控制多端口随机存取存储器刷新操作的方法和存储器系统技术方案

一种多端口存储器系统，包括共享存储体、被配置为从多个处理器接收刷新命令的多个命令解码器以及与该共享存储体和该命令解码器耦合并被配置为有选择地将来自该命令解码器的刷新命令施加于该共享存储体的刷新控制器。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及一种半导体存储器器件，特别是涉及控制多端口动态随机存取存储器(DRAM)刷新操作的方法和应用该方法的存储器系统。
技术介绍
DRAM器件由于其高集成度和高操作速度而得到广泛的应用。DRAM单元包括晶体管和电容。大量这样的DRAM单元能够被集成为单个DRAM器件。DRAM单元比其他的存储器单元例如静态随机存取存储器(SRAM)单元更小。然而，由于泄漏电流，在DRAM单元充电后一段时间DRAM单元的电荷会减少。其后果是DRAM需要被周期性地刷新。具体地说，存储在DRAM单元的电容内的数据需要被周期性地刷新。有两种刷新DRAM的方法自动刷新方法和自刷新方法。在自动刷新方法中，一个预先设定的时间周期被分配于DRAM的正常操作周期内，在DRAM的正常操作周期期间刷新操作被自动执行。在自刷新方法中，当DRAM处于备用模式时执行刷新操作。自动刷新方法和自刷新方法对于半导体存储器器件领域的普通技术人员是显而易见的。双端口RAM是具有两个输入/输出端口的存储器。具体地说，双端口RAM具有一个允许相关联的处理器访问该双端口RAM的输入/输出端口，以及具有一个允许被外部处理器通过总线访问该双本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多端口存储器系统，包括：　　　　共享存储体；和　　　　与该共享存储体耦合的刷新控制器，其被配置为有选择地将来自多个处理器的刷新命令施加于该共享存储体。

【技术特征摘要】
KR 2005-7-25 67290/051.一种多端口存储器系统，包括共享存储体；和与该共享存储体耦合的刷新控制器，其被配置为有选择地将来自多个处理器的刷新命令施加于该共享存储体。2.如权利要求1所述的多端口存储器系统，其中该刷新控制器被进一步配置为取消第一刷新命令。3.如权利要求1所述的多端口存储器系统，其中该刷新控制器被进一步配置为当该刷新控制器正在处理第二刷新命令时取消第一刷新命令。4.如权利要求1所述的多端口存储器系统，进一步包括与该刷新控制器耦合的比较器，其被配置为将多个命令信号与一设定值进行比较，以生成一比较结果；其中该刷新控制器被配置为响应该比较结果，有选择地将一刷新命令施加于该共享存储体。5.如权利要求4所述的多端口存储器系统，进一步包括多个命令解码器，被配置为从多个处理器接收刷新命令；和多个输入缓冲器，每个输入缓冲器与相关联的命令解码器以及比较器相耦合，其被配置为接收相关联的命令信号。6.如权利要求4所述的多端口存储器系统，其中该比较器被进一步配置为对于每个命令信号，将该命令信号的芯片选择信号与一模式寄存器代码进行比较，以生成比较结果。7.如权利要求6所述的多端口存储器系统，其中该刷新控制器被配置为仅施加与匹配该模式寄存器代码的芯片选择信号相关联的刷新命令。8.如权利要求1所述的多端口存储器系统，进一步包括与该刷新控制器耦合的刷新标志生成器，其被配置为生成一刷新标志，用于指示在该共享存储体上是否正在执行刷新操作；和多个刷新计数器，每个刷新计数器与该刷新控制器耦合，其被配置为响应一关联的刷新命令对而刷新的地址进行计数。9.如权利要求8所述的多端口存储器系统，其中该刷新控制器被进一步配置为当该刷新控制器正在处理第一刷新命令时，响应该刷新标志而取消第二刷新命令。10.如权利要求8所述的多端口存储器系统，其中该刷新控制器被进一步配置为响应该刷新计数器计数值的比较结果，取消一刷新命令。11.如权利要求10所述的多端口存储器系统，其中该刷新控制器被进一步配置为如果该刷新计数器计数值的比较结果指示该刷新计数器的计数值不相等，则取消一刷新命令。12.如权利要求1所述的多端口存储器系统，进一步包括多个命令解码器，被配置为从多个处理器接收刷新命令...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙汉求，金世振，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]