发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种发光器件。公开一种发光器件，包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层；有源层；以及第二导电半导体层；第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，该第一电流阻挡层和第二电流阻挡层被布置在发光结构上以被相互分离；透光导电层，该透光导电层被布置在第一电流阻挡层和第二电流阻挡层和发光结构上；第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极分别被电耦合到第一导电半导体层和第二导电半导体层；以及绝缘层，该绝缘层被布置在第一电极和第一电流阻挡层之间以及第二电极和第二电流阻挡层之间。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】发光器件相关申请的交叉引用本申请要求于2014年10月29日在韩国提交的韩国专利申请N0.10-2014-0147926的优先权，其通过引用被整体合并在此，如在本文中完全阐述一样。
实施例涉及一种发光器件。
技术介绍
诸如GaN、AlGaN等等的II1-V族化合物半导体材料具有诸如宽、可容易调节的能带隙的各种优点，并且因此已经被广泛地用于光电领域中的电子设备。具体地，使用II1-V或者I1-VI族化合物半导体材料的发光器件，诸如发光二极管或者激光二极管，随着薄膜生长技术和器件材料的发展具有它们可以被用于实现诸如红、绿、蓝、以及紫光(UV)色的各种颜色，并且通过利用荧光材料或者组合颜色也可以被用于实现高效白光束，并且与诸如荧光等、白炽灯等等的传统光源相比较可以具有低功耗、半持久寿命、快速响应时间、安全、以及环保。因此，发光器件已经被日益增加地应用于用于光学通信系统的发射器模块、替换组成用于液晶显示器(LCD)设备的背光单元的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光单元发光，能够更换荧光灯或者白炽灯的白色发光二极管照明、车辆头灯以及交通灯。图1是示出传统的发光器件的图。发光器件100包括由蓝宝石等等形成的衬底110、被布置在衬底110上并且包括第一导电半导体层122的发光结构120、有源层124、以及第二导电半导体层126、以及分别被布置在第一导电半导体层122和第二导电半导体层126上的第一电极160和第二电极170。通过第一导电半导体层122注入的电子和通过第二到达半导体层126注入的空穴在有源层124处被组合，发光器件100发射具有通过被用于形成有源层124的材料的先天能带确定的能量的光。取决于形成有源层124的材料的组成，从有源层124发射的光可以具有变化的颜色。在这样的情况下，光可以包括蓝光、UV或者深的UV射线等等。发光器件100可以被布置在发光器件封装中。在这样的情况下，具有从发光器件100发射的第一波长区域的光可以激励荧光体，当通过具有第一波长区域的光激励荧光体时其然后可以发射具有第二波长区域的光。在此，荧光体可以被包括在包围发光器件100的成型部分中，或者可以以荧光体膜的形式布置。然而，在上面描述的传统的发光器件具有下述缺点。在从有源层124发射的光中，朝着第二电极170行进的光可以被吸收到第二电极170中，导致发光器件100的光效率被降低。
技术实现思路
实施例提供一种具有改进的光效率的发光器件。在一个实施例中，发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层；有源层；以及第二导电半导体层；第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，该第一电流阻挡层和第二电流阻挡层被布置在发光结构上以被相互分离；透光导电层，该透光导电层被布置在第一电流阻挡层、第二电流阻挡层以及发光结构上；第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极分别被电耦合到第一导电半导体层和第二导电半导体层；通孔，该通孔通过透光导电层、第二导电半导体层以及有源层被形成到第一导电半导体层的一部分；以及通过电极，该通过电极被布置在通孔的内部，其中通过电极在垂直方向中不与第一电流阻挡层重叠。发光器件可以进一步包括绝缘层，该绝缘层被布置在第一电极和第一电流阻挡层之间以及在第二电极和第二电流阻挡层之间。可以通过绝缘层形成通孔。通过电极和第一电流阻挡层可以被线性地布置在水平方向中。绝缘层可以被布置在通孔中以在通过电极的周围延伸。第一电极可以包括第一结合焊盘和第一分支指形电极。第一结合焊盘可以被布置在发光器件的第一边缘区域处。第一分支指形电极的至少一部分可以在垂直方向中与通过电极和第一电流阻挡层重叠。通过电极可以具有比在相邻的通过电极之间的距离小的长度。第二电极可以包括第二结合焊盘和第二分支指形电极。第二结合焊盘可以被布置在发光器件的第二边缘区域处。第二分支指形电极的一部分可以在垂直方向中与第二电流阻挡层重叠。绝缘层的一部分可以被打开以形成敞开的区域，以及透光导电层可以通过敞开的区域被暴露。透光导电层和第二电极可以在敞开的区域处被直接接触。敞开的区域和通过电极可以被交替地布置在水平方向中。第一电流阻挡层和第二电流阻挡层中的至少一个可以是分布布拉格反射器(DBR)或者全方位反射器(ODR)。在另一实施例中，发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，该第一电流阻挡层和第二电流阻挡层具有DBR或者ODR结构并且被布置在发光结构上以彼此分离；透光导电层，该透光导电层被布置在第一电流阻挡层、第二电流阻挡层以及发光结构上并且在分别对应于第一电流阻挡层和第二电流阻挡层的区域处具有最小厚度；第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极分别被电耦合到第一导电半导体层和第二导电半导体层；通孔，该通孔通过透光导电层、第二导电半导体层、以及有源层被形成到第一导电半导体层的一部分；以及通过电极，该通过电极被布置在通孔中。第一电流阻挡层可以具有被布置为彼此分开的多个部分。通孔可以通过透光导电层、第二导电半导体层、以及有源层被形成到第一导电半导体层的一部分，发光器件可以进一步包括通过电极，该通过电极被布置在通孔中，并且在组成第一电流阻挡层的部分之间的间距可以与通孔的长度相同。在又一实施例中，发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，该第一电流阻挡层和第二电流阻挡层被布置在发光结构上以彼此分离；透光导电层，该透光导电层被布置在第一电流阻挡层、第二电流阻挡层以及发光结构上；第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极分别被电耦合到第一导电半导体层和第二导电半导体层；以及绝缘层，该绝缘层被布置在第一电极和第一电流阻挡层之间以及第二电极和第二电流阻挡层之间，其中通孔通过绝缘层、透光导电层、第二导电半导体层、以及有源层被形成到第一导电半导体层的一部分，通孔在垂直方向中与第一电流阻挡层不重叠，绝缘层的一部分被打开以形成敞开的区域，并且透光导电层通过敞开的区域被暴露，并且敞开的区域和通过电极被交替地布置在水平方向中。【附图说明】参考下面的附图可以详细地描述布置和实施例，其中相同的附图标记指的是相同的元件并且其中:图1是示出传统的发光器件的图；图2A和图2B是不出发光器件的一个实施例的截面图；图3A至图3Q是示出制造发光器件的方法的一个实施例的截面图；图4A至图4H是示出制造发光器件的方法的另一实施例的图；图5A和图5B是示出发光器件的电流阻挡层的一个实施例的图；图6A和图6B示出其中在确定的波长区域中模拟和测量根据实施例的发光器件的光学功率的模拟和测量结果；图7A和图7B分别是示出从根据一个实施例的发光器件和传统的发光器件发射的光的波长分布和光学功率的图；以及图8是示出具有被布置在其中的上述发光器件的发光器件封装的一个实施例的图。【具体实施方式】在下文中，参考附图将会描述实施例。将会理解的是，当元件被称为是在另一元件“上”或者“下”时，其能够直接地在另一元件上或者下，并且也可以存在一个或者多个中间元件。当元件被称为是在“上”或者“下”时，基于元件“在元件下”以及“在元件上”能够被包括。图2A和图2B是不出发光器件的一个实施例的截面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，所述第一电流阻挡层和第二电流阻挡层被布置在所述发光结构上以被相互分离；透光导电层，所述透光导电层被布置在所述第一电流阻挡层、所述第二电流阻挡层以及所述发光结构上；第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别被电耦合到所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层；以及绝缘层，所述绝缘层被布置在所述第一电极和所述第一电流阻挡层之间以及在所述第二电极和所述第二电流阻挡层之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑势演，李容京，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR