接点结构与接合结构制造技术

本发明专利技术公开了一种接点结构与接合结构。一种接点结构，其设置在基板上。接点结构包括至少一接垫、至少一高分子凸块以及至少一导电层。其中，接垫位于基板上，而高分子凸块配置于基板上。高分子凸块具有弧状表面，且在弧状表面上具有多个凹凸结构。导电层覆盖高分子凸块，且导电层与接垫电性连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种接点结构与接合结构，且特别涉及一种电性可靠度较佳 的接点结构与接合结构。
技术介绍
随着科技进步，各种电子装置朝向小型化及多功能化的方向发展。因此 为了使电子装置中的芯片能传输或接收更多的信号，电性连接于芯片与线路 板之间的接点也朝向高密度化的方向发展。于已知技术中，电性连接芯片与玻璃基板的方法多为先在芯片的接点与玻璃基板的导电结构之间配置各向异性导电膜(Anisotropic Conductive Film, ACF)，且芯片的接点与玻璃基板的导电结构皆面向各向异性导电膜。然后， 压合芯片的接点、各向异性导电膜与玻璃基板的导电结构，以通过各向异性 导电膜中的导电颗粒电性连接芯片的每一接点与玻璃基板上与前述接点对 应的导电结构。然而，当芯片的接点密度以及玻璃基板的导电结构的密度增加时，芯片 的接点之间的间距以及玻璃基板的导电结构之间的间距皆缩小。因此，芯片的接点通过各向异性导电膜中的导电颗粒将有可能会与邻近的接点或导电 结构电性连接，进而造成短路或漏电。因此，已有人提出一种表面覆盖有金属层的柱状高分子凸块以做为芯片 的接点结构。而使芯片的接点与玻璃基板的导电结构电性连接的方法是先在 芯片与玻璃基板的导电结构之间配置非导电性黏胶层。然后，将芯片压合于构接触并电性连接。然而，柱状高分子凸块在压合时容易有应力集中的问题，因此易导致金 属层破裂而影响其电性可靠度
技术实现思路
本专利技术提出 一种接点结构，其高分子凸块与另 一基板接合时不会有应力 集中的问题。本专利技术另提出 一种接点结构，其高分子凸块于与另 一基板接合时较易贯 穿接合材料。本专利技术还提出一种接合结构，具有较佳的电性可靠度。为具体描述本专利技术的内容，在此提出一种接点结构，其设置在基板上。 接点结构包括至少一接垫、至少一高分子凸块以及至少一导电层。其中，接 垫位于基板上，且高分子凸块配置于基板上。高分子凸块具有弧状表面，且 在弧状表面上具有多个凹凸结构。导电层覆盖高分子凸块，且导电层与接垫 电性连接。在本专利技术的一实施例中，导电层全面覆盖或部分覆盖高分子凸块。 在本专利技术的一实施例中，接点结构还包括保护层，保护层配置于基板上 并暴露出接垫。在本专利技术的一实施例中，高分子凸块配置于接垫上或基板上或同时跨越 在接垫上与基板上。在本专利技术的一实施例中，导电层有一个或多于一个，导电层覆盖在同一 高分子凸块上并分别与对应的接垫电性连接。在本专利技术的一实施例中，导电层有一个或多于一个，导电层覆盖在同一 高分子凸块上并与同 一接垫电性连接。在本专利技术的一实施例中，位于高分子凸块上的导电层会与一个或多于一 个的接垫电性连接。在本专利技术的一实施例中，位于一个或多于一个的高分子凸块上的导电层 均与同一接垫电性连接。在本专利技术的一实施例中，接点结构还包括高分子保护层，位在基板上且 至少暴露出高分子凸块以及接垫。为具体描述本专利技术的内容，在此提出一种接点结构，其设置在基板上。 接点结构包括至少一接垫、至少一高分子凸块以及至少一导电层。接垫位于 基板上，且高分子凸块配置于基板上。高分子凸块具有顶部平面以及位于顶 部平面两侧的弧状凹凸表面。导电层覆盖高分子凸块，且与接垫电性连接。在本专利技术的一实施例中，顶部平面具有多个凹凸结构或为平滑结构。在本专利技术的一实施例中，导电层全面覆盖或部分覆盖高分子凸块。在本专利技术的一实施例中，接点结构还包括保护层，保护层配置于基板上 并暴露出接垫。在本专利技术的一实施例中，高分子凸块配置于接垫上或基板上或同时跨越 在接垫上与基板上。在本专利技术的一实施例中，导电层有一个或多于一个，导电层覆盖在同一 高分子凸块上并分别与对应的接垫电性连接。在本专利技术的一实施例中，导电层有一个或多于一个，导电层覆盖在同一 高分子凸块上并与同一接垫电性连接。在本专利技术的一实施例中，位于高分子凸块上的导电层会与一个或多于一个的接垫电性连接。在本专利技术的一实施例中，位于一个或多于一个的高分子凸块上的导电层 均与同一接垫电性连接。在本专利技术的一实施例中，接点结构还包括高分子保护层，位在基板上且 至少暴露出高分子凸块以及接垫。为具体描述本专利技术的内容，在此提出一种接合结构包括第一基板、第二 基板以及接合材料。第一基板包括至少一接垫、至少一高分子凸块以及至少 一导电层。高分子凸块与接垫对应设置，而且高分子凸块具有弧状表面，而 在弧状表面上具有多个凹凸结构。导电层覆盖高分子凸块且与接垫电性连 接。第二基板上包括设置有至少一导电结构，其中第一基板上的导电层与导 电结构电性连接。接合材料位于第一基板与第二基板之间，而且部分的导电 层与高分子凸块贯穿接合材料而与导电结构接触。在本专利技术的一实施例中，接合材料包括紫外线固化接合材料、热固化接 合材料、热塑化接合材料或是上述的组合。在本专利技术的一实施例中，接合材料包括非导电黏着膏(Non-Conductive Adhesive, NCA )、非导电黏着膜(Non-Conductive Film, NCF )、各向异性导 电膏或各向异性导电膜。在本专利技术的 一 实施例中，接合材料内还包括分布有填充颗粒。 在本专利技术的一实施例中，填充颗粒包括导电颗粒或是绝缘颗粒。 为具体描述本专利技术的内容，在此提出一种接合结构包括第一基板、第二 基板以及接合材料。第一基板包括至少一接垫、至少一高分子凸块以及至少 一导电层。高分子凸块与接垫对应设置。高分子凸块具有顶部平面以及位于顶部平面两侧的弧状凹凸表面。导电层覆盖高分子凸块且与接垫电性连接。 第二基板上包括设置有至少一导电结构，而且第一基板上的导电层与导电结 构电性连接。接合材料位于第一基板与第二基板之间，而且部分的导电层与 高分子凸块贯穿接合材料而与导电结构接触。在本专利技术的一实施例中，顶部平面具有多个凹凸结构或为平滑结构。 在本专利技术的一实施例中，接合材料包括非导电黏着膏、非导电黏着膜、 各向异性导电膏或各向异性导电膜。 -在本专利技术的一实施例中，接合材料包括紫外线固化接合材料、热固化接 合材料、热塑化接合材料或是上述的组合。在本专利技术的一实施例中，接合材 料内还包括分布有填充颗粒。在本专利技术的一实施例中，填充颗粒包括导电颗粒或是绝缘颗粒。 承上所述，本专利技术的接点结构与接合结构的高分子凸块具有弧状表面， 而且在弧状表面上具有多个凹凸结构。因此，高分子凸块可避免如已知的高 分子凸块一般容易在与另 一基板接触时产生应力集中的情形并致使已知的 高分子凸块上的金属层破裂。而且，当高分子凸块与第二基板接触时，凹凸 结构可有助于使高分子凸块贯穿接合材料而与第二基板的导电结构接触。为让本专利技术的上述和其fe目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实 施例，并配合附图，作详细说明如下。附图说明图r为本专利技术一实施例的接点结构的剖面图。图2至图13为图1的接点结构的多种变化的剖面图。 图14A为本专利技术一实施例的接点结构的上视图。 图14B为图14A的接点结构沿I-r线段的剖面图。 图14C为图14A的接点结构沿II-n'线段的剖面图。 图15A为本专利技术另 一 实施例的接点结构的上视图。 图15B为图15A的接点结构沿I-I'线段的剖面图。图15c为图15A的接点结构沿n-n'线段的剖面图。图16为本专利技术一实施例的接点结构的剖面图。图17至图28为图16的接点结构的多种变化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接点结构，设置在基板上，包括：　至少一接垫，位于该基板上；　至少一高分子凸块，配置于该基板上，其中该高分子凸块具有弧状表面，且在该弧状表面上具有多个凹凸结构；以及　至少一导电层，覆盖该高分子凸块，且与该接垫电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种接点结构，设置在基板上，包括至少一接垫，位于该基板上；至少一高分子凸块，配置于该基板上，其中该高分子凸块具有弧状表面，且在该弧状表面上具有多个凹凸结构；以及至少一导电层，覆盖该高分子凸块，且与该接垫电性连接。2. 如权利要求1所述的接点结构，其中该导电层全面覆盖或部分覆盖该 高分子凸块。3. 如权利要求1所述的接点结构，还包括保护层，其配置于该基板上并 暴露出该接垫。4. 如权利要求1所述的接点结构，其中该高分子凸块配置于该接垫上或 该基板上或同时跨越在该接垫上与该基板上。5. 如权利要求1所述的接点结构，其中该导电层有一个或多于一个，覆 盖在同 一 高分子凸块上，并分别与对应的接垫电性连接。6. 如权利要求1所述的接点结构，其中该导电层有一个或多于一个，覆 盖在同一高分子凸块上，并与同一接垫电性连接。7. 如权利要求1所述的接点结构，其中位于该高分子凸块上的该导电层 会与一个或多于一个的接垫电性连接。8. 如权利要求1所述的接点结构，其中位于一个或多于一个的高分子凸 块上的该导电层均与同 一 接垫电性连接。9. 如权利要求1所述的接点结构，还包括高分子保护层，位在该基板上 且至少暴露出该高分子凸块以及该接垫。10. —种接点结构，设置在基板上，包括 至少一接垫，位于该基板上；至少一高分子凸块，配置于该基板上，其中该高分子凸块具有顶部平面 以及卩立于该顶部平面两侧的弧爿犬凹凸表面；以及至少一导电层，覆盖该高分子凸块，且与该接垫电性连接。11. 如权利要求IO所述的接点结构，其中该顶部平面具有多个凹凸结构 或为平滑结构。12. 如权利要求IO所述的接点结构，其中该导电层全面覆盖或部分覆盖该高分子凸块。13. 如权利要求IO所述的接点结构，还包括保护层，其配置于该基板上 并暴露出该4妻垫。14. 如权利要求IO所述的接点结构，其中该高分子凸块配置于该接垫上 或该基板上或同时跨越在该接垫上与该基板上。15. 如权利要求IO所述的接点结构，其中该导电层有一个或多于一个， 覆盖在同 一 高分子凸块上，并分别与对应的接垫电性连接。16. 如权利要求IO所述的接点结构，其中该导电层有一个或多于一个， 覆盖在同一高分子凸块上，并与同一接垫电性连接。17. 如权利要求IO所述的接点结构，其中位于该高分子凸块上的该导电 层会与一个或多于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张世明，
申请(专利权)人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会，中华映管股份有限公司，友达光电股份有限公司，瀚宇彩晶股份有限公司，奇美电子股份有限公司，财团法人工业技术研究院，统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]