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本发明提供一种非易失性存储器及其操作方法，所述方法可减少在一擦除过程期间未选择的单元中干扰的量。对于形成于一共同阱结构上方的一组存储元件来说，首先用同样高电压的擦除信号对所有字线充电，所述电压擦除信号也对所述阱充电以确保在所述阱与字线之间不...
该专利属于桑迪士克股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克股份有限公司授权不得商用。

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