感应放大器失配确定方法及装置、存储介质及电子设备制造方法及图纸

本公开是关于一种感应放大器失配确定方法及装置、存储介质及电子设备，涉及集成电路技术领域。该感应放大器失配确定方法包括：在所述第一存储单元执行写入和读取操作过程中，确定所述第一位线上的第一信号阈值；在所述第二存储单元执行写入和读取操作过程中，确定所述第二位线上的第二信号阈值；根据所述第一信号阈值和所述第二信号阈值，确定所述感应放大器是否失配。本公开提供一种确定感应放大器是否失配的方法。

【技术实现步骤摘要】
感应放大器失配确定方法及装置、存储介质及电子设备
本公开涉及集成电路
，具体而言，涉及一种感应放大器失配确定方法及装置、存储介质及电子设备。
技术介绍
动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多阵列排布的存储单元组成。由于存储单元阵列的密度较大，在存储单元自身以及相邻存储单元之间存在着多种噪声。这些噪声通常会消耗存储单元的信号裕度，使得存储单元中实际可用的信号裕度减小，如果实际可用的信号裕度过小，则会导致DRAM数据存取出错。在上述多种噪声中，以感应放大器失配引起的噪声对信号裕度的消耗最大。因此，确定DRAM中感应放大器是否失配，对于DRAM的性能评估具有重要意义。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种感应放大器失配确定方法及装置、存储介质及电子设备，以确定存储器中的感应放大器是否失配。本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本专利技术的实践而习得。根据本公开的第一方面，提供一种感应放大器失配确定方法，所述感应放大器连接第一位线和第二位线，其中，所述第一位线位于第一存储单元，所述第二位线位于第二存储单元，所述感应放大器失配的确定方法包括：在所述第一存储单元执行写入和读取操作过程中，确定所述第一位线上的第一信号阈值；r>在所述第二存储单元执行写入和读取操作过程中，确定所述第二位线上的第二信号阈值；根据所述第一信号阈值和所述第二信号阈值，确定所述感应放大器是否失配。可选的，在所述第一存储单元执行写入和读取操作过程中，确定所述第一位线上的第一信号阈值包括：在所述第一存储单元所在的存储器的多个存储单元中写入相同的数据；将数据保留时间设置为第一预设时间，将信号时序时间设置为第二预设时间，确定所述第一信号阈值。可选的，确定所述第一信号阈值包括：保持所述第二存储单元中电容器极板上的电压不变，改变所述第一存储单元中电容器的第一极板上的电压，获取在不同电压影响下所述存储器中失效位元的数量；其中，所述第一存储单元中电容器的第二极板与所述第一存储单元中晶体管的源极相连，所述第一极板与所述第二极板相对设置；在所述失效位元的数量达到预设允许失效数量时，将所述第一存储单元在读取操作过程中所述第一位线上的电压变化量确定为所述第一信号阈值。可选的，改变所述第一存储单元中电容器的第一极板上的电压包括：在所述第一存储单元执行写入操作之前，将所述第一存储单元中电容器的第一极板的电压从第一电压改为第二电压；在所述第一存储单元执行读取操作之前，将所述第一极板的电压改变回所述第一电压。可选的，获取在不同电压影响下所述第一存储器中失效位元的数量包括：改变所述第二电压的大小，获取不同的所述第二电压影响下的所述失效位元的数量。可选的，在所述第二存储单元执行写入和读取操作过程中，确定所述第二位线上的第二信号阈值包括：在所述第二存储单元所在的存储器的多个存储单元中写入相同的数据；将数据保留时间设置为第一预设时间，将信号时序时间设置为第二预设时间，确定所述第二信号阈值。可选的，确定所述第二信号阈值包括：保持所述第一存储单元中电容器极板上的电压不变，改变所述第二存储单元中电容器的第三极板上的电压，获取在不同电压影响下所述存储器中失效位元的数量；其中，所述第二存储单元中电容器的第四极板与所述第二存储单元中晶体管的源极相连，所述第三极板与所述第四极板相对设置；在所述失效位元的数量达到预设允许失效数量时，将所述第二存储单元在读取操作过程中第二位线上的电压变化量确定为所述第二信号阈值。可选的，改变所述第二存储单元中电容器的第三极板上的电压包括：在所述第二存储单元执行写入操作之前，将所述第二存储单元中电容器的第三极板的电压从第三电压改为第四电压；在所述第二存储单元执行读取操作之前，将所述第三极板的电压改变回所述第三电压。可选的，获取在不同电压影响下所述存储器中失效位元的数量包括：改变所述第四电压的大小，获取不同的所述第四电压影响下的所述失效位元的数量。可选的，根据所述第一信号阈值和所述第二信号阈值，确定所述感应放大器是否失配包括：确定所述第一信号阈值和所述第二信号阈值的差值，在所述差值大于或等于预设差值时，则确定所述感应放大器失配。可选的，所述第一存储单元和所述第二存储单元为同一种存储单元。可选的，所述第一存储单元所在的存储器和所述第二存储单元所在的存储器为同一个存储器。根据本公开的第二方面，提供一种感应放大器失配确定装置，所述感应放大器连接第一位线和第二位线，其中，所述第一位线位于第一存储单元，所述第二位线位于第二存储单元，所述感应放大器失配的确定装置包括：第一信号阈值确定模块，用于在所述第一存储单元执行写入和读取操作过程中，确定所述第一位线上的第一信号阈值；第二信号阈值确定模块，用于在所述第二存储单元执行写入和读取操作过程中，确定所述第二位线上的第二信号阈值；失配确定模块，用于根据所述第一信号阈值和所述第二信号阈值，确定所述感应放大器是否失配。根据本公开的第三方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的感应放大器失配确定方法。根据本公开的第四方面，提供一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，用于存储所述处理器的可执行指令；其中，所述处理器配置为经由执行所述可执行指令来执行上述的感应放大器失配确定方法。本公开提供的技术方案可以包括以下有益效果：根据本公开示例性实施方式中的感应放大器失配确定方法，通过确定与感应放大器连接的第一位线上的第一信号阈值，和第二位线上的第二信号阈值，可以将感应放大器的失配通过两个信号阈值表征出来，从而可以通过第一信号阈值和第二信号阈值来确定感应放大器是否失配，提供了一种对感应放大器失配进行确定的方法，从而为存储器的性能提供了评价依据，对于改善存储器也具有一定的指导意义。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：图1示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种感应放大器的结构示意图；图2示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种DRAM存储单元写操作的结构示意图一；图3示意性示出了根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种感应放大器失配确定方法，所述感应放大器连接第一位线和第二位线，其中，所述第一位线位于第一存储单元，所述第二位线位于第二存储单元，其特征在于，所述感应放大器失配的确定方法包括：/n在所述第一存储单元执行写入和读取操作过程中，确定所述第一位线上的第一信号阈值；/n在所述第二存储单元执行写入和读取操作过程中，确定所述第二位线上的第二信号阈值；/n根据所述第一信号阈值和所述第二信号阈值，确定所述感应放大器是否失配。/n

【技术特征摘要】
1.一种感应放大器失配确定方法，所述感应放大器连接第一位线和第二位线，其中，所述第一位线位于第一存储单元，所述第二位线位于第二存储单元，其特征在于，所述感应放大器失配的确定方法包括：
在所述第一存储单元执行写入和读取操作过程中，确定所述第一位线上的第一信号阈值；
在所述第二存储单元执行写入和读取操作过程中，确定所述第二位线上的第二信号阈值；
根据所述第一信号阈值和所述第二信号阈值，确定所述感应放大器是否失配。


2.根据权利要求1所述的感应放大器失配确定方法，其特征在于，在所述第一存储单元执行写入和读取操作过程中，确定所述第一位线上的第一信号阈值包括：
在所述第一存储单元所在的存储器的多个存储单元中写入相同的数据；
将数据保留时间设置为第一预设时间，将信号时序时间设置为第二预设时间，确定所述第一信号阈值。


3.根据权利要求2所述的感应放大器失配确定方法，其特征在于，确定所述第一信号阈值包括：
保持所述第二存储单元中电容器极板上的电压不变，改变所述第一存储单元中电容器的第一极板上的电压，获取在不同电压影响下所述存储器中失效位元的数量；其中，所述第一存储单元中电容器的第二极板与所述第一存储单元中晶体管的源极相连，所述第一极板与所述第二极板相对设置；
在所述失效位元的数量达到预设允许失效数量时，将所述第一存储单元在读取操作过程中所述第一位线上的电压变化量确定为所述第一信号阈值。


4.根据权利要求3所述的感应放大器失配确定方法，其特征在于，改变所述第一存储单元中电容器的第一极板上的电压包括：
在所述第一存储单元执行写入操作之前，将所述第一存储单元中电容器的第一极板的电压从第一电压改为第二电压；
在所述第一存储单元执行读取操作之前，将所述第一极板的电压改变回所述第一电压。


5.根据权利要求4所述的感应放大器失配确定方法，其特征在于，获取在不同电压影响下所述第一存储器中失效位元的数量包括：
改变所述第二电压的大小，获取不同的所述第二电压影响下的所述失效位元的数量。


6.根据权利要求1所述的感应放大器失配确定方法，其特征在于，在所述第二存储单元执行写入和读取操作过程中，确定所述第二位线上的第二信号阈值包括：
在所述第二存储单元所在的存储器的多个存储单元中写入相同的数据；
将数据保留时间设置为第一预设时间，将信号时序时间设置为第二预设时间，确定所述第二信号阈值。


7.根据权利要求6所述的感应放大器失配确定方法，其特征在于，确定所述第二信号阈值包括：
保持所述第一存储单元中电容器极板上的电压不变，改变所述第二存储单元中电容器的第三极板上的电压，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建，吴耆贤，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34