附图标记说明100:基板102:接垫104:保护层106:高分子凸块107:转角边108:图案化导电层108a、108b:条状图案108c:块状图案109:上表面110:侧表面200:基板202:导电结构300:接合层具体实施例方式图1A为根据本专利技术的实施例的接点结构的剖面示意提，图1B为图1A 所示的接点结构的高分子凸块以及图案化导电层的立体示意图，其中图1A 是对应图1B的A-A，的剖面处。请同时参照图1A以及图1B,本实施例的接 点结构包括接垫102、高分子凸块106以及图案化导电层108。接垫102是设置在基板100上。在一优选实施例中，在基板100上还包 括覆盖有保护层104，其暴露出接垫102。基板100例如是玻璃基板、硅基 板、塑胶基板或是金属基板等等。接垫102例如是金属接垫，其与形成在基 板100上的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接点结构，包括：　接垫，位于一基板上；　高分子凸块，位于该基板上；以及　图案化导电层，位于该高分子凸块上且与该接垫电性连接，其中该图案化导电层覆盖该高分子凸块的一部分且暴露出该高分子凸块的另一部分。

【技术特征摘要】
1.一种接点结构，包括接垫，位于一基板上；高分子凸块，位于该基板上；以及图案化导电层，位于该高分子凸块上且与该接垫电性连接，其中该图案化导电层覆盖该高分子凸块的一部分且暴露出该高分子凸块的另一部分。2. 如权利要求1所述的接点结构，其中该高分子凸块具有一上表面以及 多个侧表面，且两个相邻的侧表面之间具有一转角边，其中该导电层至少暴 露出该转角边。3. 如权利要求2所述的接点结构，其中该图案化导电层包括至少一条状 图案，其由该高分子凸块的其中一侧表面经该上表面而延伸至另一侧表面。4. 如权利要求2所述的接点结构，其中该图案化导电层包括至少一第一 条状图案与至少一第二条状图案，该第一与第二条状图案分别由该高分子凸 块的其中两个侧表面经该上表面而延伸至另 一侧表面，且该第 一与第二条状 图案在该上表面处相交。5. 如权利要求2所述的接点结构，其中该图案化导电层包括多个块状图 案，每一块状图案覆盖其中一侧表面并延伸至该上表面，且暴露出该转角边。6. 如权利要求1所述的接点结构，其中该高分子凸块位于该接垫上，或 是位于该基板上且未覆盖该接垫。7. 如权利要求1所述的接点结构，还包括保护层，位于该基板上且暴露 出该4妄垫。8. 如权利要求1所述的接点结构，其中该高分子凸块为多边形柱状结构 或是多边形锥状结构。9. 如权利要求1所述的接点结构，其中该高分子凸块的材料包括一种或 多种高分子材料。10. 如权利要求1所述的接点结构，其中该高分子凸块为单层结构或是多 层结构。11. 如权利要求1所述的接点结构，其中该导电层的材料包括一种或多种 导电材料。12. 如...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾毅，高国书，
申请(专利权)人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会，中华映管股份有限公司，友达光电股份有限公司，瀚宇彩晶股份有限公司，奇美电子股份有限公司，财团法人工业技术研究院，统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]