【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路领域，尤其涉及一种半导体互连结构及其形成方法、半导体封装结构。
技术介绍
1、硅通孔技术(through silicon via，tsv)技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。硅通孔技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。基于硅通孔技术的三维(3d)封装具有更好的电气互连性能、更宽的带宽、更高的互连密度、更低的功耗、更小的尺寸及更轻的质量。
2、随着三维(3d)封装的日益发展，硅通孔技术变得更重要。硅通孔的性能直接关系到三维封装的可靠性及良率等问题，为了提高三维封装的可靠性及良率，需要提供具有高稳定性和高可靠性的硅通孔。因此，如何提高硅通孔的稳定性和可靠性成为目前亟需解决的问题。
技术实现思路
1、本公开所要解决的技术问题是，提供一种半导体互连结构及...
【技术保护点】
1.一种半导体互连结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述第一导电连接垫包括沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排列的第一图形、以及沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排列的第二图形，所述第一图形与所述第二图形相交处构成所述第一节点。
3.根据权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述导电柱的第一端落在所述第一节点内。
4.根据权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，还包括第二导电连接垫，所述第二导电连接垫设置在所述基底的第二表面，且与所述导电柱的第二端连接，所有所述导电柱的第二端通过所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体互连结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述第一导电连接垫包括沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排列的第一图形、以及沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排列的第二图形，所述第一图形与所述第二图形相交处构成所述第一节点。
3.根据权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述导电柱的第一端落在所述第一节点内。
4.根据权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，还包括第二导电连接垫，所述第二导电连接垫设置在所述基底的第二表面，且与所述导电柱的第二端连接，所有所述导电柱的第二端通过所述第二导电连接垫互连。
5.根据权利要求4所述的半导体互连结构，其特征在于，所述第二导电连接垫包括网状结构，所述网状结构包括多个第二节点，每一所述第二节点与一个或多个所述导电柱的第二端连接，或者每一所述导电柱的第二端与一个或多个所述第二节点连接。
6.根据权利要求5所述的半导体互连结构，其特征在于，所述第二导电连接垫包括沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排列的第三图形、以及沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排列的第四图形，所述第三图形与所述第四图形相交处构成所述第二节点。
7.根据权利要求5所述的半导体互连结构，其特征在于，所述导电柱的第二端落在所述第二节点内。
8.根据权利要求1所述的半导体互连结构，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘志拯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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