通过温度测量改善半导体存储装置中的动态刷新的设备和方法制造方法及图纸

本文公开了一种存储系统和用于刷新存储器的处理。存储系统包括存储器、配置成测量存储器温度的温度传感器，和配置成以刷新速率来刷新存储器的存储器控制器，刷新速率被控制为由温度传感器测量的温度的函数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开一般涉及数据处理，并且更具体地涉及刷新动态易失性存储器的技术。
技术介绍
存储系统现今广泛应用于数据处理系统中用来存储各种处理机构所需要的数据。存储系统一般包括管理对存储器的访问的存储器控制器。典型的是将存储器配置成由存储单元的行和列所形成的矩阵结构，每个存储单元能够存储一个比特的数据。通过将适当的地址提供到存储器控制器，处理机构或其它源可访问存储单元。来自处理机构的地址可在总线上被发送到存储器控制器，行地址占用低位比特，而列地址占用高位比特。存储器控制器使用多路技术将行地址在列地址之后发送到存储器。该多路技术减少了存储器芯片的引脚数，并从而降低成本。现代的数字系统典型地使用随机访问存储器(RAM)作为主存储器。RAM有两种基本类型动态RAM(DRAM)和静态RAM(SRAM)。SRAM作为开关运行，并且每个存储单元需要多个晶体管。另一方面，DRAM的每个存储单元使用一个晶体管和一个电容器，这使它成为所选择的存储器，因为它比SRAM廉价并且占用的空间较少。然而，DRAM并不是没有缺点。特别是电容器非常小并且易于非常快地放电，需要刷新电路来保持充电并且从而保持所存储的信息。然本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储系统，包括：　　　　存储器；　　　　温度传感器，其被配置成测量所述存储器的温度；和　　　　存储器控制器，其被配置成以刷新速率来刷新所述存储器，所述刷新速率被控制为由所述温度传感器测量的温度的函数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-7-2 60/585,310;US 2005-6-10 11/150,6491.一种存储系统，包括存储器；温度传感器，其被配置成测量所述存储器的温度；和存储器控制器，其被配置成以刷新速率来刷新所述存储器，所述刷新速率被控制为由所述温度传感器测量的温度的函数。2.如权利要求1所述的存储系统，其中，所述存储器控制器还包括具有时钟速率的系统时钟，所述时钟速率被控制为由所述温度传感器测量的温度的函数。3.如权利要求1所述的存储系统，其中，所述存储器包括所述温度传感器。4.如权利要求1所述的存储器，其中，所述存储器包括温度寄存器，所述温度寄存器被配置成对由所述温度传感器测量的温度进行编码，所述刷新速率被控制为所述编码温度的函数。5.如权利要求4所述的存储系统，其中，所述编码温度包括多个刷新速率乘数。6.如权利要求5所述的存储系统，其中，所述存储器控制器还被配置成调整所述刷新速率，使其等于从所述温度寄存器接收到的所述刷新速率乘数和基本刷新速率的乘积。7.如权利要求6所述的存储系统，其中，所述刷新速率乘数的范围是从所述基本刷新速率的至少(1/4)倍到所述基本刷新速率的至少4倍。8.如权利要求5所述的存储系统，其中，所述编码温度还包括指示由所述温度传感器测量的无效温度的代码。9.一种存储器，包括多个存储器位置；和温度寄存器，其被配置成提供与所述存储器的温度相对应的编码输出，所述编码输出包括可由外部源使用以控制所述存储器位置的刷新速率的信息。10.如权利要求9所述的存储器，还包括温度传感器，所述温度传感器被配置成测量所述存储器的所述温度。11.如权利要求9所述的存储器，其中，所述编码输出包括多个刷新速率乘数。12.如权利要求11所述的存储器，其中，所述刷新速率乘数的范围是从所述基本刷新速率的至少(1/4)倍到所述基本刷新速率的至少4倍。13.如权利要求11所述的存储器，其中，所述编码输出还包括指示由所述温度传感器测量的无效温度的代码。14.一种存储器控制器，其被配置成以刷新速率来刷新存储器，所述存储器控制器包括刷新时钟，其被配置成接收与所述存储器的温度相关的控制信号，并且控制所述存储器的所述刷新速率，使其作为所述控制信号的函数。15.如权利要求14所述的存储器控制器，还包括具有时钟速率的系统时钟，所述系统时钟被配置成接收第二控制信号，...

【专利技术属性】
技术研发人员：RM沃克，PW小雷马克鲁斯，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]