【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于过电流保护、温度检测等的层叠型正特性热敏电阻， 尤其涉及提高室温电阻值随时间的变化率的层叠型正特性热敏电阻。
技术介绍
近年来，在电子设备的领域中要求小型化，在这些电子设备中搭载的 正特性热敏电阻也要求小型化。该正特性热敏电阻具有正的电阻温度特 性，作为被小型化的正特性热敏电阻例如公知有层叠型正特性热敏电阻。这种层叠型正特性热敏电阻，通常具有陶瓷原材，该陶瓷原材具有多 个半导体陶瓷层和沿半导体陶瓷层的界面分别形成的多个内部电极层，其 中该多个半导体陶瓷层具有正的电阻温度特性，在上述陶瓷原材的两端部 上述内部电极层按照互相不同的方式引出，按照与该被引出的内部电极层电连接的方式形成外部电极。此外，作为半导体陶瓷层采用以BaTi03系 列陶瓷材料为主成分的陶瓷层。进而，为了采用BaTi03系列陶瓷材料发 现正的电阻温度特性，添加有极微量的半导体化剂，但作为该半导体化剂 一般多采用Sm。此外，作为层叠型正特性热敏电阻的内部电极材料广泛使用Ni。通常， 在成为半导体陶瓷层的陶瓷印刷电路基板(green sheet)上丝网印刷内部 电极用导电性膏剂来形成导...
【技术保护点】
一种层叠型正特性热敏电阻，具有：实际测量烧结密度为理论烧结密度的６５％以上９０％以下的半导体陶瓷层与内部电极层交替地层叠并烧结而形成的陶瓷原材；和按照与上述内部电极层电连接的方式形成在上述陶瓷原材的两端部的外部电极， 上述半导体陶瓷层，以ＢａＴｉＯ↓［３］系陶瓷材料为主成分，同时Ｂａ位点与Ｔｉ位点之比为０．９９８≤Ｂａ位点／Ｔｉ位点≤１．００６，且包含从Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ以及Ｐｍ中选择的至少一种元素作为半导体化剂， 上述内部电极层的厚度ｄ以及上述半导体陶瓷层的厚度Ｄ满足ｄ≥０．６μｍ且ｄ／Ｄ＜０．２。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-9-20 272485/20051、一种层叠型正特性热敏电阻，具有实际测量烧结密度为理论烧结密度的65％以上90％以下的半导体陶瓷层与内部电极层交替地层叠并烧结而形成的陶瓷原材；和按照与上述内部电极层电连接的方式形成在上述陶瓷原材的两端部的外部电极，上述半导体陶瓷层，以BaTiO3系陶瓷材料为主成分，同时Ba位点与Ti位...
【专利技术属性】
技术研发人员：三原贤二良，岸本敦司，新见秀明，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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