【技术实现步骤摘要】
存储单元信号裕度确定方法及装置、存储介质及电子设备
本公开涉及集成电路
,具体而言,涉及一种存储单元信号裕度确定方法及装置、存储介质及电子设备。
技术介绍
动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory,DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件,由许多阵列排布的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管。目前的DRAM中,存储单元阵列的密度较大,在存储单元自身以及相邻存储单元之间存在着多种噪声。这些噪声通常会消耗存储单元的信号裕度,使得存储单元中实际可用的信号裕度减小,如果实际可用的信号裕度过小,则会导致DRAM数据存取出错。因此,确定DRAM中存储单元的实际信号裕度,对于DRAM的性能评估具有重要意义。需要说明的是,在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种存储单元信号裕度确定方法及装置、存储介质及电子设备,以确定出存储单元的实际信号裕度。本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本专利技术的实践而习得。根据本公开的第一方面,提供一种存储单元信号裕度确定方法,所述方法包括:在存储单元执行写入和读取操作过程中,确定存储单元在噪声影响下的感应信号阈值;根据所述感应信号阈值,确定所述存储单元在读取数据时的实际信号裕度。可选的,所述噪声至少包括感应放大器失配噪声、数据 ...
【技术保护点】
1.一种存储单元信号裕度确定方法,其特征在于,所述方法包括:/n在存储单元执行写入和读取操作过程中,确定存储单元在噪声影响下的感应信号阈值;/n根据所述感应信号阈值,确定所述存储单元在读取数据时的实际信号裕度。/n
【技术特征摘要】
1.一种存储单元信号裕度确定方法,其特征在于,所述方法包括:
在存储单元执行写入和读取操作过程中,确定存储单元在噪声影响下的感应信号阈值;
根据所述感应信号阈值,确定所述存储单元在读取数据时的实际信号裕度。
2.根据权利要求1所述的存储单元信号裕度确定方法,其特征在于,所述噪声至少包括感应放大器失配噪声、数据背景噪声、数据保留时间噪声和信号时序噪声中的一个或多个。
3.根据权利要求2所述的存储单元信号裕度确定方法,其特征在于,确定所述存储单元在噪声影响下的感应信号阈值包括:
确定所述存储单元在所述感应放大器失配噪声影响下的第一信号阈值;
和/或,确定所述存储单元在所述数据背景噪声影响下的第二信号阈值;
和/或,确定所述存储单元在所述数据保留时间噪声影响下的第三信号阈值;
和/或,确定所述存储单元在所述信号时序噪声影响下的第四信号阈值。
4.根据权利要求3所述的存储单元信号裕度确定方法,其特征在于,根据所述感应信号阈值,确定所述存储单元在读取数据时的实际信号裕度包括:
根据所述第一信号阈值、所述第二信号阈值、所述第三信号阈值和/或所述第四信号阈值,确定所述存储单元在读取数据时的实际信号裕度。
5.根据权利要求4所述的存储单元信号裕度确定方法,其特征在于,根据所述第一信号阈值、所述第二信号阈值、所述第三信号阈值和所述第四信号阈值,确定所述存储单元在读取数据时的实际信号裕度包括:
计算所述存储单元的理论信号裕度;
根据所述理论信号裕度和所述第一信号阈值,计算所述感应放大器失配噪声对应的信号裕度第一消耗值;
根据所述第一信号阈值和所述第二信号阈值,计算所述数据背景噪声对应的信号裕度第二消耗值;
根据所述第一信号阈值和所述第三信号阈值,计算所述数据保留时间噪声对应的信号裕度第三消耗值;
根据所述第一信号阈值和所述第四信号阈值,计算所述信号时序噪声对应的信号裕度第四消耗值;
根据所述理论信号裕度、所述信号裕度第一消耗值、所述信号裕度第二消耗值、所述信号裕度第三消耗值和所述信号裕度第四消耗值,确定所述实际信号裕度。
6.根据权利要求4所述的存储单元信号裕度确定方法,其特征在于,根据所述第一信号阈值、所述第二信号阈值、所述第三信号阈值和所述第四信号阈值,确定所述存储单元在读取数据时的实际信号裕度包括:
根据所述第一信号阈值和所述第二信号阈值,计算所述数据背景噪声对应的信号裕度第二消耗值;
根据所述第一信号阈值和所述第三信号阈值,计算所述数据保留时间噪声对应的信号裕度第三消耗值;
根据所述第一信号阈值和所述第四信号阈值,计算所述信号时序噪声对应的信号裕度第四消耗值;
根据所述第一信号阈值、所述信号裕度第二消耗值、所述信号裕度第三消耗值和所述信号裕度第四消耗值,确定所述实际信号裕度。
7.根据权利要求3-6中任一项所述的存储单元信号裕度确定方法,其特征在于,确定所述存储单元在所述感应放大器失配噪声影响下的第一信号阈值包括:
在存储器的多个所述存储单元中写入相同的数据,将数据保留时间设置为第一预设时间,将信号时序时间设置为第二预设时间,确定所述第一信号阈值。
8.根据权利要求7所述的存储单元信号裕度确定方法,其特征在于,确定所述第一信号阈值包括:
改变所述存储单元中电容器的第一极板上的电压,获取在不同电压影响下所述存储器中失效位元的数量;其中,所述电容器的第二极板与所述存储单元中晶体管的源极相连,所述第一极板与所述第二极板相对设置;
在所述失效位元的数量达到预设允许失效数量时,将所述存储单元在读取操作过程中位线上的电压变化量确定为所述第一信号阈值。
9.根据权利要求3-6中任一项所述的存储单元信号裕度确定方法,其特征在于,确定所述存储单元在所述数据背景噪声影响下的第二信号阈值包括:
根据不同的数据分布结构,在存储器的多个所述存储单元中写入不同的数据,将数据保留时间设置为第一预设时间,将信号时序时间设置为第二预设时间,确定所述第二信号阈值。
10.根据权利要求9所述的存储单元信号裕度确定方法,其特征在于,确定所述第二信号阈值包括:
改变所述存储单元中电容器的第一极板上的电压,获取在不同电压影响下所述存储器中失效位元的数量;
改变所述数据分布结构,获取不同的数据分布结构下,所述失效位元的数量达到预设允许失效数量时对应的第一极板上不同的电压;
在所述不同的电压中,确定出最小电压,将所述最小电压对应的所述存储单元在读取操作过程中位线上的电压变化量确定为所述第二信号阈值。
11.根据权利要求3-6中任一项所述的存储单元信号裕度确定方法,其特征在于,确定所述存储单元在所述数据保留时间噪...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈建,吴耆贤,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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