快闪存储器装置的编程方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种对快闪存储器装置编程的方法。根据本发明专利技术，在完成编程操作之后，重复执行编程验证操作，其中也检测经编程的存储器单元的阈值电压。如果存在存储器单元，其阈值电压作为该检测的结果而变低，则在相应存储器单元上再次执行该编程操作。因此，可能获得阈值电压的均匀分布特性。此外，编程验证操作利用经初始设定得高于目标电压的比较电压执行，使得存储器单元的阈值电压充分高于该目标电压。在根据重复数目降低该比较电压的同时，再次执行该编程验证操作。因此，可能防止正常编程的单元再次被过度编程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种对快闪存储器装置编程的方法，尤其涉及这样一种对快闪存储器装置编程的方法其中可获得编程操作的可靠性及该编程操作之后的均匀阈值电压特性。
技术介绍
快闪存储器装置为用于存储数据的存储装置，且具有即使停止电源供应也保持数据未受到擦除的特性。由于此原因，所以快闪存储器装置已被用作诸如移动电话、PDA及MP3播放器之类的电子产品的数据存储装置。存在对于快闪存储器装置的需求快速增加的趋势。一般来说，将快闪存储器装置主要分类成NOR类型的快闪存储器装置及NAND类型的快闪存储器装置。它们的共同之处在于数据通过编程操作存储，且通过擦除操作擦除。此时，如果执行编程操作，则快闪存储器单元的阈值电压升高。相反，如果进行擦除操作，则该快闪存储器单元的阈值电压降低。例如，在NAND类型的快闪存储器装置中，如果执行编程操作，则快闪存储器单元的阈值电压增加至高于0V。如果执行擦除操作，则阈值电压降低至低于0V。同时，可通过读取操作确认存储于存储器单元中的数据。这样，NOR类型的快闪存储器装置及NAND类型的快闪存储器装置具有相同的基本操作。虽然它们具有相同的操作，但施加至快闪存储器单元的操作电压具有不同电平。在下文中，为便于说明，将详细描述其中编程操作在NAND类型的快闪存储器装置中被执行的情形。图1为说明相关技术中实施对快闪存储器装置编程的方法的步骤的流程图。参照图1，相关技术中对快闪存储器装置编程的方法包括数据输入步骤(S110)、编程操作步骤(S120)、编程验证步骤(S130)、编程操作再执行步骤(S140)及编程验证再执行步骤(S150)。将在下文中详细描述这些步骤。在数据输入步骤(S110)中，将要存储于存储器单元中的数据输入至存储器装置。更具体地讲，数据被存储于包括在快闪存储器装置的页缓冲器中的锁存部件中。页缓冲器为包括在NAND类型的快闪存储器装置中的元件，且在本领域已公知。将省略关于页缓冲器的结构及操作的详细描述。在编程操作步骤(S120)中，将存储于页缓冲器中的数据存储于存储器单元中。此时，在NAND类型的快闪存储器装置的情形中，基于页来执行编程操作，且经编程的存储器单元的阈值电压高于0V。同样，如何基于页来执行编程操作在本领域中已公知。将省略其详细描述。同时，在存储于存储器单元中的数据被全部擦除的情况下执行编程操作。普遍情况为通常在编程操作之前执行擦除操作。在编程验证步骤(S130)中，验证数据是否通过编程操作正常存储于存储器单元中。此时，该验证操作比较经编程的存储器单元的阈值电压与比较电压(例如，1V)。如果经编程的存储器单元的阈值电压高于该比较电压，则确定已成功执行编程操作。相反，如果经编程的存储器单元的阈值电压低于该比较电压，则确定未成功执行编程操作。如果整个存储器单元的编程操作正常执行(或已成功)，则编程操作结束。在编程操作再执行步骤(S140)中，在其上未正常执行(或未成功执行)编程操作的存储器单元上再次执行编程操作。在编程验证再执行步骤(S150)中，验证数据是否已正常存储于其上再次执行编程操作的存储器单元中。如果已正常执行整个存储器单元的编程操作，则完成编程操作。如果未正常执行整个存储器单元的编程操作，则重复执行编程操作再执行步骤(S140)及编程验证再执行步骤(S150)直至整个存储器单元的编程操作正常完成为止。前述编程操作不再在其上正常执行所述操作的存储器单元上执行。因此，存在具有高于目标电压的阈值电压的存储器单元，但该阈值电压对于经正常编程的存储器单元而言可能并非足够高。在此情形中，如果阈值电压随时间前进而变化或归因于周边存储器单元的操作的影响而变化，则阈值电压可变得低于该目标电压，且存储于存储器单元中的数据可被改变。此外，其上执行若干编程操作的存储器单元的阈值电压变得充分地高于目标电压。因此，存在的缺点在于总阈值电压的电平变得不规则。由于这一点，存在编程操作的可靠性降低的问题。
技术实现思路
本专利技术的优点在于一种对快闪存储器装置编程的方法，其中在完成编程操作之后，重复执行编程验证操作，其中也检测经编程的存储器单元的阈值电压，且如果作为该检测的结果，存在其阈值电压变低的存储器单元，则在相应存储器单元上再次执行该编程操作，由此获得阈值电压的均匀分配特性。此外，以经初始设定高于目标电压的比较电压执行编程验证操作，使得存储器单元的阈值电压充分高于该目标电压。在根据重复数目降低该比较电压的同时，再次执行该编程验证操作。因此，可能防止正常编程的单元再次受到过度编程。在根据本专利技术的实施例的对快闪存储器装置编程的方法中，通过重复执行编程操作及编程验证操作将存储器单元编程。在此情形中，在包括其上在编程验证操作中已正常执行编程操作的存储器单元的整个存储器单元上执行该编程验证操作。在上文中，当升高施加至存储器单元的编程电压的同时，可重复执行编程操作。此时，编程电压可自16.5V升高至19.5V。此外，根据编程操作数目，可将编程电压增加0.2V至0.5V。在编程验证操作中，可将用于判定存储器单元的阈值电压电平的比较电压设定为高于目标阈值电压，且当将该比较电压降低至该目标阈值电压的同时，可重复执行编程验证操作。此时，该比较电压可自1.15V至1.25V下降至1.05V至0.95V。此外，当无论何时进行该编程验证操作两次至六次时，可施加该比较电压，同时该比较电压降低0.02V至0.03V。此外，可将编程验证操作的整个重复数目划分成n数目的周期，其中当比较电压降低的同时，将该比较电压施加至各个周期，使得在第一周期中施加目标阈值电压+V1作为比较电压，在第二周期中施加低于V1的目标阈值电压+V2作为比较电压，且在最后第n个周期中施加目标阈值电压作为比较电压。此时，该目标阈值电压可为0.8V至1.2V。根据本专利技术的另一实施例的对快闪存储器装置编程的方法包括将存储器单元编程的编程步骤、验证存储器单元的编程状态的验证步骤、根据验证结果将编程失败的存储器单元再次编程的编程再执行步骤以及再验证包括其上已正常执行编程操作的存储器单元的整个存储器单元的编程状态的再验证步骤。在此情形中，重复执行该编程再执行步骤及该再验证步骤。在上文中，可重复执行该编程再执行步骤及该再验证步骤直至不存在编程失败的存储器单元为止。在该验证步骤中，可比较存储器单元的阈值电压与比较电压以验证存储器单元的编程状态，其中可将该比较电压设定为高于目标阈值电压。该方法可进一步包括比较电压设定步骤，用于重新设定在该再验证步骤中使用的比较电压，以根据再验证的执行数目判定编程失败的存储器单元的阈值电压的电平。可将再验证步骤的整个重复数目划分成n数目的周期，其中当比较电压降低的同时，将该比较电压施加至各个周期，使得在第一周期中施加目标阈值电压+V1作为比较电压，在第二周期中施加低于V1的目标阈值电压+V2作为比较电压，且在最后第n个周期中施加目标阈值电压作为比较电压。此外，当无论何时进行再验证操作两次至六次时，可施加该比较电压，同时该比较电压降低0.02V至0.03V。该编程再执行步骤可包括当根据编程执行数目增加施加至存储器单元的编程电压的电平的同时，再执行该编程。此时，编程电压可自16.5V升高至19.5V且可根据编程再执行数目增加0.2V至0本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对快闪存储器装置编程的方法，其包含以下步骤：（ａ）执行编程操作，使得快闪存储器单元的每一个阈值电压变得高于目标阈值电压；（ｂ）设立高于该阈值电压的比较电压；及（ｃ）执行编程验证操作用于确定快闪存储器单元的每一个阈 值电压是否高于该比较电压。

【技术特征摘要】
KR 2005-5-27 45177/051.一种对快闪存储器装置编程的方法，其包含以下步骤(a)执行编程操作，使得快闪存储器单元的每一个阈值电压变得高于目标阈值电压；(b)设立高于该阈值电压的比较电压；及(c)执行编程验证操作用于确定快闪存储器单元的每一个阈值电压是否高于该比较电压。2.如权利要求1所述的方法，其中步骤(a)、(b)及(c)被重复直至所有快闪存储器单元具有高于该比较电压的阈值电压为止。3.如权利要求2所述的方法，其中无论何时编程电压被施加至快闪存储器单元而升高编程电压之后，执行该步骤(a)。4.如权利要求3所述的方法，其中该编程电压自16.5V被升高至19.5V。5.如权利要求4所述的方法，其中该编程电压当无论何时执行该编程操作时在0.2V至0.5V的范围内升高。6.如权利要求2所述的方法，其中该步骤(c)对具有高于该比较电压的阈值电压的快闪存储器单元中的一些快闪存储器单元重复执行。7.如权利要求2所述的方法，其中无论何时执行该编程验证操作而降低该比较电压之后执行该步骤(c)。8.如权利要求7所述的方法，其中该比较电压自1.15V至1.25V下降至0.95V至1.05V。9.如权利要求8所述的方法，其中该比较电压当无论何时执行该编程验证操作两次至六次时在0.02V至0.03V的范围内下降。10.如权利要求2所述的方法，其中该目标阈值电压在0.8V至1.2V的范围中设立。11.一种对快闪存储器装置编程的方法，其包含以下步骤(a)执行第一编程操作，使得快闪存储器单元的每一个阈值电压变得高于目标阈值电压；(b)设立高于该目标阈值电压的比较电压；(c)执行第一编程验证操作，用于通过比较该比较电压与所述存储器单元的目标阈值电压来确定各存储器单元的每一个阈值电压是否高于该比较电压；(d)如果快闪存储器单元具有低于该比较电压的阈值电压，则执行第二编程操作，使得经检测的快闪存储器单元具有高于该比较电压的阈值电压；(e)执行第二编程验证操作，用于通过比较该比较电压与各存储器单元的每一个阈值电压来确定各存储器单元的每一个阈值电压是否高于该比较电压；以及(f)重复步骤(d)及(e)，使得所有快闪存储器单元具有高于该比较电压的阈值电压。12.如权利要求11所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴成济，张丞镐，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]