芯片电阻器及其制造方法技术

本发明专利技术，以矩形状的玻璃保护膜4的角部分的底层不存在表面电极3a、3b的边界的方式形成玻璃保护膜4从而消除了因电极的厚度而产生的台阶。通过该结构能够消除在用于截取成多个基板的大尺寸基板上分别单独地印刷芯片电阻器的芯片个体时，玻璃保护膜的角部分会渗出并扩散到基板的外侧(分割槽)的不良状况。散到基板的外侧(分割槽)的不良状况。散到基板的外侧(分割槽)的不良状况。

【技术实现步骤摘要】
芯片电阻器及其制造方法


[0001]本专利技术，涉及一种例如用于检测电流等的芯片电阻器及其制造方法。

技术介绍

[0002]电子设备等使用芯片电阻器等大量的芯片部件，对于部件本身，不仅要求小型化还越发要求有高的可靠性。例如，用于电流检测等的低电阻值的芯片电阻器，为了在尺寸的小型化的同时提高电流检测精度，需要更进一步低电阻化。
[0003]通常的芯片电阻器，具备：在绝缘基板的上表面形成的电阻体，和电连接于该电阻体的两端部的电极，并且具有电阻体的表面和电极的一部分表面被玻璃保护膜覆盖的结构。玻璃保护膜进一步被树脂保护膜覆盖，并且在电极的表面、绝缘基板的端面等上形成有端面电极以及与该端面电极重叠的镀层。
[0004]形成玻璃保护膜的目的是，在对芯片电阻器的电阻值进行调节的步骤中保护电阻体免受激光照射。在使用用于截取成多个基板的大尺寸基板来制造芯片电阻器的情况下，例如，如专利文献1所公开的，存在形成带状的玻璃保护膜以将大尺寸基板上的多个电阻体作为一体地进行覆盖的方法。
[0005]但是，如果对多个电阻体总括地形成玻璃保护膜，那么作为玻璃保护膜而印刷的糊料状的玻璃材料，会进入为了将大尺寸基板分割成单片而设置的缝隙(分割槽)中。因此，在大尺寸基板的分割步骤中，基板可能会沿分割槽开裂，或者开裂的基板可能产生形状不良。
[0006]因此，为了避免这样的不良状况，以往还使用了如下方法：对于用于截取成多个基板的大尺寸基板上的多个电阻体，不采用玻璃保护膜以带状覆盖这些多个电阻体，而以对多个电阻体分别单独地进行覆盖的方式形成岛状的玻璃保护膜(例如，专利文献2)。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：日本特开2005－191406号公报
[0010]专利文献2：日本特许第5115968号公报

技术实现思路

[0011]专利技术要解决的技术问题
[0012]由于上文所述的、对用于截取成多个基板的大尺寸基板上的多个电阻体分别单独进行覆盖的玻璃保护膜，例如像图12(a)所示的玻璃保护膜94那样形成为矩形状，因此存在如下问题：在丝网印刷时由玻璃糊料的挤出导致该矩形状的玻璃保护膜的角部分渗出，并流入设置于大尺寸基板的缝隙(分割槽)中。
[0013]这样的问题，随着芯片电阻器的尺寸的小型化而越发显著。即，由于芯片电阻器的小型化，因而形成电阻体、电极的部分占据绝缘基板的表面的比例增大，甚至在接近缝隙(分割槽)的位置也形成电极、电阻体。其结果是，对电极、电阻体的表面进行覆盖的玻璃保
护膜也必然会在接近缝隙(分割槽)的位置形成。
[0014]此时，如图12(a)所示，如果在矩形状的玻璃保护膜94的角部分G1～G4的底层存在电极93a、93b的边界(形成有电极的部分与没有形成电极的部分的边界)，那么由于电极的厚度而会产生微小的台阶。该台阶会对玻璃糊料的印刷产生影响，如图12(b)中的空心箭头所示，产生如下不良状况：玻璃保护膜94的角部分G1～G4渗出，并且扩散到作为单独的芯片区域的、各绝缘基板的长度方向上的两侧边缘部的缝隙(分割槽)1a中。
[0015]这样的玻璃保护膜的角部分的渗出，除了存在将大尺寸基板分割成单片时产生不良状况的问题之外，由于保护膜的玻璃从绝缘基板的长边方向上的侧面露出，因此玻璃在镀覆步骤中受损，有可能对耐酸性降低产生影响。另外，从矩形状的角部分渗出的玻璃形成从绝缘基板的长边方向呈散布地露出的状态，存在对芯片电阻器的形状等产生不良影响的问题。
[0016]另一方面，在上文所述的用于检测电流的低电阻值的芯片电阻器的情况下，例如可以考虑通过使形成于绝缘基板上的电极之间的距离缩小来减小电阻体的面积(形成区域)，从而进一步低电阻化。但是，由于芯片电阻器的外形尺寸是标准化的，因此如果电阻体的面积减小，那么与之相伴随地绝缘基板上的电极的面积会变大。
[0017]通常，芯片电阻器的电极，在绝缘基板的表面上形成为矩形状，但是如果通过如上文所述减小电阻体的面积，来以较大的面积(形成区域)形成矩形的电极，那么需要较多的电极材料。在这种情况下，存在由于电极材料中含有的Ag、Pd影响而芯片电阻器的成本上升的问题。
[0018]本专利技术，鉴于上述技术问题而提出，其目的在于，在用于截取成多个基板的大尺寸基板上形成多个芯片电阻器用的元件的步骤中，防止玻璃保护膜流入缝隙(分割槽)。
[0019]解决技术问题的方法
[0020]为了实现所述目的，作为解决上述技术问题的一方式，例如，具备以下的结构。即，本专利技术的芯片电阻器的特征在于：具备：长方体形状的绝缘基板，在所述绝缘基板的表面的长度方向上的两端部隔着规定间隔相面对地配置的一对表面电极，在所述一对表面电极之间形成的电阻体，和对所述绝缘基板的规定区域进行覆盖的矩形状的保护膜，所述规定区域包括：所述电阻体的表面整体，和该电阻体与所述一对表面电极的连接部位，所述保护膜，以俯视时该保护膜的四个边角部分没有与所述一对表面电极重叠，并且，避开了所述绝缘基板的表面的长度方向上的两边缘部的方式形成。
[0021]例如特征在于，所述一对表面电极，在所述连接部位，具有扩张部，在所述绝缘基板的宽度方向上所述扩张部的宽度尺寸比所述电阻体的宽度尺寸更宽，除了该扩张部之外的其他的部位具有与该电阻体的宽度尺寸大致相同的宽度尺寸。例如特征在于，所述扩张部的宽度尺寸，以随着朝向所述绝缘基板的长度方向上的两端部而越来越接近所述电阻体的宽度尺寸的方式逐渐地变化。还例如特征在于，所述保护膜是玻璃保护膜。
[0022]另外，本专利技术的芯片电阻器的制造方法，其特征在于，包括：在用于切取出多个芯片电阻器的大尺寸绝缘基板的表面上形成正交的格子状的一次分割槽和二次分割槽的步骤；在所述大尺寸绝缘基板的表面上，在所述一次分割槽和二次分割槽所划分出的多个规定区域中形成以规定间隔彼此相面对的多个电极的步骤；以分别跨过所述相面对地配置的多个电极之间的方式形成多个电阻体的步骤；形成矩形状的玻璃保护膜，该玻璃保护膜分
别单独地覆盖包括所述多个电阻体各自的表面整体、以及该多个电阻体与所述多个电极各自的连接部位的区域；在形成所述玻璃保护膜后，对所述多个电阻体分别形成微调槽以调节电阻值的步骤；将所述大尺寸绝缘基板沿着所述一次分割槽进行分割而得到短条状基板的步骤；在所述短条状基板的分割面上形成端面电极的步骤；和将形成了所述端面电极的所述短条状基板沿着所述二次分割槽进行分割得到芯片电阻的个体的步骤，所述玻璃保护膜，以俯视时该玻璃保护膜的四个边角部分没有分别与所述多个电极重叠，并且，避开了所述二次分割槽的方式形成。
[0023]例如特征在于，所述多个电极分别在所述连接部位具有扩张部，该扩张部在所述一次分割槽方向上的宽度尺寸比所述多个电阻体各自的宽度尺寸更宽，除了该扩张部以外的其他的部位具有与该多个电阻体各自的宽度尺寸大致相同的宽度尺寸。另外，例如特征在于，还包括：沿着所述一次分割槽形成带状地延伸的多个树脂保护膜的步骤。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片电阻器，其特征在于，具备：长方体形状的绝缘基板，在所述绝缘基板的表面的长度方向上的两端部隔着规定间隔相面对地配置的一对表面电极，在所述一对表面电极之间形成的电阻体，和对所述绝缘基板的规定区域进行覆盖的矩形状的保护膜，所述规定区域，包括：所述电阻体的表面整体，和该电阻体与所述一对表面电极的连接部位，所述保护膜，以俯视时该保护膜的四个边角部分没有与所述一对表面电极重叠，并且，避开了所述绝缘基板的表面的长度方向上的两边缘部的方式形成。2.如权利要求1所述的芯片电阻器，其特征在于，所述一对表面电极，在所述连接部位具有扩张部，在所述绝缘基板的宽度方向上的所述扩张部的宽度尺寸比所述电阻体的宽度尺寸更宽，除了该扩张部之外的其他部位具有与该电阻体的宽度尺寸大致相同的宽度尺寸。3.如权利要求1或2所述的芯片电阻器，其特征在于，所述扩张部的宽度尺寸，以随着朝向所述绝缘基板的长度方向上的两端部而越来越接近所述电阻体的宽度尺寸的方式逐渐地变化。4.如权利要求1至3中任一项所述的芯片电阻器，其特征在于，所述保护膜是玻璃保护膜。5.一种芯片电阻器的制造方法，其特征在于，包括：在用于切取出多个芯片电阻器的大尺寸绝缘基板的表面上，形成正交的格子状的一次分割槽和二次分割槽的步骤；在所述大尺寸绝缘基板的...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛山和久，
申请(专利权)人：兴亚株式会社，
类型：发明
国别省市：