刷新半导体存储器中数据的方法和电路结构技术

提供了一种刷新半导体存储器件中数据的方法和电路结构，其中对有限数的行执行刷新操作。有限数目的行只包括例如由监视写入操作所确定的包含有效数据的那些行。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及半导体存储器件，尤其涉及具有需要刷新的存储单元的动态半导体存储器件。
技术介绍
亚微米CMOS技术的发展导致了对高速半导体存储器件，如动态随机存取存储(DRAM)器件、伪静态随机存取存储(PSRAM)器件等的需求增长。这里，这些存储器件统称为DRAM器件。这些器件利用由一个晶体管和一个电容器组成的存储单元。由于泄漏，这些存储单元需要周期性的刷新来避免存储在存储单元中的数据随着时间的流逝恶化或退化。存储在存储单元中的数据当被存取时(例如通过读取或写入操作)自动恢复为满逻辑电平，但当不被存取时必须周期性地刷新。因此，DRAM器件一般包括利于存储单元刷新的刷新电路。图1示出了利用常规刷新电路120来刷新以四个存储体(1040-1043)设置的多行存储单元的示例性DRAM器件100。如图所示，刷新电路120一般包括刷新定时器122和刷新地址计数器126。当进入自刷新模式时，响应于用于通过命令总线128探测外部器件发出的刷新命令的命令编码器112，激活刷新定时器122。当激活时，刷新定时器产生通过存储体控制逻辑电路106开始刷新操作的周期性刷新请求(REFRESH_REQ本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减小半导体存储器件中的电流的方法，该半导体存储器件包含多行存储单元，该方法包括：保持表示将要被刷新的存储单元的行的多个位；和只刷新由所述多个位表示的将要被刷新的那些行。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-11-18 10/715,8121.一种减小半导体存储器件中的电流的方法，该半导体存储器件包含多行存储单元，该方法包括保持表示将要被刷新的存储单元的行的多个位；和只刷新由所述多个位表示的将要被刷新的那些行。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括获得将要被包含在刷新操作中的多个行的有限部分的指示；和只刷新由所述位表示的并包含在所述有限部分中的那些行。3.根据权利要求2所述的方法，其中接收该有限部分的指示包括读取部分阵列刷新模式寄存器。4.根据权利要求1所述的方法，其中保持表示将要被刷新的存储单元的行的多个位包括监视写入操作；和设定与在被监视的写入操作中涉及的数据行对应的位。5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括响应于复位事件，只清除与在被监视的写入操作中涉及的数据行对应的位。6.根据权利要求5所述的方法，其中复位事件由模式寄存器表示。7.一种在一个或多个半导体存储器件中选择性地刷新存储单元的行的方法，包括监视对存储单元的写入操作；保持多个位，该多个位表示包含在被监视的写入操作中涉及的存储单元的行；和根据所述多个位来限制对其执行刷新操作的行的数目。8.根据权利要求7所述的方法，其中根据所述多个位来限制对其执行刷新操作的行的数目包括只对包含在被监视的写入操作中涉及的存储单元的那些行执行刷新操作。9.根据权利要求7所述的方法，其中监视对存储单元的写入操作包括通过半导体存储器件来监视写入操作。10.根据权利要求7所述的方法，其中监视对存储单元的写入操作包括通过与半导体存储器件耦合的存储控制器来监视写入操作。11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括保持多个位，该多个位表示包含在所述存储控制器上被监视的写入操作中涉及的存储单元的行；将第一多个位传输给第一存储器件；和使第一存储器件处于自刷新模式中，其中只对由第一多个位表示的、包含在被监视的写入操作中涉及的存储单元的那些行执行刷新操作。12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括将第二多个位传输给第二存储器件；和使第二存储器件处于自刷新模式中，其中只对由第二多个位表示的、包含在被监视的写入操...

【专利技术属性】
技术研发人员：JH区，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]