凸块下金属化制造技术

本发明专利技术提供了一种凸块下金属化结构及其形成方法。凸块下金属化结构具有从上向下看呈圆形或者相邻边之间的角大于90°的多边形的再分布通孔。因此，本发明专利技术能够改进之后形成的金属层的阶梯覆盖。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总的来说涉及半导体领域，更具体地，涉及凸块下金属化结构。
技术介绍
半导体工业在近几十年来最重要的趋势是一直力求增强器件性能，同时还要持续减小半导体器件部件尺寸。在如今的半导体器件中，部件尺寸普遍处于深亚微米范围。随着部件尺寸减小，亚微米金属互连变得越发重要。理论上来说，金属层应该均匀沉积并且应该以相同金属密度填充金属线的轮廓。然而，对于亚微米金属互连件的尺寸来说，通常会遇到沉积金属层的不良阶梯覆盖(poor step coverage)的情况。而且，当通过增加亚微米金属互连件的厚度来解决RC延迟问题时，只会使不良阶梯覆盖问题变得越发严重。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种再分布金属化结构，包括:绝缘钝化层，具有使设置于衬底上的金属焊盘暴露的再分布通孔，其中，再分布通孔从上向下看呈圆形或多边形，多边形的相邻边之间的角大于90° ;以及导电再分布层，填充再分布通孔并且设置在钝化层上。优选地，绝缘钝化层由氮化硅、无掺杂硅酸盐玻璃、聚酰亚胺或它们的任意组合制成。优选地，导电再分布层由复合金属层制成。优选地，多边形的相邻边之间的角为至少108°。优选地，多边形的相邻边之间的角为至少135°。优选地，导电再分布层的厚度与再分布通孔的直径的比值为大约1.4至大约2.5。根据本专利技术的另一方面，提供了一种凸块下金属化结构，包括:金属焊盘，位于衬底上，衬底上形成有半导体器件；第一钝化层，设置于金属焊盘和衬底上，具有暴露金属焊盘的再分布通孔，其中，再分布通孔从上向下看呈圆形或多边形，多边形的相邻边之间的角大于90° ;再分布层，设置在再分布通孔中和第一钝化层上；第二钝化层，设置在再分布层上并且具有暴露部分再分布层的末端通孔；以及凸块下金属层，设置在末端通孔中和第二钝化层上。优选地，第一钝化层由氮化硅、无掺杂硅酸盐玻璃、聚酰亚胺或它们的任意组合制成。 优选地，再分布层包括复合金属层。优选地，多边形的相邻边之间的角为至少108°。优选地，多边形的相邻边之间的角为至少135°。优选地，导电再分布层的厚度与再分布通孔的直径的比值为大约1.4至大约2.5。优选地，第二钝化层由氮化硅、聚酰亚胺层或它们的组合制成。根据本专利技术的又一方面，提供了一种形成凸块下金属化结构的方法，包括:在设置在衬底上的金属焊盘上形成第一钝化层；通过在第一钝化层中形成再分布通孔暴露金属焊盘，其中，再分布通孔从上向下看呈圆形或多边形，多边形的相邻边之间的角大于90° ;在再分布通孔中和第一钝化层上沉积第一金属层；通过图案化第一金属层形成再分布层；在再分布层上形成第二钝化层；通过在第二钝化层中形成末端通孔暴露部分再分布层；在末端通孔中和第二钝化层上形成第二金属层；以及通过图案化第二金属层形成凸块下金属层。优选地，第一钝化层由氮化硅、无掺杂硅酸盐玻璃、聚酰亚胺或它们的任意组合制成。优选地，再分布层包括复合金属层制成。优选地，多边形的相邻边之间的角为至少108°。优选地，多边形的相邻边之间的角为至少135°。优选地，导电再分布层的厚度与再分布通孔的直径的比值为大约1.4至大约2.5。优选地，第二钝化层由氮化硅、聚酰亚胺层或它们的组合制成。【附图说明】当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本专利技术的各方面。应该注意的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，各种部件的数量和尺寸可以任意增大或减小。图1A是沉积在被金属层部分填充的传统再分布通孔中的该金属层的俯视图。图1B是示出了在传统再分布通孔中沉积金属层之后的横截面图的扫描电子显微镜图像。图2A是根据本专利技术的一些实施例的沉积在被金属层部分填充的再分布通孔中的该金属层的俯视图。图2B是示出了根据本专利技术的一些实施例的在具有从上向下看时呈八边形的再分布通孔中沉积金属层之后的横截面图的扫描电子显微镜(SEM)图像。图3是根据本专利技术的一些实施例的形成凸块下金属化结构的流程图。图4A至图4D是示出了根据本专利技术的一些实施例的形成凸块下金属化结构的工艺的横截面图。【具体实施方式】为了实现所提出的主题的不同特征，以下专利技术提供了多个不同实施例或实例。以下描述了部件和配制的特定实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例而并不旨在进行限制。例如，以下描述中第一部件形成在第二部件上方或之上可以包括第一部件和第二部件直接接触而形成的实施例，还可以包括第一部件和第二部件之间可以形成有附加部件以使第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。另外，在各个实例中，本专利技术可以重复使用参考标号和/或字母。这种重复目的在于简化和清晰，其本身并不表示所描述的各个实施例和/或配置之间的关系。此外，在本文中可以使用诸如“在……之下”、“在……下面”、“较低的”、“在……上面”、“较高的”等等空间关系术语以便于描述附图中所示出的一个元件或部件与其他元件或部件之间的关系。这些空间关系术语旨在包含除附图中所示出的方向以外的器件在使用或操作中的不同方向。装置可以另外定向(旋转90度或者处于其他方向)，并且可以相应地对本文所使用的空间关系描述进行同样的解释。如上所述，由于在如今的半导体器件中亚微米金属互连变得越发重要，因此RC延迟问题可能变得越发严重。因此，增加亚微米金属互连件的厚度可以解决越发严重的RC延迟问题。然而，一方面，增加亚微米金属互连件的厚度可以解决RC延迟问题，而另一方面，沉积金属层的不良阶梯覆盖问题却可能变得更为严重。凸块下金属化也可能遇到上述进退两难的问题。对于如今的倒装芯片技术，再分布金属层可以用来重定位集成电路(IC)的I/O接合焊盘，从而具有低成本、高密度、高灵活性和高性能的优点。然而，由于设计规则所限，覆盖接合焊盘的钝化层中的再分布通孔所占据的面积和相邻再分布通孔的距离无法再增大。因此，增加再分布金属线的厚度是降低之后形成的再分布金属层的RC延迟的唯一选择，并且因此增大了再分布通孔的长宽比。然而，当再分布金属线的厚度与再分布通孔的直径的比值增加到至少1.4时，会由于沉积金属层的不良阶梯覆盖而造成针孔故障(pin hole failure)。图1A是沉积在被金属层部分填充的传统再分布通孔中的该金属层的俯视图。根据设计规则，从上向下看去，传统再分布通孔100的形状为方形。当再分布通孔100形成在覆盖金属焊盘(未在图1A中示出)的第一钝化层(未在图1A中示出)中之后，开始在再分布通孔100中沉积第一金属层110来覆盖第一钝化层。在图1A中，再分布通孔100被部分填充，并且可以看出有缝隙120差不多沿着再分布通孔100的相邻边之间的对角线形成。这是因为，再分布通孔100的边的中部的金属沉积率较快，而再分布通孔100的角部的金属沉积率较慢。除了上述金属沉积率不均匀，再分布通孔100的相邻边之间的角0 I小于或等于90°。再分布通孔100的相邻边之间的角度较小使其更容易生成缝隙120，并且在沉积于再分布通孔100中的第一金属层110的上部上产生悬垂(overhangs)(未在图1A中不出)。由于随后用于图案化第一金属层110以形成再分布金属层，图案化覆盖再分布金属层的第二钝化层并且图案化形成在第二钝化层中的末端通孔中的第二金属层的酸性蚀刻溶液会通过这些缝隙120流进第一金属层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种再分布金属化结构，包括：绝缘钝化层，具有使设置于衬底上的金属焊盘暴露的再分布通孔，其中，所述再分布通孔从上向下看呈圆形或多边形，所述多边形的相邻边之间的角大于90°；以及导电再分布层，填充所述再分布通孔并且设置在所述钝化层上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李智飞，张复诚，郑志成，陈信吉，黄远国，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71