【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于在包含存储单元阵列的非易失性存储设备中执行编程操作的方法，其中所述存储单元阵列包括多个非易失性存储单元，所述方法包括步骤： 在编程操作的第一编程间隔期间，在从多个非易失性存储单元中所选择的多个选择存储单元之中的第一组中编程具有第一逻辑状态的数据；以及 在所述第一编程间隔之后的、编程操作的第二编程间隔期间，在所述选择存储单元之中的第二组中编程具有不同于第一逻辑状态的第二逻辑状态的数据。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李光振，郭忠根，金杜应，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]
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