电子元器件制造技术

技术编号:3110405 阅读:160 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种电子元器件,在具有长方体形状的芯片71内埋入的线圈72的旋转中心线Y设定在形成端电极73a及73b的一对相对的呈正方形的芯片端面各中心点相连直线上,同时配置的线圈72使从旋绕中心线方向看的线圈72旋绕轨迹分别处于与线圈72旋绕中心线Y垂直的任意2条垂直直线的线对称位置,连接线圈端与端电极73a及73b的引出导体74a及74b分别配置于芯片两端的线圈72旋绕中心线上,这样构成的电子元器件具有的线圈不因安放方向不同其电感量不同。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在芯片内埋入1个以上线圈的电子元器件。作为以往的这种电子元器件,在图2中给出多层电感器的侧面剖视图。在图2中,20为多层电感器,由磁性材料形成的长方芯体片21、埋入芯片21内的螺旋状线圈22及设置在芯片21纵向两端的一对端电极23构成。图中,线圈22的旋绕中心线Y与连接端电极23的方向(芯片纵向)垂直,线圈22的端部引出到芯片端部表面并与各端电极23连接。当将该多层电感器20安装在基板的导体图形上时有两个方向,一个如图3所示线圈22的旋绕中心线Y与基板Z的安放面垂直,另一个如图4所示线圈22的旋绕中心线Y与基板Z的安放面平行。对于图3的安放方向及图4的安放方向,由于线圈22与基板Z的位置关系不同,使得对于芯片外部磁通的磁阻产生差异,这表现出为电感量的差异。特别是对于使用相对磁导率低的材料作为芯片材料的多层电感器,因安放方向不同产生较大的磁阻差,表现出电感量有很大差异。为了解决这样的问题,提出一种不因安放方向不同而改变线圈旋绕中心线相对于基板面的方向的多层电感器(特开平8-55726号公报)。该多层电感器一般称为纵向多层型电感器,如图5至7所示,在连接端电极的方向上形成多层构造。即图5至图7所示纵向多层型电感器30的芯片31是将上层磁性材料片A、线圈层磁性材料片B1-B4及下层磁性材料片C叠层而形成。在上层磁性材料片A上形成矩形引出导体Pa,使其与通孔h重叠。在线圈层磁性材料片B1~B4上,形成4种近似U字形状的线圈用导体Pb1~Pb4,使其端部与通孔h重叠。另外,在下层磁性材料片C上,形成矩形引出导体Pc,使其与通孔h重叠。再在芯片31的叠层方向两端形成端电极33,从而构成纵向多层型电感器30。这里线圈用导体Pb1~Pb4之间通过通孔h连接而形成线圈32,线圈32的两端分别通过在上层及下层磁性材料片A及C形成的多个引出导体Pa及Pc而构成的引出导体34a及34b与端电极33相连。在图5至图7所示构成的纵向多层型的多层电感器30中,当电流流过电感器时,产生与线圈32的旋绕中心线Y平行的磁通及沿着以引也导体34a和34b为中心的圆周而旋绕的磁通,由于这些磁通形成了芯片的电感量。但是,当将该多层电感器30安装在基板Z上时,对于图8所示的安放方向及图9所示的安放方向、即正反面反过来安放的状态,引出导体34a及34b与基板Z之间的距离产生差异。因此出现这样的问题,即对于这些引出导体34a及34b周围产生的磁通的磁阻产生差异,从而由于安放方向不同导致电感量产生差异。本专利技术的目的在于提供具有不因安放方向不同导致电感量产生差异的线圈的电子元器件。在本专利技术的电子元器件中,在具有长方体形状的芯片内埋入线圈,在芯片两端分别具有与线圈端连接的端电极,将线圈的旋绕中心线设定在形成端电极的一对相对的芯片端面的各自中心点相连直线上,同时将从旋绕中心线方向看的线圈旋绕轨迹及线圈端与前述端电极连接的引出导体配置成这样的位置及(或)状态,使得安放在基板上时至少即使反过来安放也保持线圈的旋绕轨迹及引出导体与基板之间有相同的距离。具有这样构成的电子元器件,例如如果垂直于线圈旋绕中心线的芯片截面是正方形,则安放在基板上时,除芯片端面以往的四个面中,即使任何一个面对着基板,线圈及引出导体与基板之间的距离都相同。这样,任何一个安放方向的磁阻都相同,线圈及引出导体产生的电感量不会因安放方向不同而变化。因而上述电子元器件不会产生因安放方向不同导致电感量产生差异。另外,当芯片形状为长方体且垂直于线圈旋绕中心线的芯片截面不是正方形时,即使安放在基板上时将正反面反过来安放,但任何一种情况的引出导体与基板之间的距离仍然相同。因而,当垂直于线圈旋绕中心线的芯片截面为正方形以外的形状时,即使将正反面反过来安放在基板上,也不会因安放方向不同导致电感量产生差异。再有,在本专利技术中,芯片做成圆柱形状时也与上述相同,构成的电子元器件不会因安放方向不同导致电感量产生差异。例如,在具有圆柱形状的芯片内埋入线圈、在芯片两端分别具有与线圈端连接的端电极的电子元器件中,将线圈的旋绕中心线设定在形成端电极的一对相对的芯片端面的各自中心点相连直线上,同时将从旋绕中心线方向看的线圈旋绕轨迹与线圈旋绕中心线通过的中心点的距离设定为在绕圈旋绕中心线垂直相交的任意芯片截面中总是保持一定,而且分别在芯片两端将连接线圈端与端电极的引出导体设置在线圈旋绕中心线上。附图简要说明附图说明图1所示为本专利技术第1实施形态中多层电感器的立体图。图2所示为以往例的多层电感器的侧面剖面图。图3所示为以往例的多层电感器安放状态举例。图4所示为以往例的多层电感器安放状态举例。图5所示为以往例的纵向多层型多层电感器的侧面剖面图。图6所示为以往例的纵向多层型多层电感器的立体图。图7所示为以往例的纵向多层型多层电感器的多层构造图。图8所示为以往例的多层电感器安放状态的侧面剖视图。图9所示为以往例的多层电感器安放状态的侧面剖视图。图10所示为本专利技术第1实施形态中多层电感器的多层构造分解立体图。图11所示为本专利技术第2实施形态中多层电感器的立体图。图12所示为本专利技术第2实施形态中多层电感器的多层构造分解立体图。图13a至图13f所示为本专利技术第2实施形态有关的其他的线圈旋绕轨迹图。图14所示为本专利技术第3实施形态中多层电感器的立体图。图15所示为本专利技术第3实施形态中从线圈旋绕中心线方向看的线圈旋绕轨迹图。图16所示为本专利技术第4实施形态中多层电感器的立体图。图17所示为本专利技术第5实施形态中多层电感器的立体图。图18所示为本专利技术第5实施形态中从线圈旋绕中心线方向看的线圈旋绕轨迹图。图19所示为本专利技术第5实施形态中多层电感器的多层构造分解立体图。图20所示为本专利技术第6实施形态中多层电感器的立体图。图21所示为本专利技术第6实施形态中引出导体的形成位置图。图22所示为本专利技术第7实施形态中多层电感器的立体图。图23所示为本专利技术第7实施形态中引出导体的形成位置图。图24所示为本专利技术第8实施形态中多层电感器的立体图。图25所示为本专利技术第8实施形态中从线圈旋绕中心线方向看的线圈旋绕轨迹图。图26所示为本专利技术第8实施形态中多层电感器的多层构造分解立体图。图27所示为本专利技术第9实施形态中多层电感器的立体图。图28所示为本专利技术第9实施形态中多层电感器的侧面剖面图。图29所示为本专利技术第9实施形态中多层电感器的多层构造分解立体图。图30所示为本专利技术第9实施形态中从线圈旋绕中心线方向看的引出导体配置图。图31所示为本专利技术第9实施形态有关的引出导体的其他配置举例。图32所示为本专利技术第10实施形态中多层电感器的侧面剖面图。图33所示为本专利技术第10实施形态中第1引出导体长度的其他设定举例。图34所示为本专利技术第11实施形态中多层电感器的侧面剖面图。图35所示为本专利技术第12实施形态中多层电感器的侧面剖面图。图36所示为本专利技术第13实施形态中多层电感器的多层构造分解立体图。图37所示为本专利技术第14实施形态中多层电感器的侧面剖面图。图38所示为本专利技术第1 5实施形态中多层电感器的侧面剖面图。图39所示为本专利技术第15实施形态中多层电感器的平面剖面图。图40所示为本专利技术第15实施形态中多层电感器的多层构造分解立体图。图41所示为本专利技术第16实施形态中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子元器件,在具有长方体形状的芯片内埋入线圈,在芯片两端分别具有与线圈端连接的端电极,其特征在于, 线圈的旋绕中心线设定在形成所述端电极的一对相对的芯片端面的各中心点相连直线上, 同时从所述旋绕中心线方向看的线圈旋绕轨迹及线圈端与所述端电极连接的引出导体配置成这样的位置及(或)状态,使得安放在基板上时至少即使反过来安放也保持所述线圈的旋绕轨迹及引出导体与基板之间的距离相同。

【技术特征摘要】
JP 1998-1-8 2472/981.一种电子元器件,在具有长方体形状的芯片内埋入线圈,在芯片两端分别具有与线圈端连接的端电极,其特征在于,线圈的旋绕中心线设定在形成所述端电极的一对相对的芯片端面的各中心点相连直线上,同时从所述旋绕中心线方向看的线圈旋绕轨迹及线圈端与所述端电极连接的引出导体配置成这样的位置及(或)状态,使得安放在基板上时至少即使反过来安放也保持所述线圈的旋绕轨迹及引出导体与基板之间的距离相同。2.如权利要求1所述的电子元器件,其特征在于,从所述旋绕中心线方向看的所述线圈旋绕轨迹形成在相对于所述旋绕中心线通过的中心点的对称位置。3.如权利要求1所述的电子元器件,其特征在于,从所述旋绕中心线方向看的所述线圈旋绕轨迹形成于相对于一条直线的对称位置,该直线与除了所述芯片端面以外的4个侧面中的一个侧面平行且与所述旋绕中心线垂直。4.如权利要求1所述的电子元器件,其特征在于,所述引出导体分别配置在芯片两端的所述线圈旋绕中心线上。5.如权利要求1所述的电子元器件,其特征在于,所述引出导体分别在芯片两端在相对于所述线圈旋绕中心线的对称位置配置2个以上。6.如权利要求1所述的电子元器件,其特征在于,与所述线圈旋绕中心线垂直的芯片截面是正方形。7.如权利要求1所述的电子元器件,其特征在于,与所述线圈旋绕中心线垂直的芯片截面是正方形,同时从所述旋绕中心线方向看的所述线圈旋绕轨迹形成于分别相对于与所述线圈旋绕中心线垂直相交的任意二条垂直直线的线对称位置。8.如权利要求1所述的电子元器件,其特征在于,从所述旋绕中心线方向看的所述线圈旋绕轨迹形成于相对于所述旋绕中心线通过的中心点的点对称位置,同时所述引出导体分别配置在芯片两端的所述线圈旋绕中心线上。9.如权利要求1所述的电子元器件,其特征在于,从所述旋绕中心线方向看的所述线圈旋绕轨迹形成于相对于所述旋绕中心线通过的中心点的点对称位置,同时所述引出导体分别在芯片两端在相对于所述线圈旋绕中心线的对称位置配置2个以上。10.如权利要求1所述的电子元器件,其特征在于,从所述旋绕中心线方向看的所述线圈旋绕轨迹形成在相对于一条直线的对称位置,该直线与除了所述芯片端面以外的4个侧面中的一个侧面平行且与所述旋绕中心线垂直,同时所述引出导体分别配置在芯片两端的所述线圈旋绕中心线上。11.如权利要求1所述的电子元器件,其特征在于,从所述旋绕中心线方向看的所述线圈旋绕轨迹形成于相对于一条直线的对称位置,该直线与除了所述芯片端面以外的4个侧面中的一个侧面平行且与所述旋绕中心线垂直,同时所述引出导体分别在芯片两端在相对于所述线圈旋绕中心线的对称位置配置2个以上。12.如权利要求1所述的电子元器件,其特征在于,与所述线圈旋绕中心线垂直的芯片截面是正方形,同时从所述旋绕中心线方向看的所述线圈旋绕轨迹形成于分别相对于与所述线圈旋绕中心线垂直相交的任意2条垂直直线的线对称位置,连接所述线圈端及端电极的引出导体分别在芯片两端在所述芯片截面对角线上且相对于所述线圈旋绕中心线的对称位置至少配置2个。13.如权利要求1所述的电子元器件,其特征在于,与所述线圈旋绕中心线垂直的芯片截面是正方形,同时从所述旋绕中心线方向看的所述线圈旋绕轨迹形成于分别相对于与所述线圈旋绕中心线垂直相交的任意2条垂直直线的线对称位置。分别在芯片两端将以所述线圈旋绕中心线为中心旋转90度对称的4个不同位置作为一组,所述引出导体形成于一组以上的位置。14.一种电子元器件,在具有长方体形状的芯片内埋入线圈,在芯片两端分别具有与线圈端连接的端电极,其特征在于,线圈的旋绕中心线设定在形成所述端电极的一对相对的芯片端面的各中心点相连直线上,同时所述线圈两端分别形成于以所述芯片中心点为基准的互相对称的位置,分别与所述线圈两端连接的引出导体...

【专利技术属性】
技术研发人员:岩尾秀美
申请(专利权)人:太阳诱电株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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