非易失性存储器件中的擦除方法技术

一种在非易失性存储器件中的后编程的擦除方法。该方法包括：后编程伪存储单元；验证所述伪存储单元的阈值电压是否大于或等于第一电压；后编程普通存储单元；并且验证所述普通存储单元的阈值电压是否大于或等于第二电压。所述第一电压与所述第二电压不同。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体存储器件，并且更具体地，涉及非易失性半导体存储 器件。
技术介绍
半导体存储器件可大体分类为易失性存储器件，如动态随机存取存储 器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM),在易失性存储器件中，所存储的 数据可能丢失并且可以迅速地读和写数据；和非易失性存储器件，在非易失 性存储器件中，所存储的数据可以保持，但是数据的读和写比在易失性存储 器件中慢。非易失性存储器件可分类为只读存储器(ROM)、可编程 ROM(PROM)、可擦除PROM(EPROM)和电EPROM(EEPROM)。 EEPROM或 快闪EEPROM(在下文中称为闪存，，)的数据可以被擦除，并且为栈类型栅极 结构，在所述结构中，集成了浮置栅极和控制栅极。闪存的存储阵列可以具有多个作为基本单元的串。每个串具有下述结构 在所述结构中， 一个选择晶体管和多个存储单元串行连接。在具有这样结构 的闪存器件中，对连接到与漏极选择线相邻的字线的存储单元和连接到与源 极选择线相邻的字线的存储单元的编程的速度可能降低。为解决这个问题， 已引入下述结构在所述结构中，向每个串添加连接到伪字线的存储单元。闪存器件的擦除操作大体可以分类为前编程、主擦除、和后编程。在与 普通编程操作相同的偏压条件下执行前编程，以防止存储单元在后续擦除期 间被过度不必要地擦除。前编程所有要被擦除的存储单元。在前编程后，执 行主擦除，以便在一个扇区上的所有存储单元可以具有on，，单元状态。 一旦 主编程开始，在该扇区上的所有存储单元被同时擦除。最后，执行后编程以便恢复由于主擦除而被过度擦除的存储单元。除了偏压条件外，以与前编程 类似的方式执行后编程。在传统的具有伪字线的闪存器件的情况下，不加区分地执行对连接到伪 字线的伪存储单元和连接到普通字线的普通存储单元的后编程。也就是说， 作为执行后编程的结果，普通存储单元和伪存储单元具有相同的阈值电压。 在这种情况下，将要关断的伪存储单元在擦除后的编程期间可能被接通，因 此，阻止了对普通存储单元的编程。
技术实现思路
一个实施例包括一种在非易失性存储器件中的后编程的擦除方法。该方法包括后编程伪存储单元；验证所述伪存储单元的阈值电压是否大于或等 于第一电压；后编程普通存储单元；并且验证所述普通存储单元的阈值电压 是否大于或等于第二电压。所述第一电压与所述第二电压不同。另一实施例包括一种在非易失性存储器件中的后编程的擦除方法，包括 后编程伪存储单元；后编程普通存储单元；验证每个伪存储单元的阈值电压 是否大于或等于至少一个相应的第一电压；验证所述普通存储单元的阈值电 压是否大于或等于第二电压；后编程存储单元组，所述存储单元组包括被验 证为不具有大于或等于所述至少一个相应的第一电压的阈值电压的伪存储单 元和被验证为不具有大于或等于所述第二电压的阈值电压的普通存储单元。 所述至少一个相应的第一电压的每一个与所述第二电压不同。附图说明通过参照附图详细描述实施例，上述和其他特征和优点将变得更加清楚， 其中图1是根据一实施例的非易失性半导体存储器件的电路图2是图解根据一实施例的在的流程图3是图解在根据图2的方法执行后编程时的电压状态的表；图4是图解根据另一实施例的在的流程图5是图解根据另一实施例的在的流程图6是图解在根据图5的方法执行后编程时的电压状态的表；图7是图解根据另一实施例的在的流程图8是图解根据另一实施例的在的流程图9A是图解根据传统方法的存储单元的阈值电压的分布的曲线图； 图9B是根据图2、4或7的方法的存储单元的阈值电压的分布的曲线以及图9C是根据图5或8的方法的存储单元的阈值电压的分布的曲线图。 具体实施例方式现在将参照附图更充分地描述实施例。贯穿附图，相同的参考数字表示 相同的元素。图1是根据一实施例的非易失性半导体存储器件的电路图。图1图解了 非易失性半导体存储器件的一个串100。非易失性半导体存储器件(并且具 体地闪存存储器件)的串100包括第一选择晶体管GST、第二选择晶体管SST、第一伪存储单元DC1、第二伪存储单元DC2和多个普通存储单元CO.....C30、 C31。尽管图1图解了 32个串联连接的存储单元，但是对于本领域普 通技术人员来说很明显在实施例中，可以串联连接任何数目的存储单元。第一选择晶体管GST的栅极线是第一选择线GSL，第二选择晶体管SST的栅极线是第二选择线SSL，以及普通存储单元CO..... C31的栅极线分别是普通字线WLO..... WL31。第一伪存储单元DC1的栅极线是第一伪字线DWL1,而第二伪存储器单元DC2的栅极线是第二伪字线DWL2。图2是图解根据一实施例的在的流程 图。更具体地，图2图解了对将参照图1描述的非易失性存储器件后编程的 方法。首先，在S210，对分别与伪字线DWL1和DW2连接的伪存储单元DC1和DC2执行后编程，而不后编程普通存储单元CO.....C31。在完成对伪存储单元DC1和DC2的后编程后，验证是否对伪存储器单元DC1和DC2 成功地执行了后编程。例如，在S220，验证伪存储单元DC1和DC2的阈值 电压是否大于或等于第一电压。第一电压是通过对伪存储单元DC1和DC2后编程得到的阈值电压。如果在S220确定伪存储单元DC1和DC2的阈值电压小于第一电压，则 在S210，再次对伪存储单元DC1和DC2执行后编程。如果在S220确定伪存储单元DC 1和DC2的阈值电压大于或等于第 一 电 压，则在S230，对普通存储单元CO、 ...、 C31进行后编程。在完成对普通存储单元CO..... C31的后编程后，在S240验证是否成功地执行了后编程。例如，在S240,验证普通存储单元CO.....C31的阈值电压是否大于或等于第二电压。第二电压是通过后编程普通存储单元CO..... C31得到的阈值电压。在一个实施例中，第一电压比第二电压大。如果在S240确定普通存储单元C0.....C31的阈值电压小于第二电压，则在S230,再次对普通存储单元CO.....C31后编程。尽管关于阈值电压的验证，使用措辞大于或等于，但是阈值电压也可以 小于期望阈值电压。例如，如果当在相关字线上的信号比阈值电压小时，特 定存储单元操作，则存储单元的阈值电压的验证可以包括验证其阈值电压是 否小于或等于期望阈值电压。图3是图解在根据图2的方法执行后编程时的电压状态的示例。参考图 1到3，当在S210对伪存储单元DC1和DC2 4丸行后编程时，编程电压Vpgm 被施加到伪字线DWL1和DWL2，而通过电压Vpass被施加到普通字线 WLO、 ...、 WL31。该编程电压Vpgm是施加到连接将要后编程的存储单元的 栅极的字线的电压(例如25V)。通过电压Vpass是施加到连接不被后编程的 存储单元的栅极的字线的电压(例如8V )。当在S220确定伪存储单元DC1和DC2的阈值电压是否大于或等于第一 电压时，第一电压Vrl被施加到伪字线DWL1和DWL2,以及第三电压Vread 被施加到普通字线WLO、 ...、 WL31。在一实施例中，第三电压Vread被施 加到没有被验证为比第一电压Vrl高的字线。例如，第三电压Vread可以是 6.5V。在完成对伪存储单元DC1、 D本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在非易失性存储器件中的后编程的擦除方法，该方法包括：　后编程伪存储单元；　使用第一电压验证所述伪存储单元的阈值电压；　后编程普通存储单元；和　使用第二电压验证所述普通存储单元的阈值电压；　其中，所述第一电压与所述第二电压不同。

【技术特征摘要】
KR 2007-6-11 56792/071、一种在非易失性存储器件中的后编程的擦除方法，该方法包括后编程伪存储单元；使用第一电压验证所述伪存储单元的阈值电压；后编程普通存储单元；和使用第二电压验证所述普通存储单元的阈值电压；其中，所述第一电压与所述第二电压不同。2、 如权利要求1所述的擦除方法，其中，所述第一电压比所述第二电 压高。3、 如权利要求1所述的擦除方法，还包括如果所述伪存储单元的阈值 电压被验证为小于所述第一电压，则再次后编程所述伪存储单元。4、 如权利要求1所述的擦除方法，还包括如果所述普通存储单元的阔 值电压被验证为小于所述第二电压，则再次后编程所述普通存储单元。5、 如权利要求1所述的擦除方法，其中，所述伪存储单元的后编程包括 施加编程电压到多条连接所述伪存储单元的伪字线以便后编程所述伪存储单元；以及施加通过电压到多条连接所述普通存储单元的普通字线以^使不对所述普 通存储单元后编程。6、 如权利要求1所述的擦除方法，其中，所述普通存储单元的后编程包括施加编程电压到多条连接所述普通存储单元的普通字线以便后编程所述 普通存储单元；以及施加通过电压到多条连接所述伪存储单元的伪字线以便不对所述伪存储 单元后编禾呈。7、 如权利要求1所述的擦除方法，其中，所述伪存储单元的阈值电压的 验证包括施加所述第一电压到所述多条伪字线；和施加第三电压到所述多条普通字线；其中，所述第三电压比所述第一电压和所述第二电压高。8、 如权利要求1所述的擦除方法，其中，所述普通存储单元的阈值电压 的验证包括施加所述第二电压到所述多条普通字线；和 施加第三电压到所述多条伪字线；其中，所述第三电压比所述第一电压和所述第二电压高。9、 如权利要求1所述的擦除方法，其中，在所述伪存储单元的后编程和 所述伪存储单元的阈值电压的验证之前执行所述普通存储单元的后编程和所 述普通存储单元的阈值电压的验证。10、 如权利要求1所述的擦除方法，其中，在所述普通存储单元的后编 程和所述普通存储单元的阈值电压的验证之前执行所述伪存储单元的后编程 和所述伪存储单元的阈值电压的-睑证。11、 如权利要求1所述的擦除方法，其中，在所述伪存储单元的阈值电 压的验证和所述普通存储单元的阈值电压的验证之前执行所述伪存储单元的 后编程和所述普通存储单元的后编程。12、 一种在非易失性存储器件中的后编程的擦除方法，该方法包括 后编程第一伪存储单元；使用第 一 电压马全证所述第 一伪存储单元的阔值电压； 后编程第二伪存储单元；使用第二电压验证所述第二伪存储单元的阈值电压； 后编程普通存储单元；和使用第三电压验证所述普通存储单元的阈值电压；其中，所述第三电压与所述第一电压和所述第二电压不同。13、 如权利要求12所述的擦除方法，还包括如果所述第一伪存储单元 的阈值电压被验证为小于所述第一电压，则再次后编程所述第一伪存储单元。14、 如权利要求12所述的擦除方法，还包括如果所述第二伪存储单元 的阈值电压被验证为小于所述第二电压，则再次后编程所述第二伪存储单元。15、 如权利要求12所述的擦除方法，还包括如果所述普通存储单元的 阈值电压#1验证为小于所述第三电压，则再次后编程所述普通存储单元。16、 如权利要求12所述的擦除方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：金杜坤，朴起台，李永宅，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]