【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种发光器件及其形成方法，更具体地，涉及包括至少两个堆叠的发光二极管芯片的发光器件及其形成方法。
技术介绍
发光二极管(LED)是P — η结二极管，该发光二极管因过量电子一空穴对的直接辐射复合而发光。当LED被正向偏置时，电子能够与空穴复合，且能量以光的形式释放。发出的光的颜色基于形成P - η结的材料的带隙能量。LED能以直流电(DC)或交流电(AC)工作。AC LED每单位面积的发光效率是DCLED的一半，因为在交流电操作中当两个二极管被并联时，交替开启两个二极管中的一个。因此，增加AC操作LED的发光效率的一种方法是将一个LED芯片堆叠另一个LED芯片上。这样会表现出LED总是开启的，因为两个堆叠的LED芯片中的一个是开启的。传统地，LED芯片堆叠成在一个在另一个上并被绝缘层分开。为了将堆叠的LED芯片连接到交流电，需要围绕绝缘体的外部导线。因此，需要具有高的每单位面积发光效率的交流电操作的发光器件。
技术实现思路
本专利技术的示范性实施例提供一种具有至少两个LED芯片的发光器件，其中一个LED堆叠在另一个上方。发光器件能以交流电工作。两个LED芯...
【技术保护点】
一种发光器件，包括：第一发光结构，包括第二导电类型的第二半导体图案、第一有源图案和第一导电类型的第一半导体图案，并且根据施加到所述第二半导体图案和所述第一半导体图案的偏压而开启或关闭；第二发光结构，包括第二导电类型的第四半导体图案、第二有源图案和第一导电类型的第三半导体图案，并且根据施加到所述第四半导体图案和所述第三半导体图案的偏压而开启或关闭；倾斜侧壁表面，形成在至少一个所述发光结构中以允许由所述有源图案产生的光从所述发光结构发出；绝缘图案，形成在第一电极和所述第一发光结构之间并且包括沿着所述第一发光结构的内壁共形地形成的以下中的至少一个：氧化物膜、氮化物膜、氮氧化物膜、...
【技术特征摘要】
2008.08.05 KR 76549/08;2009.05.01 US 12/434,3581.一种发光器件，包括: 第一发光结构，包括第二导电类型的第二半导体图案、第一有源图案和第一导电类型的第一半导体图案，并且根据施加到所述第二半导体图案和所述第一半导体图案的偏压而开启或关闭； 第二发光结构，包括第二导电类型的第四半导体图案、第二有源图案和第一导电类型的第三半导体图案，并且根据施加到所述第四半导体图案和所述第三半导体图案的偏压而开启或关闭； 倾斜侧壁表面，形成在至少一个所述发光结构中以允许由所述有源图案产生的光从所述发光结构发出； 绝缘图案，形成在第一电极和所述第一发光结构之间并且包括沿着所述第一发光结构的内壁共形地形成的以下中的至少一个:氧化物膜、氮化物膜、氮氧化物膜、Al2O3和AlN; 中间材料层，包括包含Au、Ag、Pt、N1、Cu、Sn、Al、Pb、Cr和Ti中至少一个的单层、叠层及其组合，以将所述第一电极接合到基板；以及 阻挡层，形成在所述第一电极和所述中间材料层之间，并且包括包含Pt、N1、Cu、Al、Cr、Ti和W中至少一个的单层、叠层及其组合， 其中所述第一至第四半导体图案和所述第一和第二有源图案中的至少一个包括InxAlyGa(1_x_y) Ν，0<χ< 1，1，连接到所述第一导电类型的所述第一半导体图案的所述第一电极由含有高反射率的Al和Ag中至少一个的材料形成，并且具有碗形和倾斜侧壁。2.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一发光结构和所述第二发光结构被连续堆叠。3.如权利要求1所述的发光器件，其中当交流电源施加到所述第一发光结构和所述第二发光结构时，所述第一发光结构和所述第二发光结构之一被开启，另一个被关闭。4.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一和第三半导体图案中至少一个包括η型 InxAlyGa(卜x_y)N，O 彡 x 彡 1，0 彡 y 彡 I。5.如权利要求1所述的发光器件，其中所述基板是绝缘基板，其包括电连接到所述半导体图案之一的通路。6.如权利要求1所述的发光器件，其中所述基板是导电基板，并且包括S1、应变S1、Si合金、SO1、SiC、SiGe, SiGeC, S1-Al, Ge、Ge 合金、GaAs、InAsJI1- V半导体和 I1-VI 半导体中的一个。7.如...
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