【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体存储器的(如DRAM、ROM和快速存储器),特别是涉及一种带有内置行缓冲器的半导体存储器。如附图说明图1所示,传统的带有内置行缓冲器的半导体存储器中通常包括具有256K位容量的子阵列11,以及一个能够存储该子阵列11的单元的16行数据的线行缓冲器12。为每个子阵列11设置行缓冲器12,并连接到公共I/O总线(未示出)。该行缓冲器12保持要从外部周边电路经该公共I/O总线传输到子阵列11的外部数据,以及从子阵列11读出并传输到外部周边电路的外部数据。如上文所述,在传统的半导体存储器中为每个子阵列设置的行缓冲器连接到公共I/O总线。为了实现这种连接,有必要在每个行缓冲器和公共I/O总线之间形成由大量总线构成的内部I/O总线,由于内部I/O总线的存在不可避免地会产生使半导体芯片尺寸变大的问题。如为避免增大半导体芯片的尺寸较大而把内部I/O总线省去,那么有必要在半导体基片上形成三层铝布线层,这又会造成增加生产成本的问题。本专利技术的一个目的在于提供一种带有内置行缓冲器的半导体存储器,这种半导体存储器能够避免增大芯片的尺寸,并可降低生产成本。本专利技术的另一个目的在于提供一种驱动这种半导体存储器的方法。在本专利技术的一个方面中,提供一种包含多个子阵列,而每个子阵列又由多个单元组成的半导体存储器,其特征是,至少一个行缓冲器连接到所有的子阵列,并可通过该行缓冲器实现外部电路与子阵列之间的数据传输。该半导体存储器还可以包括用于表明要处理的数据是否存储于相连的行缓冲器中的状态位。该半导体存储器还可以包括至少一条连接到在单元中分布于第一方向上的单 ...
【技术保护点】
一种半导体存储器中包括多个阵列,在每个子阵列中都包含多个单元(S), 其特征在于: 至少一个行缓冲器(5A、5B、5C、5D、6A、6B、6C、6D)连接所有所述的子阵列(1A、1B、1C、1D), 在外部电路与所述子阵列(1A、1B、1C、1D)之间的数据传输通过所述行缓冲器(5A、5B、5C、5D、6A、6B、6C、6D)来完成。
【技术特征摘要】
JP 1997-9-30 266473/971.一种半导体存储器中包括多个阵列,在每个子阵列中都包含多个单元(S),其特征在于至少一个行缓冲器(5A、5B、5C、5D、6A、6B、6C、6D)连接所有所述的子阵列(1A、1B、1C、1D),在外部电路与所述子阵列(1A、1B、1C、1D)之间的数据传输通过所述行缓冲器(5A、5B、5C、5D、6A、6B、6C、6D)来完成。2.如权利要求1所述的半导体存储器,其特征在于其中还包括用于表示是否要被处理的数据存储于一个相连的行缓冲器(5A、5B、5C、5D、6A、6B、6C、6D)中的状态位(9)。3.如权利要求1或2所述的半导体存储器,其特征在于,其中还包括至少一条连接到在所述单元(S)中分布于第一方向上的单元(S)的栅极的字线(WL);至少一条用于向所述单元(S)中分布于第二方向上的单元(S)的一个电极提供数据写信号的位线(BL),其中所述第二方向与所述第一方向相垂直;至少一条用于从分布于所述第二方向的单元(S)的另一个所述电极读出数据的地线;多个与每个所述子阵列(1A、1B、1C、1D)相连,用于向所述位线(BL)提供读出放大电流的读出放大器(3,4)。4.如权利要求2所述的半导体存储器,其特征在于,其中还包括第一控制器(7),当要把数据传输到一个相连行缓冲器(5A、5B、5C、5D、6A、6B、6C、6D)中时如果所述状态位表明要被处理的数据存储于所述相连的行缓冲器(5A、5B、5C、5D、6A、6B、6C、6D)中,则该控制器在把数据传输到所述相连行缓冲器之前把已存储于所述相连的行缓冲器(5A、5B、5C、5D、6A、6B、6C、6D)中的数据传输到相连的子阵列(1A、1B、1C、1D)中。5.如权利要求2或4所述的半导体存储器,其特征在于,其中还包括第二控制器(8),当要把数据传输到一个相连行缓冲器(5A、5B、5C、5D、6A、6B、6C、6D)中时如果所述状态位表明要被处理的数据存储于所述相连的行缓冲器(5A、5B、5C、5D、6A、6B、6C、6D)中,则该控制器在把数据传输到所述相连行缓冲器之前把已存储于所述相连的行缓冲器(5A、5B、5C、5D、6A、6B、6C、6D)中的数据传输到一个空的行缓冲器。6.如权利要求5所述的半导体存储器,其特征在于,所述的第二控制器(8)的数据读写速度比所述第一控制器(7)的快。7.如权利要求3所述的半导体存储器,其特征在于,每个所述读出放大器(3,4)中包括位于每个所述子阵列(1A、1B、1C、1D)相对侧的第一(3)和第二(4)读出放大器;所述行缓冲器(5A、5B、5C、5D、6A、6B、6C、6D)包括用于保存通过所述第一读出放大器(3)写入所述子阵列(1A、1B、1C、1D)的数据和通过所述第一读出放大器(3)从所述子阵列(1A、1B、1C、1D)...
【专利技术属性】
技术研发人员:福造幸雄,
申请(专利权)人:尔必达存储器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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