一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器，包括充电控制电路和检测输出电路两部分。充电控制电路包括ＰＭＯＳ管Ｐ１和ＮＭＯＳ管Ｎ１、Ｎ２，检测输出电路包括ＰＭＯＳ管Ｐ２、Ｐ３和ＮＭＯＳ管Ｎ３，Ｎ４，Ｎ５；其中ＰＭＯＳ管Ｐ１和ＮＭＯＳ管Ｎ１、ＮＭＯＳ管Ｎ４和ＰＭＯＳ管Ｐ２、ＮＭＯＳ管Ｎ５和ＰＭＯＳ管Ｐ３分别为反相器结构。本实用新型专利技术利用了ＭＯＳ管的双向导通性，从浮栅管的源极、而不是选择管的漏极进行充电。由于浮栅管的源极都连接在一起，大大减少了充电电路的数目；利用电压检测的方式进行信息的区分，通过修改反相器的反相阈值，降低充电电压，从而提高读出的速度。本实用新型专利技术特别适合无源ＲＦＩＤ标签芯片的嵌入式ＥＥＰＲＯＭ应用，在保证数字逻辑工作电压的情况下，降低整个芯片的复位阈值，较好的抗阈值退化能力提高整个标签芯片的使用寿命。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器，其特征在于：该灵敏放大器包括充电控制电路和检测输出电路两部分，其中，充电控制电路（１）包括ＰＭＯＳ管Ｐ１和ＮＭＯＳ管Ｎ１、Ｎ２；ＰＭＯＳ管Ｐ１和ＮＭＯＳ管Ｎ１组成反相器结构，其公共栅极作为充电控制端Ａ，其公共漏极与ＮＭＯＳ管Ｎ２的漏极相连作为充电输入端，和浮栅管ＭＣ的源极相连，ＮＭＯＳ管Ｎ２的栅极作为泄放控制端Ｂ；当充电控制端Ａ和泄放控制端Ｂ均为低电平时，充电控制电路（１）开始充电；检测输出电路（２）包括ＰＭＯＳ管Ｐ２、Ｐ３和ＮＭＯＳ管Ｎ３，Ｎ４，Ｎ５；ＮＭＯＳ管Ｎ４和ＰＭＯＳ管Ｐ２、ＮＭＯＳ管Ｎ５和ＰＭＯＳ管Ｐ３分别为反相器结构，并串连在一起，ＮＭＯＳ管Ｎ４和ＰＭＯＳ管Ｐ２的公共漏极作为输出与ＮＭＯＳ管Ｎ５和ＰＭＯＳ管Ｐ３的公共栅极连接，ＮＭＯＳ管Ｎ５和ＰＭＯＳ管Ｐ３的公共漏极作为放大器的输出端；ＮＭＯＳ管Ｎ３的漏极与选择管ＭＳ的漏极、以及ＮＭＯＳ管Ｎ４和ＰＭＯＳ管Ｐ２的公共栅极连接在一起，构成检测输出电路（２）的检测节点ＢＬ，ＮＭＯＳ管Ｎ３的栅极作为检测节点的泄放控制端Ｃ；当泄放控制端Ｃ为低电平时，检测节点ＢＬ电位被检测输出电路（２）检测并输出，此时当检测节点ＢＬ电位高于反相器阈值电压时，输出一个信号，当该节点电位低于反相器阈值电压时，输出为另一个信号。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邹雪城，刘冬生，刘政林，张帆，童乔凌，邓敏，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：实用新型
国别省市：83[中国|武汉]