芯片电阻器制造技术

本发明专利技术提供一种不易引起安装不良且易于促进低电阻化的芯片电阻器。在芯片电阻器（１）的陶瓷基板（２）的下表面上设有：位于长度方向两端部的一对加高基底部（３）；相互间隔设定为规定尺寸且覆盖加高基底部的至少一部分的一对第一电极层（４）；桥接这些第一电极层彼此的以铜／镍合金为主成分的电阻体（５）；覆盖一对第一电极层的一对第二电极层（６）；以及覆盖电阻体的绝缘性保护层（７）。另外，在陶瓷基板的长度方向两端面上设有端面电极（９），在第二电极层和端面电极上粘附有镀层（１０～１３）。该芯片电阻器将两电极层（４、６）搭载在电路板（２０）的布线图案（２１）上实行面朝下安装。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电路的电流检测等所使用的低电阻芯片电阻器，尤其涉及面朝 下安装的低电阻芯片电阻器。技术背景一般的芯片电阻器在陶瓷基板的上表面上设有桥接一对上部电极和下部电极的电阻体(resistor)和覆盖该电阻体的保护层，而且在陶乾基板的下表面 上设有一对下部电极，在陶资基板的长度方向两端面上设有端面电极，并使其 与上部电极及下部电极紧密接合。另外，在这些各电极上粘附有镀层，在实际 安装时，通过将下部电极搭载在电路板的布线图案上并使该布线图案与该镀层 软4f料连接，而经由端面电极进行向上部电极或电阻体的通电。然而， 一直以来公知的技术是，这种芯片电阻器的电阻体较多地使用氧化 钌系的材料，但对于电路的电流检测等所使用的芯片电阻器，由于需要预先将 电阻值设定为1D以下，所以使用利用以铜为主成分的电阻体来实现低电阻化 的芯片电阻器(例如，参照专利文献l:特开平10-144501号公报，第4 5页， 图1)。这里，由于铜不仅是低电阻材料而且其电阻温度系数(TCR)小，所 以通过使电阻体的主成分为铜，可得到将设定电阻值抑制到1Q以下的低电阻 且低TCR的芯片电阻器。然而，即使在陶瓷基板的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片电阻器，其特征在于，　　　　具备：长方体形状的陶瓷基板；设置在该陶瓷基板的下表面的长度方向两端部的以玻璃为主成分的一对加高基底部；分别设置在覆盖这些加高基底部的至少一部分的区域，且相互间隔设定为规定尺寸的一对第一电极层；设置在桥接这些第一电极层彼此的区域的以铜为主成分的电阻体；分别设置在覆盖上述第一电极层的区域的一对第二电极层；以覆盖露出于这些第二电极层之间的上述电阻体的方式设置的绝缘性保护层；设置在上述陶瓷基板的长度方向两端面上且下端部与上述第二电极层紧密接合的一对端面电极；以及粘附在上述第二电极层及上述端面电极上的镀层，　　　　通过将上述第一及第二电极层搭载在电路板的布线图案上，并...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-9-21 274223/20051.一种芯片电阻器，其特征在于，具备长方体形状的陶瓷基板；设置在该陶瓷基板的下表面的长度方向两端部的以玻璃为主成分的一对加高基底部；分别设置在覆盖这些加高基底部的至少一部分的区域，且相互间隔设定为规定尺寸的一对第一电极层；设置在桥接这些第一电极层彼此的区域的以铜为主成分的电阻体；分别设置在覆盖上述第一电极层的区域的一对第二电极层；以覆盖露...

【专利技术属性】
技术研发人员：浦野幸一，
申请(专利权)人：兴亚株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]