非易失性存储装置制造方法及图纸

提供一种非易失性存储装置。所述非易失性存储装置可包括至少一串、与所述至少一串相应至少一条位线和／或感测晶体管。所述至少一串可包括串联的多个存储单元晶体管。感测晶体管可包括被配置为感测相应位线的电压的栅极。感测晶体管的阈值电压可高于通过从被施加以读取所述相应位线的电压减去给定电压所获得的电压，其中，所述相应位线被连接到所述多个存储单元晶体管中将被读取的存储单元晶体管。

【技术实现步骤摘要】

示例性实施例涉及一种非易失性存储装置，例如，涉及一种包括具有较 高阈值电压的感测晶体管的非易失性存储装置。
技术介绍
即使没有向能够电擦除和编程的非易失性存储装置提供电源，所述非易 失性存储装置也可存储数据。非易失性存储装置可以是闪存。闪存是使用电荷存储来存储数据的装置。形成闪存的每个存储单元由包 括控制栅极、电荷存储层、源极和漏极的单元晶体管构成。闪存调整电荷存 储层中存储的电荷量，以改变存储单元上写的数据的值。如果电荷被注入到单元晶体管的电荷存储层中，则单元晶体管的阚值电 压增加。如果从单元晶体管的电荷存储层擦除电荷，则单元晶体管的阈值电 压降低。电荷存储层具有负电荷并且单元晶体管的阈值电压为负(例如，负数) 的状态被称为擦除状态。电荷被注入到电荷存储层中并且单元晶体管的阈值电压大于0的状态被称为编程状态。
技术实现思路
示例性实施例提供一种包括具有较高阈值电压的感测晶体管的非易失性存储装置。根据示例性实施例，非易失性存储装置可包括至少一串、与所述至少一 串相应至少一条位线和/或感测晶体管。所述至少一 串可包括串联的多个存储 单元晶体管。感测晶体管可包括被配置为感测相应位线的电压的栅极。感测 晶体管的阈值电压可以高于通过从净皮施加以读耳又所述相应位线的电压减去结l 定电压所获得的电压，其中，所述相应位线被连接到所述多个存储单元晶体 管中将被读取的存储单元晶体管。根据示例性实施例，所述至少一串可以包括栅极被连4妻到串选择线的串选择晶体管和/或栅极被连接到相应位线的地选择晶体管。所述多个存储单元 晶体管的栅极可以被连接到所述相应字线。根据示例性实施例，非易失性存储装置还可包括用于对位线预充电的 预充电晶体管。预充电晶体管可包括PMOS晶体管，地电压可^^皮施加到预充 电晶体管的栅极以对位线预充电。感测晶体管可被包括在页緩沖器中。附图说明从下面结合附图对示例性实施例的详细描述，以上和/或其他方面和优点 将变得更清楚，并更容易理解，其中图1是解释在包括多个存储单元晶体管的至少一串中的编程处理的电路图2是解释在包括多个存储单元晶体管的至少一串中的读取处理的电路图3是示出根据示例性实施例的非易失性存储装置的感测电路的电路图4A和图4B是分别示出在图1和图2的非易失性存储装置中的位线的 示例性电压和示例性电流的示例性曲线图5A和图5B是解释图3的预充电晶体管的操作的示图。具体实施例方式现在将参照附图更全面地描述示例性实施例。然而，实施例可以是许多 不同的形式，并且不应该被解释为限于这里阐述的示例性实施例。此外，提 供这些示例性实施例，以使本公开将是彻底的和完整的，并将范围全面地传 达给本领域的技术人员。在附图中，为了清晰，可夸大区和层的厚度。将明白，当部件被称为在另一部件上、连接到或结合到另一 部件时，所述部件可直接在其他部件上接通、连接到或结合到其他部件，或 者可存在中间部件。相反，当部件被称为直接在另一部件上、直接连接 到或直接结合到另一部件时，不存在中间部件。这里所使用的术语和 /或包括有关列出的项的一个或多个的任何和所有组合。将明白，尽管这里可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，^旦这些术语不应该限制这些元件、部件、区、层和/或部分。 这些术语只用于将元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或 部分区分开。因此，在不脱离示例性实施例的教导的情况下，下面讨论的第 一元件、部件、区、层或部分可被称为第二元件、部件、区、层或部分。这里，为便于描述，可使用空间相对术语(例如，之下、下面、较 低、之上、上部等)来描述在附图中示出的一个部件或特征与另一部 件或特征的关系。将明白，空间上相对术语想要包括除了附图中描述的方位 之外的使用或操作中的装置的不同方位。这里所使用的术语仅为了描述特定示例性实施例的目的，而不是为了限 制。这里描述的单数形式想要包括复数形式，除非上下文另外明确指示不包 括复数形式。还将明白，在本说明书中使用的包括指定陈述的特征、整 体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整 体、步骤、操作、元件和/或部件的存在或添加。除非另外限定，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语) 具有与示例性实施例所属领域的 一个普通技术人员通常理解的意思相同的意 思。还将明白，术语(例如，那些在通用词典中定义的术语)应该被解释为 具有与它们在相关领域的上下文中的意思一致的意思，而不对其进行理想地 或过度正式地解释，除非这里进行了特别地限定。现在将对示例性实施例进行阐述，所述示例性实施例在附图中示出，其 中，相同的标号始终表示相同的部件。图l-2示出两个串Sl和S2。然而，串的数量2仅是为了便于描述的示例， 串的数量不限于在示例性实施例中两个。串Sl可包括连接在串选择晶体管 TSS1和地选4奪晶体管TGS1之间的多个存储单元晶体管TM1—1至TMn一l。 可将串选择晶体管TSS1和地选择晶体管TGS1分别连接到第一源区和漏区 D1和D3。可将串选择晶体管TSS1的栅极连接到串选择线SSL。例如，可通 过栅极选择线GSL1将地选择晶体管TGS1的栅极连接到位线BL1。可将共 源极线CSL连接到第一源区和漏区D3。类似地，串S2可包括在串选择晶体 管TSS2和地选择晶体管TGS2之间连接的多个存储单元晶体管TM1—2至 TMn—2。可将串选择晶体管TSS2和地选择晶体管TGS2分别连接到第一源区 和漏区D2和D4。可将串选择晶体管TSS2的栅极连接到串选择线SSL。例 如，可通过栅极选4奪线GSL2将地选择晶体管TGS2的栅极连接到位线BL2。可将共源线CSL连接到第一源区和漏区D4。可将字线WL1至WLn连接到 第一串Sl的存储单元晶体管TMl—1至TMn—1的栅极和第二串S2的存储单 元晶体管TM1_2至TMn—2的4册极。图i是解释在包括多个存储单元晶体管的至少一串中的编程处理的电路图。以下，存储单元晶体管TM2—1可以是将被编程的存储单元晶体管。 为了对存储单元晶体管TM2—1编程，可将第一电压Vcc施加到位线BL1, 所述位线BL1连接到包括存储单元晶体管TM2J的串Sl。从串Sl中包括的 存储单元晶体管TM1—1至TMn—1中，可将编程电压Vpgm施加到存储单元 晶体管TM2—1的控制栅极，和/或可将通过电压施加到剩余存储单元晶体管 TM1一1和TM3—1至TMn—1的控制栅极。通过电压Vpass可以是用于导通存 储单元晶体管的电压，编程电压Vpgm可以是用于将电荷注入到存储单元晶 体管的电荷存储层中的电压。编程电压Vpgm可高于通过电压Vpass。可通过 连接到存储单元晶体管TM1—1至TMn—1的控制栅极的字线WLl-WLn施加 编程电压Vpgm和通过电压Vpass。可将地电压施加到连接到串S2的位线BL2，以防止对串S2的存储单元 晶体管TM1—2至TMn_2编程。图2是解释包括多个存储单元晶体管的至少 一 串的读取处理的电路图。 以下，存储单元晶体管TM2J可以是将被读取的存储单元晶体管。 为了对存储单元晶体管TM2—1执行读取处理，可将第一电压Vcc施加到 位线BL1 ，可将读取电压Vread施加到存储单元晶体管TM2J的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储装置，包括：　至少一串，包括串联的多个存储单元晶体管；　至少一条位线，与所述至少一串相应；　感测晶体管，包括被配置以感测相应位线的电压的栅极，其中，如果所述相应位线被读取，则感测晶体管的阈值电压高于所述相应 位线的饱和电压。

【技术特征摘要】
KR 2007-10-17 10-2007-01044751、一种非易失性存储装置，包括至少一串，包括串联的多个存储单元晶体管；至少一条位线，与所述至少一串相应；感测晶体管，包括被配置以感测相应位线的电压的栅极，其中，如果所述相应位线被读取，则感测晶体管的阈值电压高于所述相应位线的饱和电压。2、 如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，如果所述相应位线被 读取，则阈值电压4氐于^皮施加以读耳又所述相应位线的电压，并高于所述相应 位线的饱和电压，其中，所述相应位线-陂连接到所述多个存储单元晶体管中 将被读取的存储单元晶体管。3、 如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，感测晶体管的阈值电压，其中，所述相应位线被连接到所述多个存储单元晶体管中将被读取的存储单元晶体管。4、 如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中， 如果将被读取的存储单元晶体管处于擦除状态，则感测晶体管截止， 如果将被读取的存储单元晶体管处于编程状态，则感测晶体管导通。5、 如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述至少一串包括栅 极与所述相应位线连接的地选择晶体管。6、 如权利要求5所述的非易失性存储装置，其中，感觉晶体管的阚值电 压高于所述相应位线的饱和电压，所述相应位线:故连4妄到所述多个存储单元 晶体管中处于擦除状态的将被读取的存储单元晶体管。7、 如权利要求6所述的非易失性存储装置，其中， 感测晶体管的阈值电压高于0 V 。8、 如权利要求5所述的非易失性存储装置，其中，所述至少一串包括被 连接到地选择晶体管的栅极的地选择线，所述地选择线一皮连接到所述相应位线。9、 如权利要求8所述的非易失性存储装置，其中，通过掺杂杂质形成的 源区和漏区被包括在置于存储单元晶体管和地选择...

【专利技术属性】
技术研发人员：成政宪，朴珠姬，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]