包含对各个存储单元的多写入脉冲编程的NAND存储阵列及其操作方法技术

本发明专利技术揭示一种实例性的ＮＡＮＤ串存储阵列，其可实现对半选存储单元沟道的容性升压以减轻所述半选单元的编程扰动影响。为减轻泄漏电流使所述升高的电平降低的影响，使用多个具有变短的持续时间的编程脉冲来限制这些泄漏电流可使未选定ＮＡＮＤ串内的电压降低的时间周期。此外，对于未选定的与所选定的ＮＡＮＤ串二者来说，每一ＮＡＮＤ串的一端或两端处的多个串联选择装置可进一步确保降低通过这些选择装置的泄漏。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包含具有串联存储单元的存储阵列的半导体集成电路，且在较佳实施例中，本专利技术具体而言涉及单片式三维存储阵列。
技术介绍
半导体处理技术及存储单元技术的最近发展使在集成电路存储阵列中所获得的密度一直持续提高。例如，某些无源元件存储单元阵列可制成使字线接近于最小形体尺寸(F)及使特定字线互连层具有最小的形体间距、并同时还使位线接近最小形体宽度及使特定位线互连层具有最小形体间距。此外，已制成了具有不止一个存储单元平面或层的三维存储阵列—其在每一存储平面上均构建所谓的4F2存储单元。在颁予Johnson等人且名称为“竖直堆叠的现场可编程非易失性存储器及制造方法(VerticallyStacked Field Programmable Nonvolatile Memory and Method of Fabrication)”的第6,034,882号美国专利中阐述了某些实例性三维存储阵列。还有各种各样的其他的存储单元技术及方案也为人们所知。例如，已知NAND快闪及NROM快闪EEPROM存储阵列能够实现相对小的存储单元。还已知具有其他使用热电子编程的小的快闪EEPROM单元，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于操作一具有一存储阵列的集成电路的方法，所述存储阵列包含布置成复数个串联连接的ＮＡＮＤ串的存储单元，所述存储单元包括可修改电导的开关装置，所述方法包括以脉冲使一所选定字线达到一编程电压若干次以达到用于一所选定存储单元的一总的编程时间、同时将各单个编程脉冲限制至持续时间明显小于所述总的编程时间，由此限制一所选定区块的ＮＡＮＤ串内的泄漏电流效应。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-12-5 10/729,8441.一种用于操作一具有一存储阵列的集成电路的方法，所述存储阵列包含布置成复数个串联连接的NAND串的存储单元，所述存储单元包括可修改电导的开关装置，所述方法包括以脉冲使一所选定字线达到一编程电压若干次以达到用于一所选定存储单元的一总的编程时间、同时将各单个编程脉冲限制至持续时间明显小于所述总的编程时间，由此限制一所选定区块的NAND串内的泄漏电流效应。2.如权利要求1所述的方法，其进一步包括仅在至少两个编程脉冲之后执行一读取作业。3.如权利要求1所述的方法，其进一步包括在各个编程脉冲之间在相关联的阵列线上保持一禁止电压。4.如权利要求1所述的方法，其中所述泄漏电流效应包括原本在一长的编程脉冲期间可能出现的在一NAND串内一个或多个位置处的电压偏压的变化。5.如权利要求4所述的方法，其进一步包括在每一此种编程脉冲之前在一所选定区块中所选定的及未选定的NAND串内重新建立一各自的偏压条件。6.如权利要求1所述的方法，其进一步包括将一所选定存储区块内未选定的NAND串耦合至传送一禁止电压的相关联阵列线上，以在这些未选定的NAND串内建立一偏压条件；及如果尚未解耦合，则将所述所选定存储区块内未选定的NAND串与传送不同于所述禁止电压的偏置电压的相关联阵列线解耦合。7.如权利要求6所述的方法，其进一步包括在各个编程脉冲之间在所述相关联的阵列线上保持所述禁止电压。8.如权利要求6所述的方法，其进一步包括在将未选定的NAND串耦合至传送所述禁止电压的所述相关联阵列线的同时将所述所选定的字线驱动至一低于所述编程电压的电压；然后将所述未选定的NAND串与传送所述禁止电压的所述相关联的阵列线解耦合；及然后以脉冲使所述所选定字线达到所述编程电压。9.如权利要求8所述的方法，其中在将未选定的NAND串与传送所述禁止电压的所述相关联的阵列线解耦合之前使所述所选定的字线接地，并然后将其驱动至所述编程电压。10.如权利要求6所述的方法，其中所述将未选定的NAND串解耦合的步骤包括关断所述所选定NAND串一端处的复数个串联选择装置中的至少一个。11.如权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述所选定的NAND串耦合至一传送如下两个电压之一的相关联阵列线一用于对所述所选定存储单元进行编程的位线编程电压或一用于禁止对所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈恩星，安德鲁J沃克，罗伊E朔伊尔莱因，苏切塔纳拉莫图，阿尔佩尔伊尔克巴哈尔，卢卡G法索利，
申请(专利权)人：桑迪士克三D公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]