【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及一种非易失性存储器及其操作，且尤其涉及用于确保受控擦除条件的技术。
技术介绍
本专利技术的原理已应用于那些目前现有的和那些预期使用正在开发的新技术的不同类型的非易失性存储器。然而，关于其中存储元件为浮栅(floating gate)的快闪电可擦除且可编程只读存储器(EEPROM)来描述本专利技术的实施。在非易失性存储器的操作期间，一个存储单元中数据的读取、写入和擦除将常常干扰存储器的其它存储单元中存储的数据。这些干扰的一个来源是相邻浮栅之间的场效应耦合，在Jian Chen和Yupin Fong的美国专利第5,867,429号中描述所述浮栅，所述专利的全文以引用的方式并入本文中。在美国专利第6,522,580号中描述用于减少所述干扰的另外技术，所述专利的全文以引用的方式并入本文中。此效应和读取与写入干扰的其它来源存在于不同类型的快闪EEPROM单元阵列中。一个设计的一NOR阵列使其存储器单元连接在相邻位(列)线之间，且使控制栅极连接到字(行)线。个别单元含有一个浮栅晶体管，其具有或不具有与其串联而形成的一选择晶体管，或由单个选择晶体管分离的两...
【技术保护点】
一种在包含复数个形成于一阱结构上的存储元件的 一非易失性存储器中，擦除所述存储元件的一所选择的一个的方法，其包括：将所述存储元件的所述阱结构和一控制栅极同时充电到一擦除电压；和随后使所述选择的存储元件的所述控制栅极放电，同时保持所述阱结构和所述未选择的控制栅极上的所述擦除电压。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-9-25 10/671,8471.一种在包含复数个形成于一阱结构上的存储元件的一非易失性存储器中，擦除所述存储元件的一所选择的一个的方法，其包括将所述存储元件的所述阱结构和一控制栅极同时充电到一擦除电压；和随后使所述选择的存储元件的所述控制栅极放电，同时保持所述阱结构和所述未选择的控制栅极上的所述擦除电压。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述保持包括在使所述选择的存储元件的所述控制栅极放电时，将电荷截留于所述阱结构和所述未选择的控制栅极上。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述保持进一步包括对所述阱结构上所截留的所述电荷电平进行更新。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述保持进一步包括通过对所述阱结构上截留的所述电荷电平进行更新，对所述未选择的控制栅极上截留的所述电荷电平进行更新。5.根据权利要求2所述的方法，其中所述保持进一步包括对所述未选择的控制栅极上截留的所述电荷电平进行更新。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述复数个存储元件包括于所述存储元件的一阵列中，且其中所述阵列的存储元件的所述控制栅极连接到字线，藉此设定所述控制栅极的电压电平。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述阵列为一第一芯片的部分，其进一步包括在一第二芯片上产生所述擦除电压；和将所述擦除电压传送至所述第一芯片，以用于所述对所述阱结构和所述存储元件中的每一个的一控制栅极的同时充电。8.一种用于一非易失性存储器的方法，所述非易失性存储器包含复数个形成于一阱结构上并与其电容性耦合的存储元件，所述方法包括选择一个或一个以上但少于全部的所述存储元件以用于擦除；将所述阱结构保持在一擦除电压；在将所述阱结构保持在所述擦除电压同时，将所述未选择的存储元件的一控制栅极上的电压电平升高到高于电容性耦合到所述阱结构所产生的电压电平；和在将所述阱结构保持在所述擦除电压同时，将所述选择的存储元件的一控制栅极上的电压电平降低到所述擦除电压以下。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述将所述未选择的存储元件的一控制栅极上的所述电压电平升高到高于电容性耦合到所述阱结构所产生的电压电平包括将所述未选择的存储元件中的每一个的所述控制栅极充电到所述擦除电压，同时充电所述阱结构，并随后在所述未选择的控制栅极上保持所述擦除电压。10.根据权利要求8所述的方法，其中所述降低所述选择的存储元件的所述控制栅极上的所述电压电平包括使所述选择的存储元件的所述控制栅极放电。11.一种非易失性存储器，其包括复数个形成于一衬底上的存储单元；所述衬底中的一阱结构，所述存储单元形成于所述衬底上；和控制电路，其可连接到所述衬底和所述复数个存储单元中的每一个的一控制栅极，藉此可将所述阱结构和所述控制栅极的所述电压电平同时设定到一擦除电压，且藉此进一步在保持所述阱结构和所述存储元件的未选择的存储元件上的所述擦除电压时，可使所述存储元件的选择的存储元件的所述控制栅极放电所述擦除电压。12.根据权利要求11所述的非易失...
【专利技术属性】
技术研发人员：汉德克尔N卡迪尔，劳尔阿德里安切尔内亚，
申请(专利权)人：桑迪士克股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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