电子元器件制造技术

本发明专利技术提供玻璃陶瓷复合组成物的电子元器件，具备：由铁系氧化物磁性组成物构成的磁性体部分，与所述磁性体部分连接形成的、由玻璃陶瓷复合组成物构成的非磁性体部分，以及形成于所述磁性体部分和所述非磁性部分中至少一方的内部导体部分，所述玻璃陶瓷复合组成物具有作为主成分的微晶玻璃与作为副成分的填充物的石英，所述微晶玻璃以氧化物换算，含有２５重量％～５５重量％的ＳｉＯ↓［２］，０重量％～５５重量％的ＭｇＯ↓［３］，５重量％～３０重量％的Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］，０重量％～３０重量％的Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］，而且相对于１００重量％的所述微晶玻璃，含有５重量％～３０重量％的所述石英，同时所述石英分散于所述微晶玻璃的玻璃中。这种电子元器件具备磁导率和介电常数低、绝缘性好这样的特征。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷与导体构成的电子元器件，特别涉及使用磁性体作为构成母体的材料并用部分具有不同的磁性、介电性、绝缘性等的玻璃陶瓷复合组成物的电子元器件。
技术介绍
作为有代表性的电子元器件，可举出层叠片状电感元件、层叠片状阻抗元件、层叠片状共模扼流圈、LC滤波器等防EMI元器件。此外，多层基板、元器件内装模块等也适用于层叠片状元器件以外的元器件。以往已知有由铁氧体等磁性体与形成线圈等的导体组成的电子元器件。近年来，为了适应电子设备的高频化，要求提高电子元器件的特性。在代表性的电子元器件即层叠片状阻抗元件中，已经知道，由于在内部导体间或外部电极与内部导体间的杂散电容的原因，将使高频特性恶化，也发表了许多有关使内部导体或外部导体的结构优化的报告。此外还知道，如下述的专利文献1所代表的那样，为了提高层叠变压器中的耦合系数，采用了将非磁性体设置在磁性材料中的结构。但是在以往的层叠片状阻抗元件中，成为使高频特性恶化原因的杂散电容的值，是由片状结构与成为母体的磁性材料的相对介电常数所决定，设法改善导体结构以使特性提高是有一定限度的。作为其解决措施，如专利文献2所揭示的那样，可考虑采用部分使用相对介电常数低的材料的结构。专利文献1特公昭62-22245号公报专利文献2特开2000-331831号公报但是，在这样同时烧结不同种类材料的情况下，必须减少如下的一些问题(1)因材料间的相互扩散而引起的材料特性的劣化，(2)因收缩性能不同而引起的裂纹， (3)因热膨胀系数不同而引起的裂纹。目前还不知道有关能解决这些问题、并能获得所希望的电气特性的材料。另一方面，层叠变压器等所代表的、具备磁性材料的电子元器件中，虽然有许多通过采用部分设置小的磁性材料的结构来提高特性的方案，但仍未见到有关解决这些问题的材料的方案。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种采用玻璃陶瓷复合组合物的电子元器件，该玻璃陶瓷复合组合物具备磁导率和介电常数低、绝缘性好这样的特征，对作为母体的磁性材料的相互扩散少，能抑制接合部中裂纹、脱落或变形等的发生，而且能抑制向内部导体特别向Ag的扩散。为解决上述问题，本专利技术的电子元器件具备由铁系氧化物磁性组成物构成的磁性体部分，与所述磁性体部分连接形成的、由玻璃陶瓷复合组成物构成的非磁性体部分，以及形成于所述磁性体部分和所述非磁性部分中至少一方的内部导体部分，所述玻璃陶瓷复合组成物具有作为主成分的微晶玻璃与作为副成份的填充物的石英，所述微晶玻璃以氧化物换算，含有25重量％～55重量％的SiO2，30重量％～55重量％的MgO，5重量％～30重量％的Al2O3，0重量％～30重量％的B2O3，而且相对于100重量％的所述微晶玻璃，含有5重量％～30重量％的所述石英，同时所述石英分散于所述微晶玻璃的玻璃中。本专利技术的电子元器件，由于在磁性体部分所使用的铁系氧化物磁性组成物与非磁性体部分所使用的玻璃陶瓷复合组成物之间的界面上相互扩散少，故能获得良好的共烧结性。又，所述非磁性体部分所使用的玻璃陶瓷复合组成物具有导磁率和介电常数低、而绝缘性好的那种优良特性，且具有抑制向作为内部导体用的Ag等金属材料的扩散的作用，因此能在所述电子元器件中使用Ag等低电阻的金属材料，从而可降低所述电子元器件的直流电阻。附图说明图1为本专利技术有关的电子元器件的各种例子的概略剖视图。图2为本专利技术有关的电子元器件的各种例子的概略剖视图。图3为本专利技术有关的电子元器件的各种例子的概略剖视图。图4为本专利技术有关的电子元器件的各种例子的概略剖视图。图5为本专利技术有关的电子元器件的各种例子的概略剖视图。图6为本专利技术有关的电子元器件的各种例子的概略剖视图。图7为作为本专利技术有关的其他电子元器件的噪声滤波器的主要部分透视立体图。图8为上述噪声滤波器的分解立体图。图9为图7的III-III箭头方向剖视图，是表示常态的信号传播的状态。图10为图7的III-III箭头方向剖视图，是共模的信号传播的状态。图11为评价玻璃陶瓷复合组成物用的、与磁性体的相互扩散评价用的试料立体图。图12为评价玻璃陶瓷复合组成物用的、绝缘性评价用试料的立体图。标号的说明1、非磁性体部分；2 磁性体部分；4、内部电极(内部导体部分)；5、外部电极；具体实施方式根据图1至图10详细说明本专利技术的使用玻璃陶瓷复合组成物的电子元器件的各实施例。实施例1图1至图6是本专利技术的使用玻璃陶瓷复合组成物的电子元器件的一实施例，所示为概略剖视图。上述的电子元器件都具备形成大致长方体形状或大致圆板形的磁性体部2，形成于磁性体部2内的、采用玻璃陶瓷复合组成物的非磁性体部1，在所述非磁性体部1及所述磁性体部2的至少一方作为线圈形状或互相面对的各层状的内部导体部的内部电极4。而且，上述电子元器件最好设置与内部电极4电连接的外部电极5。上述的电子元器件中，通过内装采用玻璃陶瓷复合组成物的非磁性部1，可减少内部电极4与外部电极5之间发生的杂散电容，从而可抑制因上述杂散电容而引起的高频特性的恶化，同时减轻非磁性体部1与磁性体部2在共烧结时的所述问题，提高成品率。而且，图1所示的电子元器件中，可得到以减少线圈间及外部电极的杂散电容并提高直流叠加特性为主要目的阻抗元件。图2到图4所示的各电子元器件中，可得到以提高直流叠加特性为主要目的阻抗元件。图5所示的电子元器件是一种互相层叠板状电容器部8与板状电感器部9的LC元件，电容器部8具有设于电介质部7中的互相面对的各层状的内部电极4，电感器部9在磁性体部2内具有线圈状内部电极4。作为电介质部7的材料，可用通常的电容器所使用的电介质或玻璃陶瓷复合组成物。上述的电子元器件中，可得到以减少电感器部9的线圈间的杂散电容为主要目的的LC元件。对于图6所示的电子元器件，可得到以提高各电感器部9a与9b的线圈间的耦合、而且减少上述线圈间的杂散电容并提高上述线圈间的绝缘性为主要目的的共模扼流圈元件。这里，上述磁性体部所用的玻璃陶瓷复合组成物，是具有作为主成分的微晶玻璃与作为副成分的填充物的石英的玻璃陶瓷复合组成物，所述微晶玻璃以氧化物换算，含有25重量％～55重量％的SiO2、30重量％～55重量％的MgO，5重量％～30重量％的Al2O3，0重量％～30重量％的B2O3，而且对于所述微晶玻璃100量％含有5重量％～30重量％，并分散于所述微晶玻璃的玻璃中。详情以后再述。实施例2图7为本专利技术的作为另一电子元器件的噪声滤波器的一实施例，是主要部分的透视立体图。图8为上述噪声滤波器的分解立体图。图9为图7的III-III线箭头方向剖视图，所示为常态信号传播的状态。图10为图7的III-III线箭头方向剖视图，所示为共模信号传播的状态。图7中所示，噪声滤波器21大致由下述几部分构成磁性体层22(图8中磁性体层22a～22d)，各信号线路23、24，接地电极25A，介质部27，各信号用电极端子28、29，接地电极用电极端子30。各信号线路23、24是由导电性金属材料形成为近似带状、并设置在磁性体层22b与22c间的2条信号线路。而且，各信号线路23、24维持一定间隔互相平行地延伸，沿磁性体层22b、22c的短边(宽度)方向成往复的曲折状，并向长边(长度)方向延伸。又，各信号线路23、24的延伸方向也可在长度方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子元器件，具备：由铁系氧化物磁性组成物构成的磁性体部分，与所述磁性体部分连接形成的、由玻璃陶瓷复合组成物构成的非磁性体部分，以及形成于所述磁性体部分和所述非磁性部分中至少一方的内部导体部分，其特征在于，　　　　所述玻璃陶瓷复合组成物具有作为主成分的微晶玻璃与作为副成份的填充物的石英，　　　　所述微晶玻璃以氧化物换算，含有２５重量％～５５重量％的ＳｉＯ↓［２］，３０重量％～５５重量％的ＭｇＯ，５重量％～３０重量％的Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］，０重量％～３０重量％的Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］，而且相对于１００重量％的所述微晶玻璃，含有５重量％～３０重量％的所述石英，同时所述石英分散于所述微晶玻璃的玻璃中。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：河野大司，菊田博昭，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]